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公开(公告)号：CN114498291B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111612121.8
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供一种单束输出皮秒脉冲和连续复合激光的半导体激光器；所述半导体激光器包括激光器外延结构以及设置在激光器外延结构上的皮秒脉冲激光种子源、连续激光种子源、Y字型波导合束结构和锥形功率放大器；Y字型波导合束结构具有第一后端、第二后端以及一个前端；皮秒脉冲激光种子源包括依次设置的脊型脉冲增益部分、脊型可饱和吸收体和第一光栅，第一光栅对准第一后端；连续激光种子源包括依次设置的脊型连续增益部分和第二光栅，第二光栅对准第二后端；锥形功率放大器的较小端对准前端。本发明解决了激光器内部同时产生脉冲和连续两类激光的问题，具有单光束输出皮秒脉冲和连续复合大功率激光的良好结果。
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公开(公告)号：CN113948962A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111029308.5
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种增强亮度的锥形半导体激光器结构，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，还包括设于衬底上的脊型波导，所述脊型波导的两侧设有绝缘膜且两侧所述绝缘膜之间的覆盖区域应大于脊型波导在慢轴方向上的光场区域；设于脊型波导两侧的A绝缘半导体材料层，所述A绝缘半导体材料层与该侧所在的绝缘膜之间呈交错衔接；金属电极，所述金属电极覆盖于由各所述A绝缘半导体材料层、各所述绝缘膜以及脊型波导共同形成的表面上，且金属电极与A绝缘半导体材料层之间相连接，以达到提高单个锥形半导体激光芯片的近衍射极限输出功率的目的。
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公开(公告)号：CN113659437A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110737006.7
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种高亮度条型半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器件的技术领域，该结构的激光器制备在衬底层上，由衬底层往上依次为下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层、接触层和金属电极，其中，上限制层的部分区域进行离子注入，接触层的部分区域进行腐蚀去除，通过离子注入限制激光器注电区域，通过欧姆接触控制电流的扩展，在控制电流分布的同时降低慢轴方向的波导限制，可提高慢轴亮度，同时，在制备条型半导体激光器时无需使用绝缘膜，无需进行绝缘膜电极窗口工艺，减小芯片中的应力，避免电极窗口光刻时的对准问题，改善芯片的散热，提高芯片偏振度，提高条型半导体激光器的一致性和可靠性。
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公开(公告)号：CN112414235A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011235996.6
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: F42C13/02
Abstract: 本发明公开了一种360度全视场扫描与探测的激光引信装置，包括以轴线为中心旋转并沿轴线方向前进的引信柱，引信柱的周向均匀设置4路发射接收模组，每路发射接收模组包括发射模块和接收模块；发射模块包括两个相互垂直设置的激光芯片，用于发射覆盖90°视场范围的激光信号；接收模块，用于接收回波信号；发射模块、接收模块的光轴与引信柱的轴线之间具有夹角。采用本发明的一种360度全视场扫描与探测的激光引信装置，可以装载在毁伤装置中，协助主装置精确360°无死角寻找并打击目标。
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公开(公告)号：CN110233421A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910620096.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明公开了一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，包括锥形激光器、衍射光栅、分束镜和全反镜组；所述锥形激光器包括前腔面、后腔面、脊形波导区和锥形增益放大区；衍射光栅位于锥形激光器的出光方向；分束镜位于衍射光栅的衍射光方向；全反镜组将分束镜反射的光变向传输到锥形激光器的后腔面，所述锥形激光器从前腔面发出激光入射到衍射光栅，经衍射光栅衍射传输至分束镜分光，大部分光直接输出，小部分光反射后经过全反镜组变向传输到锥形激光器的后腔面，经过锥形激光器内部的脊形波导区选基横模及锥形增益放大区功率放大再出射，形成循环。采用本发明的一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，可以在保持基于环形外腔的锥形半导体激光器高光束质量的同时，产生窄谱宽、可调谐的高亮度激光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104836114B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510273978.X
申请日：2015-05-27
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器的快慢轴光束质量匀化装置的技术方案，该方案基于光束全反射原理，利用直角棱镜空间组合作为光束旋转器件，采用柱面透镜组作为Y方向准直，两片式柱面缩束镜作为X方向缩束器件，在不引入各发光点光程差的前提下，可实现半导体激光器的快慢轴光束质量匀化整形。该发明具有光束旋转无像差，不改变光束前进方向，整形系统装调简单易行等特点。基于该发明研制的半导体激光高亮度光纤耦合输出光源可应用在泵浦光纤激光器、医疗及工业加工等众多领域。
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公开(公告)号：CN106374333A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610970077.0
申请日：2016-11-07
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02264
Abstract: 本发明提供了一种二极管泵浦激光模块封装方法，所述的封装方法将N个三棱柱组成正N边形装置实体，通过拉紧装置实体中上下对称的锥形的上压块和下压块，装置实体向外均匀扩展，压紧了装置实体外对应的N个二极管模块，在N个二极管模块交界的位置处添加焊料并在高温炉中融化焊料，常温冷却后，拆除装置模块，得到二极管泵浦激光模块。本发明的二极管泵浦激光模块封装方法改善了冷却器上二极管模块的分布均匀性，提高了晶体棒的泵浦性能，封装步骤简单高效，提升了二极管模块的安全性，实现了较小规格的二极管泵浦激光模块封装。
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公开(公告)号：CN105511089A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610045815.0
申请日：2016-01-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G02B27/09
CPC classification number: G02B27/09 , G02B27/0938 , G02B27/0961 , G02B27/0966
Abstract: 本发明属于激光技术应用领域，公开一种大功率半导体激光器线阵实现束参积调整的装置。该装置包含快轴准直平凸柱透镜、错位整形堆栈、重排整形堆栈及慢轴准直平凸柱透镜阵列四部分。采用微小尺寸平行玻璃薄片作为光束整形组件，通过尺寸及角度的优化设计，针对大功率半导体激光器线阵中每个独立发光单元实现光束错位整形及重排整形，进而实现半导体激光器线阵束参积的调整。该发明具有器件成本低、整形效率高、适用于大功率半导体激光器等优点。基于该发明研制的高功率半导体激光输出光源可应用在泵浦固体激光器、医疗及工业加工等众多领域。
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公开(公告)号：CN104808345A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510273033.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: G02B27/0916 , G02B27/0961 , G02B27/0966 , G02B27/0972 , G02B27/30
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器的发光点旋转密排整形装置的技术方案，该方案包括有半导体激光器芯片、热沉、快轴准直透镜、柱面透镜组、直角棱镜组；半导体激光器芯片封装在热沉上；半导体激光器芯片发射的激光依次穿过快轴准直透镜、直角棱镜组和柱面透镜组后射出。该方案同时通过光束的旋转，实现了快慢轴光束质量的匀化，而且结构简单，元件加工容易。
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公开(公告)号：CN103170765B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310068523.5
申请日：2013-03-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明为一种金锡合金焊料制备方法，该方法通过采用Au靶和Sn靶分层磁控溅射技术，在CuW次热沉上沉积各种金属膜，并通过高温合金烧结形成金锡合金焊料；与传统技术相比该方法其优势就在于较快的沉积速率，在沉积过程中还可以通过旋转基板来保证沉积层厚度的一致性，避免了传统电子束蒸发或分层电镀带来的利用率太低而电镀反应不好控制，厚度和成分都很难精确控制的缺点。
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