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公开(公告)号：CN111024016A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911226289.8
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于仪器校准技术领域，提供了一种膜厚样片及膜厚样片的制备方法，所述膜厚样片包括：样片载体和至少两个样片本体，其中，各样片本体的薄膜厚度和/或薄膜类型不同，所述各样片本体衬底朝下粘贴在所述样片载体上，所述样片载体上设有用于指示各样片本体的薄膜厚度和薄膜类型的样片标识。本发明能够在对椭偏仪进行校准时，可以直接移动样片载体实现不同样片本体的替换，而无需取出样片、更换样片，从而增加了校准时的便捷程度，提高了对椭偏仪校准的效率。
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公开(公告)号：CN106017385B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201610578470.5
申请日：2016-07-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种标称高度10μm‑100μm台阶高度标准样块的制备方法，属于台阶仪校准技术领域。本发明包括如下步骤：采用双面抛光的硅晶圆片作为衬底材料；在硅晶圆片表面生长氧化层；在氧化层表面涂光刻胶；曝光，其中掩膜版为负版，图形区域为透光区；去除透光区的光刻胶；使用反应离子刻蚀机进行刻蚀，将没有光刻胶掩蔽的台阶区域的氧化层刻蚀掉；使用深反应离子刻蚀机刻蚀硅晶圆片，对没有光刻胶掩蔽的台阶区域的硅晶圆片进行刻蚀，刻蚀深度小于要制备的标准样块的标称高度；去除光刻胶；湿法刻蚀，刻蚀深度达到标称高度要求；在硅晶圆片表面溅射金属保护层，制得所要的标准样块。本发明能准确控制台阶高度，满足作为标准样块的要求，且成本低。
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公开(公告)号：CN106091952A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610375187.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B11/06
CPC classification number: G01B11/0625
Abstract: 本发明公开了一种光谱型椭偏仪椭偏角的校准方法，包括如下步骤：第一步，确定膜厚标准样片的材料；第二步，确定膜厚标准样片的薄膜厚度，使得在所述薄膜厚度下得到的椭偏角能够覆盖所需校准的光谱型椭偏仪椭偏角的范围；第三步，制作膜厚标准样片；第四步，使用多台标准光谱型椭偏仪进行比对测量，确定膜厚标准样片的椭偏角的标准值，即为定标；第五步，使用膜厚标准样片对所需校准的光谱型椭偏仪的椭偏角进行校准，椭偏角的测量误差由所需校准的光谱型椭偏仪的椭偏角测量值与椭偏角的标准值相比较确定。本发明能根据需要全面覆盖光谱型椭偏仪椭偏角的测量范围，校准准确可靠。
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公开(公告)号：CN103983931B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410187953.3
申请日：2014-05-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种矢量网络分析仪S参数测量不确定度的确定方法，涉及矢量网络分析仪的校准方法技术领域。所述方法通过MCM仿真实现，避免了使用GUM法评定不确定度时需要考虑S参数间相关性的问题和使用经验算法得到的不确定度不完善的问题；该方法从校准件的定义出发，基于SOLT校准方法对矢量网络分析仪进行自校准，将校准件引入的不确定度通过矢量网络分析仪传递给被测件，最后，通过使用MCM仿真的方法得到矢量网络分析仪测量被测件S参数的测量不确定度及其相关性，以保证矢量网络分析仪能够获得被测件准确的S参数性能，提高了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN103983931A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410187953.3
申请日：2014-05-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种矢量网络分析仪S参数测量不确定度的确定方法，涉及矢量网络分析仪的校准方法技术领域。所述方法通过MCM仿真实现，避免了使用GUM法评定不确定度时需要考虑S参数间相关性的问题和使用经验算法得到的不确定度不完善的问题；该方法从校准件的定义出发，基于SOLT校准方法对矢量网络分析仪进行自校准，将校准件引入的不确定度通过矢量网络分析仪传递给被测件，最后，通过使用MCM仿真的方法得到矢量网络分析仪测量被测件S参数的测量不确定度及其相关性，以保证矢量网络分析仪能够获得被测件准确的S参数性能，提高了测试的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119238219A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411348058.5
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种晶圆薄膜应力调校器及其制备方法，属于微电子计量技术领域，所述方法包括：根据公式(1)计算生长薄膜的曲率半径RB；选择玻璃作为生长衬底，根据计算的曲率半径RB进行粗磨、精磨及抛光，获得上表面曲率半径为RB的衬底；在衬底的上表面镀膜，获得曲率半径为RB的应力调校器；公式(1)中，σfilm为预设在衬底上生长的薄膜应力值；Δ为常数；RA为理想状态下生长的薄膜的曲率半径值，理想状态下薄膜为水平面，因此RA为无限大；RB为实际生长薄膜的曲率半径。本发明制备的晶圆薄膜应力调校器，能够对薄膜测试仪进行精准调校，保证测试仪测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN114543688B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202210051175.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明提供一种台阶高度标准样块、制备方法以及白光干涉仪校准方法。该台阶高度标准样块包括：底层和位于底层上的台阶层；台阶层的上表面具有凹槽，凹槽用于接收并反射目标白光干涉仪的光，且台阶层的材料为不透明材料。由于本发明提供的台阶高度标准样块中，通过具有凹槽的台阶层构成台阶结构，而不是通过两层材料构成台阶结构，且台阶层的材料为不透明材料，使得该台阶高度标准样块中的台阶结构在上下表面具有相同的折射率和消光系数，进而使得本发明提供的台阶高度标准样块不会影响照射到台阶结构上的光的强度，进而利用本发明提供的台阶高度标准样块对白光干涉仪校准，有利于降低白光干涉仪的校准误差，实现白光干涉仪的快速精准校准。
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公开(公告)号：CN111652860B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010447868.1
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种格栅标准样片测量方法、装置及终端设备，该方法包括：基于预设间隔对格栅标准样片的平面区域进行划分，得到多个样片区域；获取多个样片区域的多个扫描图像，并对多个扫描图像进行图像拼接，得到样片图像；其中，多个扫描图像由关键尺寸扫描电镜系统对多个样片区域扫描得到；基于关键尺寸扫描电镜系统的透镜阵列建立笛卡尔坐标系，并基于样片图像确定格栅标准样片中第一预设标志点和第二预设标志点在笛卡尔坐标系中的坐标；基于第一预设标志点和第二预设标志点在笛卡尔坐标系中的坐标确定格栅标准样片的长度。本发明提供的格栅标准样片测量方法、装置及终端设备能够有效扩大关键尺寸扫描电镜的测量视场。
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公开(公告)号：CN111137846B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201911348036.8
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于标准物质制备技术领域，提供了一种微米级台阶高度标准样块的制备方法，该方法包括：获取第一硅晶圆片，在第一硅晶圆片上生长二氧化硅氧化层，并在二氧化硅氧化层上键合第二硅晶圆片，获得第一样品；对第一样品上的第二硅晶圆片进行减薄处理以及抛光处理，获得第二样品；其中，减薄后的第二硅晶圆片的厚度与预设标称高度相同；对第二样品上的第二硅晶圆片的预设区域进行刻蚀，直至露出二氧化硅氧化层，获得第三样品；在第三样品上表面溅射金属保护层，获得微米级台阶高度标准样块。本发明的微米级台阶高度标准样块的制备方法，制备成本相对较低，可以在获得预设标称高度的微米级台阶高度标准样块的同时，获得较好的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN112903145B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110348365.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明提供了一种高低温探针台在片温度参数的校准方法及装置，属于半导体测量技术领域，校准方法包括：将在片温度传感器放置在高低温探针台的控温平台上，并将控温平台推进高低温探针台的微室内；通过高低温探针台的显微镜进行观察，调节直流探针的位置以使直流探针与在片温度传感器的焊垫接触；将直流探针和电测仪器进行连接；设定标准温度，对高低温探针台的温度参数进行校准；对校准完成后的测量结果进行不确定度评定。技术效果：上述校准方法能够很好地模拟实际测量时的工作状况，更易于提高校准精度，并且，在完成温度参数的校准之后，还对测量结果进行不确定度评定，能够判断测量结果的准确性，实现有效的校准效果。
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