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公开(公告)号：CN113823996A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110854841.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种实现高功率近衍射极限半导体激光的方法及系统，所述方法包括以下步骤：S1，构建M个LD共孔径相干合成模块，每个LD共孔径相干合成模块输出窄线宽高光束质量低相位噪声的LD激光，其中，M≥2且M为正整数；S2，将步骤S1中得到的M路窄线宽高光束质量低相位噪声LD激光进行共孔径光谱合成，得到单路高光束质量输出的LD激光。本发明解决了现有技术存在的在近衍射极限下输出的功率难以大幅提高等问题。
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公开(公告)号：CN104638513B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510101260.2
申请日：2015-03-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/06
Abstract: 本发明公开了一种紧凑化布局的外腔反馈式二极管激光光谱合成光学系统，包括二极管激光器、慢轴转换柱透镜、衍射光栅、聚焦柱透镜和外腔镜，所述衍射光栅位于慢轴转换柱透镜的后焦面上；所述外腔镜与衍射光栅之间设置一个聚焦柱透镜，所述聚焦柱透镜与慢轴转换柱透镜组成透镜组，所述透镜组的等效前焦面位于慢轴转换柱透镜前端一倍焦距以内，且二极管激光器位于透镜组的等效前焦面上，所述外腔镜位于透镜组的等效后焦面；所述二极管激光器发出的激光经过慢轴转换柱透镜、衍射光栅及聚焦柱透镜后，光束将平行出射，且垂直入射到外腔镜上，经外腔镜反射后，激光经过原光路返回原发光单元，形成完整的振荡回路；本发明使二极管激光光谱合成系统减小近一半的尺寸，从而降低了激光器系统的整体体积规模，进一步实现了系统的紧凑化布局。
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公开(公告)号：CN105356215A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510720398.0
申请日：2015-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S3/0941 , H01S3/109
CPC classification number: H01S3/0941 , H01S3/109
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器直接倍频装置，该方案为半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。该方案能够实现每个合束单元波长的锁定压窄和模式选择，同时将发光单元激光束空间近场和远场重叠成一束输出，极大的改善合束之后的光束质量，于是实现了高功率输出条件下实现高光束质量输出，对应的锁定光谱具有很高的谱亮度。
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公开(公告)号：CN113823996B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110854841.9
申请日：2021-07-28
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种实现高功率近衍射极限半导体激光的方法及系统，所述方法包括以下步骤：S1，构建M个LD共孔径相干合成模块，每个LD共孔径相干合成模块输出窄线宽高光束质量低相位噪声的LD激光，其中，M≥2且M为正整数；S2，将步骤S1中得到的M路窄线宽高光束质量低相位噪声的LD激光进行共孔径光谱合成，得到单路高光束质量输出的LD激光。本发明解决了现有技术存在的在近衍射极限下输出的功率难以大幅提高等问题。
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公开(公告)号：CN114665379A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210299021.2
申请日：2022-03-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种波长稳定的半导体激光装置，包括电源、LD模块和光纤合束器；多个所述LD模块并联设置，每个LD模块均单独连接一个电源功能模块，电源功能模块与电源连接，通过电源功能模块连通或断开与其连接的LD模块；多个所述LD模块的输出光纤连接光纤合束器的输入臂，通过合束器输出光源。采用本发明的一种波长稳定的半导体激光装置，具有全功率范围下波长稳定，功率分档可调、分布式高效散热、耐高低温环境工作、易维修实现工程化的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112310801A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011235994.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种相变冷却半导体激光装置，采用一体化设计，包括具有腔体的壳体，所述壳体内部设置导热材料制成的分隔板，将腔体由上到下分隔成第一腔体和第二腔体，所述第一腔体内设置半导体激光模块，所述第二腔体内填充相变冷却材料；所述第二腔体底部设置排热底板，所述排热底板连接热管。采用本发明的一种相变冷却半导体激光装置，能够实现半导体激光产生的热量高效排散，保证激光器的正常工作温度。
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公开(公告)号：CN109873295B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910308289.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延波导较薄侧，锥型区设置于外延波导较厚侧，脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式，可以更加充分地利用锥型区增益，基于等光通量的原理，可以在模体积扩展的同时，保持了基模特性，保证了近衍射极限激光的光学质量，从而实现了亮度的大幅提升。
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公开(公告)号：CN109149359A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811276335.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01S5/1014 , H01S5/125 , H01S5/22
Abstract: 本发明提供了一种锥形半导体激光器，该方案包括有脊形区和锥形区；脊形区产生近衍射极限的种子激光，种子激光进入锥形区放大输出；锥形区的前腔面，即与脊形区连接的一端的腔面无反馈激光，锥形区单向放大种子激光。该方案可实现激光的单向放大，前腔面无反馈结构使得光束质量在放大过程中不易恶化，可大大增加锥形区的长度，达到既可以输出较高的功率，又可以保持近衍射极限的光束质量，可实现超高亮度的激光输出。
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公开(公告)号：CN105511089B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201610045815.0
申请日：2016-01-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G02B27/09
Abstract: 本发明属于激光技术应用领域，公开一种大功率半导体激光器线阵实现束参积调整的装置。该装置包含快轴准直平凸柱透镜、错位整形堆栈、重排整形堆栈及慢轴准直平凸柱透镜阵列四部分。采用微小尺寸平行玻璃薄片作为光束整形组件，通过尺寸及角度的优化设计，针对大功率半导体激光器线阵中每个独立发光单元实现光束错位整形及重排整形，进而实现半导体激光器线阵束参积的调整。该发明具有器件成本低、整形效率高、适用于大功率半导体激光器等优点。基于该发明研制的高功率半导体激光输出光源可应用在泵浦固体激光器、医疗及工业加工等众多领域。
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公开(公告)号：CN104155771B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410421443.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G02B27/62
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器中微光学透镜实现精密装调的在线监测装置及其使用方法的技术方案，该方案该方法采用CCD作为光斑数据采集元件，基于光束分束原理，在微光学透镜装调过程中，同时在线监测近场和远场光斑数据，通过近场CCD光斑数据变化作为微光学透镜旋转轴的最佳空间位置判据，通过远场CCD光斑数据变化作为微光学透镜位移轴的最佳空间位置判据，可实现半导体激光器快慢轴光束发散角和指向性的精密控制。该发明具有系统集成度高、监测判据精密可靠等特点，基于该发明实现的低发散角、高指向性的半导体激光器可应用在泵浦固体激光器、医疗及工业加工等众多领域。
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