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公开(公告)号：CN110676311A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910841413.5
申请日：2019-09-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明适用于半导体晶体管制备技术领域，提供了一种柔性晶体管的制备方法，包括：将获取的六方氮化硼h-BN薄膜转移至预设衬底表面；在所述h-BN薄膜上制作导电沟道、源漏电极、栅介质层以及栅电极，获得晶体管样品；在所述晶体管样品上旋涂柔性衬底溶液并经过干燥处理，获得在所述晶体管样品上形成的柔性膜；将所述晶体管样品与所述柔性膜从所述预设衬底上剥离，获得柔性晶体管。本发明中的柔性晶体管的制备方法，避免了直接在柔性衬底上制备晶体管具有对准偏差且性能退化的问题，同时采用柔性膜包覆晶体管样品，解决了柔性晶体管在弯折过程中电极易脱落的问题。
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公开(公告)号：CN107910377B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201711118404.0
申请日：2017-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域，石墨烯晶体管包括衬底，衬底的上表面设有石墨烯PN结，石墨烯PN结两侧设有源、漏接触电极；石墨烯PN结的P区或N区设有与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。该方法包括在在衬底上制作石墨烯PN结；在石墨烯PN结两侧制作源、漏接触电极；在石墨烯PN结上制作与石墨烯PN结成45°夹角的栅极。本发明利用石墨烯PN结中的载流子通过PN结的几率与PN结的夹角相关特性，在石墨烯PN结的P区或N区制作与PN结成45°夹角的栅极，使载流子通过具有45°夹角的两个PN结时被完全反射，从而实现石墨烯晶体管的自由开关。
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公开(公告)号：CN107393815B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710792114.8
申请日：2017-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管，涉及半导体技术领域。该方法包括：在金刚石层的上表面形成导电层；其中，所述金刚石层为高阻层；在所述金刚石层上制作有源区台面；在所述导电层上与源电极区对应的第一区域制作源电极，在所述导电层上与漏电极区对应的第二区域制作漏电极；在所述导电层上与源栅区对应的第三区域的上表面淀积光催化剂介质层，在所述导电层上与栅漏区对应的第四区域的上表面淀积光催化剂介质层；光照所述光催化剂介质层；在所述导电层上与栅电极区对应的第五区域淀积栅介质层，在所述栅介质层的上表面制作栅电极。本发明能够降低器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107161988B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710357233.0
申请日：2017-05-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备纳米晶石墨烯的方法，属于半导体材料制备领域。本发明包括以下步骤：将蓝宝石衬底放入石墨烯PECVD等离子体设备内，抽真空，充入惰性气体至目标压力；加热蓝宝石衬底到目标温度；蓝宝石衬底在氢气气氛下预处理；设定PECVD等离子体的源功率至目标功率，设定腔体压力到目标压力，设定氢气气体流量至目标流量，开启PECVD等离子体电源，形成等离子体；通入碳源，设定碳源流量至目标流量，设定生长时间，生长石墨烯；关闭碳源，关闭PECVD等离子体，生长结束，降温至室温。该方法制备的石墨烯材料无需转移，且降低了晶圆级石墨烯的制备成本，对石墨烯基础研究和器件研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108892132A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810836852.2
申请日：2018-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种制备石墨烯的辅助装置、石墨烯及其制备方法，该方法包括：在衬底上表面放置制备石墨烯的辅助装置，并将所述衬底放置于化学气相沉积设备的腔体中，其中，所述辅助装置包括支撑体；缓冲层，设在所述支撑体的上表面，所述缓冲层设有若干个贯穿所述缓冲层的孔洞，所述支撑体与所述衬底接触；将所述腔体的温度加热至预设温度，并排出所述腔体内的空气；在所述腔体中通入碳源，并将所述腔体的温度维持在所述预设温度；经预设时间后，停止通入碳源，在所述腔体中通入保护气体，并降低所述腔体的温度。本发明能够降低石墨烯形核密度，且不会降低石墨烯的生长速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731915A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710948663.X
申请日：2017-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/1029 , H01L29/1602 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括：在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面形成具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物，在所述金刚石与受主层的界面处形成一个异质结，在所述金刚石的一侧近结10nm-20nm处形成二维空穴气，利用二维空穴气作为p型导电沟道。所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在0℃-1000℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN107601473A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710933876.5
申请日：2017-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备均匀一致的石墨烯材料的改进的化学气相沉积法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。选择半绝缘SiC衬底，清洗干燥后放入CVD设备中，抽真空；再去除SiC衬底表面吸附气体；通入氢气，氢气流量1-60L/min，去除SiC衬底表面损伤层和划痕；成核阶段：通入氩气，氩气分压比例控制在70％以上；通入气态碳源，流量0.001-10L/min，气态碳源与氢气流量之比为0.001％-50％；生长阶段：氢气分压比例控制在70％以上；通入气态氮源，流量0.001-2L/min；成核温度和生长温度在1100-1900℃之间，保持气体压力50-1000mbar，成核阶段持续时间1-10min，生长阶段持续时间10-100min，在SiC衬底表面得到1-5层P型掺杂的石墨烯。该方法有助于制备表面形貌平坦，均匀一致的石墨烯材料。
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公开(公告)号：CN118943021A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411012289.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供了一种提高氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上通过氢等离子体处理或生长金刚石外延层，形成氢终端金刚石表面导电沟道；在氢终端金刚石表面涂敷一层偶联剂，烘干并高温退火后形成介质层；光刻有源区图形窗口，使用干法刻蚀或者湿法腐蚀去掉介质层，并实现器件隔离；光刻出源电极区域和漏电极区域，淀积源极金属和漏极金属，剥离形成源漏欧姆接触；沉积介质作为栅钝化层；光刻出栅根形貌，刻蚀或者腐蚀上层介质；光刻出栅极窗口，淀积栅金属，剥离形成栅电极；淀积钝化层；光刻出电极图形，刻蚀腐蚀出电极。本发明能够实现氢终端金刚石晶体管介质粘附性的低损伤制备。
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公开(公告)号：CN118897224A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410941481.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R33/032 , G01R33/00
Abstract: 本发明提供一种金刚石NV色心磁强测量系统及其应用，金刚石NV色心磁强探头包括金刚石NV色心及位于金刚石NV色心上下表面的磁通量聚集器和微波天线，第一荧光的过滤片，以及用于收集第二荧光的光电探测器；激光光路模块包括激光器，用于产生至少两束激光，每束激光直接照射到其中一个金刚石NV色心上；多探头微波调制模块包括至少两个独立的微波调制单元，每个微波调制单元与其中一个金刚石NV色心磁强探头的微波天线连接，并用于发射调制的微波信号；锁相处理模块分别与至少两套金刚石NV色心磁强探头的光电探测器的输出端连接，且锁相处理模快还需获取调制的微波信号的参考频率。本发明的磁强测量系统可以实现移动环境下的测量。
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公开(公告)号：CN117894830A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311717119.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种金刚石氮化铝异质结场效应晶体管及其制备方法，该方法包括：在金刚石衬底上表面的目标区域制备保护层。对目标区域之外的金刚石衬底表面进行氧等离子体处理，得到氧终端。去除目标区域的保护层，并在氧终端的遮蔽下，在目标区域外延生长氮化铝，制备得到金刚石氮化铝异质结的导电沟道。在目标区域的氮化铝遮蔽下，对目标区域之外的氧终端进行氢等离子体处理，得到氢终端的导电沟道。在氢终端的导电沟道上制备源电极、漏电极，在氮化铝上制备栅电极，得到场效应晶体管。本发明避免了现有方式刻蚀深度难以控制、难以刚好刻蚀至异质结导电沟道上的问题，降低了器件制备难度。
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