-
公开(公告)号：CN109633491B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910061775.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种全张量磁梯度测量系统安装误差的标定装置及标定方法，所述标定装置包括：激励源，电连接于所述激励源的标定源，设于所述标定源下方的无磁安置台，设于所述标定源一侧的安装支架，设于所述安装支架上的全张量磁梯度测量组件，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件的组合惯导，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述组合惯导的测控组件，及设于所述标定源一侧的姿态调整装置。通过本发明提供的全张量磁梯度测量系统安装误差的标定装置及标定方法，解决了现有技术无法提供一种简单、便捷的标定装置及标定方法的问题。
-
公开(公告)号：CN112082662A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010955982.5
申请日：2020-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于光探测技术领域，涉及一种检测超导纳米线单光子探测器件对准结果的方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括：提供超导纳米线单光子探测器件，所述超导纳米线单光子探测器件包括探测芯片，所述探测芯片与入射光纤相对准；获取所述探测芯片的图像，所述图像包括所述探测芯片的探测面的中心和入射到所述探测面上的所述入射光纤的光斑；对所述图像进行处理，获取所述光斑的中心与所述探测面的中心之间的距离，以根据所述距离获取所述入射光纤与所述探测芯片的对准结果。本发明能够检测超导纳米线单光子探测器件的对准度，从而能够在一定程度上提高超导纳米线单光子探测器件的对准精度。
-
公开(公告)号：CN107507884B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201710678412.4
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , G01J11/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种宽谱超导纳米线单光子探测器件，所述宽谱超导纳米线单光子探测器件包括：衬底；反射镜，位于所述衬底表面；叠层结构，位于所述反射镜表面；所述叠层结构中包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线。本发明的宽谱超导纳米线单光子探测器件通过在反射镜上设置包括至少两层上下间隔排布的超导纳米线的叠层结构，可以实现两层或多层超导纳米线的吸收，从而拓展所述宽谱超导纳米线单光子探测器件的高效吸收带宽，具有较高的吸收效率。
-
公开(公告)号：CN111623552B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010738144.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 浙江赋同科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及低温技术领域，本发明的技术方案为：一种采用吸附式制冷机与G‑M制冷机集成的低温恒温器，包括支架和固设于所述支架上的冷头固定板，所述冷头固定板上设有光纤进出密封接口和低温同轴电缆进出接口，所述冷头固定板的上端设有G‑M制冷机，所述冷头固定板的下端连接真空罩，所述G‑M制冷机的冷头连接在冷头固定板的中间并且延伸至所述真空罩内部，所述冷头的中部连接第一级冷平台，所述第一级冷平台下端连接有第一级冷屏，所述冷头的端部连接有第二级冷平台，所述第二级冷平台下方连接吸附床冷屏罩，所述吸附床冷屏罩内设有吸附式制冷机，所述第二级冷平台下端连接有第二级冷屏，所述第二级冷屏将吸附式制冷机笼罩在内。
-
公开(公告)号：CN111693738A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010402144.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多通道高频芯片的低温测试结构，包括芯片定位印制电路板、多通道接口电路板和施压装置，所述芯片定位印制电路板用于放置待测芯片；所述多通道接口电路板上设置有多路金属探针结构，所述金属探针结构用于实现待测芯片与外部设备的信号输入与输出；所述施压装置用于施加压力使得芯片定位印制电路板上的待测芯片的引脚pad与所述多通道接口电路板上的多路金属探针接触以实现电连接。本发明能保证测试中芯片的完整无损。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108051405B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201711189276.9
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明提供一种光学胶折射率测量器件、测量系统及测量方法，所述光学胶折射率测量器件包括：衬底；微纳光纤，位于贴置于所述衬底的上表面，且所述微纳光纤的两端延伸至所述衬底的外侧；光学胶，位于所述衬底的上表面，且固化包覆于所述微纳光纤的外围。本发明可用于低温条件下对光学胶折射率进行测量，低温条件的温度可以达到约2K（开尔文）；本发明对待测量的光学胶的形状没有要求，使用更加灵活方便；本发明的器件、系统结构简单，便于操作，测量结构稳定性及准确性较高。
-
公开(公告)号：CN106549099B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510593955.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法，包括：SOI基片，由下至上依次包括背衬底、埋氧层及顶层硅；第一抗反射层，位于顶层硅的表面；第二抗反射层，位于背衬底的表面；深槽，贯穿第二抗反射层、背衬底及埋氧层；光学腔体结构，位于第一抗反射层的表面；超导纳米线，位于第一抗反射层与光学腔体结构之间；反射镜，位于光学腔体结构的表面。通过在衬底上刻蚀深槽，拉近了耦合光纤与器件的距离，避免了传统背面耦合结构超导纳米线单光子探测器件中长聚焦透镜的使用，便于光纤MU头与器件的对准耦合；避免光学腔体结构中远距离聚焦的问题及衬底Fabry‑Perot腔对吸收效率的影响，对目标波长具有较高的吸收效率，提高了器件探测效率。
-
公开(公告)号：CN108735850A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710257378.3
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01J11/00 , H01L29/0603 , H01L29/0684
Abstract: 本发明提供一种具有辅助环的超导纳米线单光子探测器件及其制作方法，所述具有辅助环的超导纳米线单光子探测器件包括：超导纳米线单光子探测器件，具有器件有效区域；辅助环，位于所述超导纳米线单光子探测器件的表面，且位于所述器件有效区域外围；所述辅助环在显微镜物镜观测下具有与所述超导纳米线单光子探测器件不同的亮度。本发明通过在超导纳米线单光子探测器件表面设置辅助环，在光耦合时，物镜观测光穿过衬底后辅助环与超导纳米线单光子探测器件其余部分的亮度对比度明显，辅助环可以清晰分辨，器件上方的光纤所出的光在器件上产生的光斑可以很容易地对准到辅助环中心，从而也就是对准到了器件有效区域中心。
-
公开(公告)号：CN106558632B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510593862.4
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种高偏振消光比超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；高反膜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述高反膜的表面；介质层，位于所述高反膜的表面，且包覆所述超导纳米线；光栅结构，位于所述介质层的表面。本发明的高偏振消光比超导纳米线单光子探测器基于高反膜衬底，采用正面光耦合方式可避免了衬底Fabry‑Perot腔会对吸收效率的影响，对目标波长具有较高的吸收效率；通过光栅结构尺寸设计可实现非目标极化光滤波功能，进而有效提高器件探测效率及偏振消光比。
-
公开(公告)号：CN107507911A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710678338.6
申请日：2017-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 浙江赋同科技有限公司
IPC: H01L39/02
CPC classification number: H01L39/02
Abstract: 本发明提供一种超导纳米线单光子探测器，所述超导纳米线单光子探测器包括至少一层超导纳米线结构，所述超导纳米线结构包括若干条平行间隔排布的直线部及将所述直线部依次首尾连接的第一连接部；其中，所述直线部包括至少两条平行间隔排布的超导纳米线，各所述直线部内的所述超导纳米线经由所述第一连接部相连接。通过将超导纳米线结构的直线部设置为至少两条平行间隔排布的超导纳米线，可以降低器件的总电感，提升器件的响应速度，器件内的电流得以提升，提高器件的信噪比。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
145
records
(took 0.073 seconds)
