-
公开(公告)号：CN102593711B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210075617.0
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器，特别是增强腔面散热的半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底上的下金属化层，下限制层，下波导层，下过渡层，量子阱层，上过渡层，上波导层，上限制层，上金属化层，以及上下金属电极，在半导体激光器前后腔面上设有一层碳纳米管薄膜，在前后腔面的碳纳米管薄膜上沉积增透膜和高反射膜。制备方法是沿芯片边缘线解理，在前后腔面上制备一层碳纳米管薄膜；在碳纳米管薄膜上前腔面沉积增透膜，后腔面沉积高反射膜；芯片焊接到热沉，压焊电极引线。本发明防止腔面光学灾变，提高腔面的损伤阈值，有利于提高半导体激光器的功率与寿命。
-
公开(公告)号：CN110549360B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910953160.0
申请日：2019-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: B25J15/02
Abstract: 本发明公开了一种光学元件夹持装置和方法，属于光学元件夹持领域，左夹持臂的末端夹持面和右夹持臂的末端夹持面均对应设有大直径柱面和小直径柱面；大直径柱面和小直径柱面平行，且大直径柱面比小直径柱面更靠近端部，使夹紧光学元件时，大直径柱面比小直径柱面先接触光学元件两侧的非光通区平行平面。本发明的一种光学元件夹持装置和方法，能够稳定夹持小尺寸光学元件，不会造成光学元件的破坏。
-
公开(公告)号：CN106300003B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201610970297.3
申请日：2016-11-07
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/02315 , H01S5/024
Abstract: 本发明提供了一种二极管泵浦激光模块封装装置，所述的封装装置将N个三棱柱组成正N边形装置实体，通过拉紧装置实体中上下对称的锥形的上压块和下压块，装置实体向外均匀扩展，压紧了装置实体外对应的N个二极管模块，在N个二极管模块交界的位置处添加焊料并在高温炉中融化焊料，常温冷却后，拆除装置模块，得到了二极管泵浦激光模块。本发明的二极管泵浦激光模块封装装置改善了冷却器上二极管模块的分布均匀性，提高了晶体棒的泵浦性能，安装方便快捷，简单高效，提升了二极管模块的安全性，实现了较小规格的二极管泵浦激光模块封装。
-
公开(公告)号：CN113823996B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110854841.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种实现高功率近衍射极限半导体激光的方法及系统，所述方法包括以下步骤：S1，构建M个LD共孔径相干合成模块，每个LD共孔径相干合成模块输出窄线宽高光束质量低相位噪声的LD激光，其中，M≥2且M为正整数；S2，将步骤S1中得到的M路窄线宽高光束质量低相位噪声的LD激光进行共孔径光谱合成，得到单路高光束质量输出的LD激光。本发明解决了现有技术存在的在近衍射极限下输出的功率难以大幅提高等问题。
-
公开(公告)号：CN114665379A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210299021.2
申请日：2022-03-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种波长稳定的半导体激光装置，包括电源、LD模块和光纤合束器；多个所述LD模块并联设置，每个LD模块均单独连接一个电源功能模块，电源功能模块与电源连接，通过电源功能模块连通或断开与其连接的LD模块；多个所述LD模块的输出光纤连接光纤合束器的输入臂，通过合束器输出光源。采用本发明的一种波长稳定的半导体激光装置，具有全功率范围下波长稳定，功率分档可调、分布式高效散热、耐高低温环境工作、易维修实现工程化的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112787217A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110167009.1
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种波长锁定的高效率半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，由N型衬底层往上依次为N型下限制层、N型下波导层、量子阱有源层、P型上波导层、插入层、P型上限制层、P型接触层，其中插入层的折射率与P型波导层相同且导电类型为N型，在慢轴方向设置形成电流限制层，同时在谐振方向设置形成光栅，通过刻蚀插入层形成电流注入和光栅，然后二次外延工艺生长P型上限制层、P型接触层。激光器后腔面蒸镀高反射膜，前腔面蒸镀抗反射膜，该激光器片上集成了光栅，同时形成较好的侧向电流限制，光栅和电流限制层采用同一步工艺，简化制备流程，具有波长锁定、电‑光效率高的特点。
-
公开(公告)号：CN112310801A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011235994.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种相变冷却半导体激光装置，采用一体化设计，包括具有腔体的壳体，所述壳体内部设置导热材料制成的分隔板，将腔体由上到下分隔成第一腔体和第二腔体，所述第一腔体内设置半导体激光模块，所述第二腔体内填充相变冷却材料；所述第二腔体底部设置排热底板，所述排热底板连接热管。采用本发明的一种相变冷却半导体激光装置，能够实现半导体激光产生的热量高效排散，保证激光器的正常工作温度。
-
公开(公告)号：CN109873295B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910308289.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延波导较薄侧，锥型区设置于外延波导较厚侧，脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式，可以更加充分地利用锥型区增益，基于等光通量的原理，可以在模体积扩展的同时，保持了基模特性，保证了近衍射极限激光的光学质量，从而实现了亮度的大幅提升。
-
公开(公告)号：CN110961846A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911407972.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: B23K37/04
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光器中COS焊接夹具，属于COS焊接技术领域，包括承载定位组件和至少一个的悬臂弹簧探针组件；承载定位组件用于承载和定位管壳底座；悬臂弹簧探针组件包括至少一个的定位杆、和定位杆一一对应的压簧、至少一个的弹簧探针、悬臂支架和锁紧件；定位杆设在承载定位组件上，且定位杆外套有压簧；压簧压缩在承载定位组件和悬臂支架之间；定位杆穿过悬臂支架；锁紧件用于将悬臂支架限定在离承载定位组件一定距离位置；弹簧探针设在悬臂支架上，用于将COS压在管壳底座上设有的焊料上。本发明的一种用于半导体激光器中COS焊接夹具，能够有效防止COS在焊接过程中产生位移偏差，提高COS定位准确性。
-
公开(公告)号：CN109149359A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811276335.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01S5/1014 , H01S5/125 , H01S5/22
Abstract: 本发明提供了一种锥形半导体激光器，该方案包括有脊形区和锥形区；脊形区产生近衍射极限的种子激光，种子激光进入锥形区放大输出；锥形区的前腔面，即与脊形区连接的一端的腔面无反馈激光，锥形区单向放大种子激光。该方案可实现激光的单向放大，前腔面无反馈结构使得光束质量在放大过程中不易恶化，可大大增加锥形区的长度，达到既可以输出较高的功率，又可以保持近衍射极限的光束质量，可实现超高亮度的激光输出。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
108
records
(took 0.035 seconds)
