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公开(公告)号：CN112272015B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202011240566.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，包括：底电极、压电膜结构及顶电极；其中，压电膜结构包括至少两层叠置的压电膜，相邻两层压电膜之间具有不同的欧拉角；当在压电膜结构中激发厚度剪切波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电向量均满足模长且相邻两层压电膜的压电向量位于不同象限；当在压电膜结构中激发厚度伸缩波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电系数e33的绝对值均大于0.5C/m2，且相邻两层压电膜的压电系数e33符号相反。通过本发明提供的声波谐振器，解决了现有技术中通过降低压电膜厚度来提高声波谐振器工作频率所导致的器件机械结构稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN113328723A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110665708.9
申请日：2021-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弹性波谐振器及其制备方法，所述弹性波谐振器至少包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电层的上表面；反射增强结构，至少形成于所述叉指电极的左右两侧，且形成于所述压电层的上表面及/或所述压电层中。通过本发明提供的弹性波谐振器及其制备方法，改善了现有弹性波谐振器声学能量泄露的问题。
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公开(公告)号：CN110632687B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201810651434.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及制备方法，制备包括：提供闪耀光栅衬底，表面形成有周期排布的锯齿状阵列结构，包括具有第一倾角的第一槽面及具有第二倾角的第二槽面；于闪耀光栅衬底上形成交替多层膜结构，包括若干个超材料结构单元，包括第一等效介电常数单元和第二等效介电常数单元，二者之间形成电磁波吸收界面，本发明的超材料晶体结构可按需调控电磁波的吸收，可以通过调控超材料晶体结构支持的界面波矢，所述多层膜的材料参数和光栅的闪耀角，可精确调控电磁波的特征吸收峰；通过调控超材料晶体结构的周期P，即光栅常数，可有效调控电磁波的吸收系数，可针对不同频段的电磁波的吸收调控，无需重新设计超材料晶体结构。
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公开(公告)号：CN113130376A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110395087.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
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公开(公告)号：CN109166792A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810942371.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/34 , H01L21/425 , H01L21/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜，制备包括：提供第一单晶衬底及第二单晶衬底，分别具有第一离子注入面及第二离子注入面；对第一单晶衬底进行第一离子注入，形成第一缺陷层，对第二单晶衬底进行第二离子注入，形成第二缺陷层；将第一离子注入面与第二离子注入面进行键合；沿第一缺陷层剥离得到第一单晶薄膜层，沿第二缺陷层剥离得到第二单晶薄膜层，获得柔性单晶薄膜。本发明采用对称应力补偿技术，制备了由第一单晶薄膜层及第二单晶薄膜层构成的柔性单晶薄膜，避免了制备的薄膜卷曲、碎裂的问题；使得可以得到具备超薄、超轻、柔性且可以自支撑特性的薄膜；可以通过本发明的方案制备得到大面积的柔性单晶薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119514452A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411568081.5
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/367 , G06F111/04 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种声表面波器件的仿真方法、装置及存储介质，通过获取待仿真的声表面波器件的多个单元模型；针对每个单元模型，基于有限元单元法提取单元模型的自由度矢量、约束矢量和系统矩阵；约束矢量表征施加在声表面波器件的电学边界条件；根据单元模型的自由度矢量和约束矢量确定单元模型的约束雅可比矩阵；约束雅可比矩阵表征单元模型中电势自由度矢量在系统矩阵中的位置信息；基于各单元模型的约束雅可比矩阵和系统矩阵，对各单元模型进行级联处理，得到声表面波器件的仿真模型。从而可以不需要针对每种电极图案的器件均先构建不同的电极图案坐标，即可确定电极的位置信息，不仅使得该方案的普适性更高，还提高了仿真效率。
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公开(公告)号：CN119475740A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411543202.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种表面电极的热仿真建模方法、装置及存储介质。通过获取声表面波器件的器件模型；对器件模型进行网格划分；按照网格划分对应的网格尺度从器件模型中提取多个电极单元模型，构成表面电极的等效模型；每个电极单元模型包括一个电极指的模型以及电极指的模型对应的目标压电区；目标压电区为压电薄膜的模型的顶部区域，且目标压电区的宽度大于电极指的模型的宽度；目标压电区的厚度大于或者等于一个网格尺度。从而基于本申请构建得到的表面电极的等效建模模型可以提高后续对声表面波器件的快速精准的热仿真。
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公开(公告)号：CN119420316A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411315780.9
申请日：2024-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声学延迟线器件，包括：衬底；第一换能器和第二换能器，设置在所述衬底表面，并分别分布在所述衬底的两侧；激励源，用于对所述第一换能器或第二换能器施加复频率声波，以在所述声学延迟线器件实现均匀振幅波传输；所述激励源包括：若干简谐波源，用于产生若干实频率声波；合成器，用于将所述若干实频率声波按照预设权重进行加权叠加，形成所述复频率声波。本发明实现了在损耗介质中声波的均匀振幅传输。
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公开(公告)号：CN119420314A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411316587.7
申请日：2024-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器，所述声表面波谐振器的结构包括：提供一支撑衬底；位于所述支撑衬底上方的复合压电薄膜；位于所述复合压电薄膜上方的电极层；其中，所述复合压电薄膜包括上层压电薄膜和下层压电薄膜；所述上层压电薄膜和下层压电薄膜的切向相反，上层压电薄膜和下层压电薄膜的晶圆切边方向之间存在夹角。本发明在保持主模式机电耦合系数基本不变的情况，大幅度的抑制其他杂散模式，使得滤波器具有较好的带外抑制，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119395907A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411450935.X
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成复用的多物理场声光交调波导及其制备方法，所述多物理场声光交调波导包括：提供一支撑衬底；位于所述支撑衬底上的介质层；位于所述介质层上的压电薄膜；位于所述压电薄膜上的图案化金属结构；对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述介质层上方形成波导；对所述压电薄膜进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成第一光栅耦合器和第二光栅耦合器；所述图案化金属结构包括第一压电换能器、第二压电换能器、第一调制电极和第二调制电极；所述第一调制电极和第二调制电极位于所述波导两侧且平行于波导。本发明把声场和光场限制到一个波导，同时传播两种物理场并进行调制，可以增加信息传播的密度，以及增加调制的效率。
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