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公开(公告)号：CN112787217A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110167009.1
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种波长锁定的高效率半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，由N型衬底层往上依次为N型下限制层、N型下波导层、量子阱有源层、P型上波导层、插入层、P型上限制层、P型接触层，其中插入层的折射率与P型波导层相同且导电类型为N型，在慢轴方向设置形成电流限制层，同时在谐振方向设置形成光栅，通过刻蚀插入层形成电流注入和光栅，然后二次外延工艺生长P型上限制层、P型接触层。激光器后腔面蒸镀高反射膜，前腔面蒸镀抗反射膜，该激光器片上集成了光栅，同时形成较好的侧向电流限制，光栅和电流限制层采用同一步工艺，简化制备流程，具有波长锁定、电‑光效率高的特点。
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公开(公告)号：CN112310801A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011235994.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种相变冷却半导体激光装置，采用一体化设计，包括具有腔体的壳体，所述壳体内部设置导热材料制成的分隔板，将腔体由上到下分隔成第一腔体和第二腔体，所述第一腔体内设置半导体激光模块，所述第二腔体内填充相变冷却材料；所述第二腔体底部设置排热底板，所述排热底板连接热管。采用本发明的一种相变冷却半导体激光装置，能够实现半导体激光产生的热量高效排散，保证激光器的正常工作温度。
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公开(公告)号：CN109873295B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910308289.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延波导较薄侧，锥型区设置于外延波导较厚侧，脊型区和所述锥型区级联。本设计的激光器较传统单纯利用锥型增益结构的激光放大方式，可以更加充分地利用锥型区增益，基于等光通量的原理，可以在模体积扩展的同时，保持了基模特性，保证了近衍射极限激光的光学质量，从而实现了亮度的大幅提升。
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公开(公告)号：CN109149359A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811276335.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
CPC classification number: H01S5/1014 , H01S5/125 , H01S5/22
Abstract: 本发明提供了一种锥形半导体激光器，该方案包括有脊形区和锥形区；脊形区产生近衍射极限的种子激光，种子激光进入锥形区放大输出；锥形区的前腔面，即与脊形区连接的一端的腔面无反馈激光，锥形区单向放大种子激光。该方案可实现激光的单向放大，前腔面无反馈结构使得光束质量在放大过程中不易恶化，可大大增加锥形区的长度，达到既可以输出较高的功率，又可以保持近衍射极限的光束质量，可实现超高亮度的激光输出。
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公开(公告)号：CN114498291B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111612121.8
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供一种单束输出皮秒脉冲和连续复合激光的半导体激光器；所述半导体激光器包括激光器外延结构以及设置在激光器外延结构上的皮秒脉冲激光种子源、连续激光种子源、Y字型波导合束结构和锥形功率放大器；Y字型波导合束结构具有第一后端、第二后端以及一个前端；皮秒脉冲激光种子源包括依次设置的脊型脉冲增益部分、脊型可饱和吸收体和第一光栅，第一光栅对准第一后端；连续激光种子源包括依次设置的脊型连续增益部分和第二光栅，第二光栅对准第二后端；锥形功率放大器的较小端对准前端。本发明解决了激光器内部同时产生脉冲和连续两类激光的问题，具有单光束输出皮秒脉冲和连续复合大功率激光的良好结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113948962A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111029308.5
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种增强亮度的锥形半导体激光器结构，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，还包括设于衬底上的脊型波导，所述脊型波导的两侧设有绝缘膜且两侧所述绝缘膜之间的覆盖区域应大于脊型波导在慢轴方向上的光场区域；设于脊型波导两侧的A绝缘半导体材料层，所述A绝缘半导体材料层与该侧所在的绝缘膜之间呈交错衔接；金属电极，所述金属电极覆盖于由各所述A绝缘半导体材料层、各所述绝缘膜以及脊型波导共同形成的表面上，且金属电极与A绝缘半导体材料层之间相连接，以达到提高单个锥形半导体激光芯片的近衍射极限输出功率的目的。
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公开(公告)号：CN113659437A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110737006.7
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种高亮度条型半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器件的技术领域，该结构的激光器制备在衬底层上，由衬底层往上依次为下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层、接触层和金属电极，其中，上限制层的部分区域进行离子注入，接触层的部分区域进行腐蚀去除，通过离子注入限制激光器注电区域，通过欧姆接触控制电流的扩展，在控制电流分布的同时降低慢轴方向的波导限制，可提高慢轴亮度，同时，在制备条型半导体激光器时无需使用绝缘膜，无需进行绝缘膜电极窗口工艺，减小芯片中的应力，避免电极窗口光刻时的对准问题，改善芯片的散热，提高芯片偏振度，提高条型半导体激光器的一致性和可靠性。
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公开(公告)号：CN108683063B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810506547.7
申请日：2018-05-24
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S3/067 , H01S3/0941 , H01S3/30
Abstract: 本发明提供了一种二极管直接泵浦拉曼光纤激光器及其光谱合成方法，该方案采用9xxnm二极管直接泵浦拉曼光纤激光器作为新的合成子束，将光谱合成的合成谱宽拓展至900nm‑1030nm波段，进而极大拓展光谱合成子束数量，随着二极管直接泵浦拉曼光纤激光技术的发展，最终进一步有力提高光谱合成的输出功率。同时，本发明还可以看作是对原有二极管激光器光谱合成技术的有益改进，通过拉曼效应的光束净化作用，将原有光束质量不佳的二极管激光转化为理想的可合成光束，进而使合成效率与光束质量得以提升。
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公开(公告)号：CN110233421A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910620096.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明公开了一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，包括锥形激光器、衍射光栅、分束镜和全反镜组；所述锥形激光器包括前腔面、后腔面、脊形波导区和锥形增益放大区；衍射光栅位于锥形激光器的出光方向；分束镜位于衍射光栅的衍射光方向；全反镜组将分束镜反射的光变向传输到锥形激光器的后腔面，所述锥形激光器从前腔面发出激光入射到衍射光栅，经衍射光栅衍射传输至分束镜分光，大部分光直接输出，小部分光反射后经过全反镜组变向传输到锥形激光器的后腔面，经过锥形激光器内部的脊形波导区选基横模及锥形增益放大区功率放大再出射，形成循环。采用本发明的一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，可以在保持基于环形外腔的锥形半导体激光器高光束质量的同时，产生窄谱宽、可调谐的高亮度激光。
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公开(公告)号：CN113594851B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110672306.1
申请日：2021-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种高亮度锥形半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，所述衬底的两端端面分别位于半导体激光器的前腔面和后腔面，还包括：设于衬底上的脊型波导，所述脊型波导的表面上设有片上光栅；设于衬底上的倾斜后端部，所述倾斜后端部位于脊型波导朝向后腔面的一端，倾斜后端部上设有分别位于脊型波导两侧且呈相对布置的倾斜端面，且各所述倾斜端面的倾斜角度均大于光传输的全反射角；其中，由片上光栅和各所述倾斜端面共同形成半导体激光器的后腔面，以达到提高单个锥形半导体激光芯片的近衍射极限输出功率的目的。
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