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公开(公告)号：CN113594851B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110672306.1
申请日：2021-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种高亮度锥形半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，所述衬底的两端端面分别位于半导体激光器的前腔面和后腔面，还包括：设于衬底上的脊型波导，所述脊型波导的表面上设有片上光栅；设于衬底上的倾斜后端部，所述倾斜后端部位于脊型波导朝向后腔面的一端，倾斜后端部上设有分别位于脊型波导两侧且呈相对布置的倾斜端面，且各所述倾斜端面的倾斜角度均大于光传输的全反射角；其中，由片上光栅和各所述倾斜端面共同形成半导体激光器的后腔面，以达到提高单个锥形半导体激光芯片的近衍射极限输出功率的目的。
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公开(公告)号：CN114498294A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210085008.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器及利用光栅形成外腔谐振的光纤耦合结构，属于光纤耦合技术领域，半导体激光器包括设有两个出光面的半导体激光芯片，第一出光面和第二出光面的反射率不同，且半导体激光芯片分别从第一出光面和第二出光面输出激光束；光纤耦合结构通过将多个半导体激光器排列，从第一出光面输出的激光产生第一平行光束，从第二出光面输出的激光产生第二平行光束；第一平行光束经过一反射光栅，光栅的反射率与芯片第二出光面的反射率相等，第一平行光束再经过一半波片后与第二平行光束同时经过偏振合束器到聚焦透镜后聚焦到光纤上，激光从芯片的两个端面输出，能够提供反射的同时锁定光谱，降低激光芯片的输出光谱宽度。
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公开(公告)号：CN113948969A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111029304.7
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种高效率半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，还包括：设于衬底上的条型波导，所述条型波导上沿谐振腔方向设置有多个绝缘区，通过各个所述绝缘区分隔成多个电注入区，且相邻两所述绝缘区之间的间隔由激光器的后腔面至前腔面的方向呈逐渐增大，以达到抑制条型半导体激光器中的空间烧孔、提高电光转换效率的目的。
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公开(公告)号：CN113948962A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111029308.5
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种增强亮度的锥形半导体激光器结构，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，还包括设于衬底上的脊型波导，所述脊型波导的两侧设有绝缘膜且两侧所述绝缘膜之间的覆盖区域应大于脊型波导在慢轴方向上的光场区域；设于脊型波导两侧的A绝缘半导体材料层，所述A绝缘半导体材料层与该侧所在的绝缘膜之间呈交错衔接；金属电极，所述金属电极覆盖于由各所述A绝缘半导体材料层、各所述绝缘膜以及脊型波导共同形成的表面上，且金属电极与A绝缘半导体材料层之间相连接，以达到提高单个锥形半导体激光芯片的近衍射极限输出功率的目的。
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公开(公告)号：CN110233421A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910620096.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明公开了一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，包括锥形激光器、衍射光栅、分束镜和全反镜组；所述锥形激光器包括前腔面、后腔面、脊形波导区和锥形增益放大区；衍射光栅位于锥形激光器的出光方向；分束镜位于衍射光栅的衍射光方向；全反镜组将分束镜反射的光变向传输到锥形激光器的后腔面，所述锥形激光器从前腔面发出激光入射到衍射光栅，经衍射光栅衍射传输至分束镜分光，大部分光直接输出，小部分光反射后经过全反镜组变向传输到锥形激光器的后腔面，经过锥形激光器内部的脊形波导区选基横模及锥形增益放大区功率放大再出射，形成循环。采用本发明的一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，可以在保持基于环形外腔的锥形半导体激光器高光束质量的同时，产生窄谱宽、可调谐的高亮度激光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114447763A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210083528.4
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了基于自对准刻蚀工艺的脊形波导电极窗口制作方法，该方法包括：在刻蚀好脊形波导的外延片上沉积一层绝缘膜；在所述绝缘膜上涂一层光刻胶，并进行软烘；对所述光刻胶进行刻蚀，直至脊形波导上方的光刻胶被完全刻蚀后停止，并对残留的光刻胶进行硬烘；对硬烘后外延片上脊形上方的绝缘膜进行刻蚀；对脊形波导上方绝缘膜被完全刻蚀的外延片去胶，在所述脊形波导上得到电极窗口。本发明用于外延片上脊形波导电极窗口的制作，能在晶圆发生翘曲、光刻机对准精度不足的情况下，完成零对准偏差的电极窗口制备。
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公开(公告)号：CN113594851A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110672306.1
申请日：2021-06-15
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种高亮度锥形半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，包括衬底，所述衬底的两端端面分别位于半导体激光器的前腔面和后腔面，还包括：设于衬底上的脊型波导，所述脊型波导的表面上设有片上光栅；设于衬底上的倾斜后端部，所述倾斜后端部位于脊型波导朝向后腔面的一端，倾斜后端部上设有分别位于脊型波导两侧且呈相对布置的倾斜端面，且各所述倾斜端面的倾斜角度均大于光传输的全反射角；其中，由片上光栅和各所述倾斜端面共同形成半导体激光器的后腔面，以达到提高单个锥形半导体激光芯片的近衍射极限输出功率的目的。
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公开(公告)号：CN110233421B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910620096.4
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明公开了一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，包括锥形激光器、衍射光栅、分束镜和全反镜组；所述锥形激光器包括前腔面、后腔面、脊形波导区和锥形增益放大区；衍射光栅位于锥形激光器的出光方向；分束镜位于衍射光栅的衍射光方向；全反镜组将分束镜反射的光变向传输到锥形激光器的后腔面，所述锥形激光器从前腔面发出激光入射到衍射光栅，经衍射光栅衍射传输至分束镜分光，大部分光直接输出，小部分光反射后经过全反镜组变向传输到锥形激光器的后腔面，经过锥形激光器内部的脊形波导区选基横模及锥形增益放大区功率放大再出射，形成循环。采用本发明的一种基于环形外腔的锥形半导体激光器，可以在保持基于环形外腔的锥形半导体激光器高光束质量的同时，产生窄谱宽、可调谐的高亮度激光。
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公开(公告)号：CN109193344A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811277048.1
申请日：2018-10-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种具有反波导层的半导体激光器及其制造方法，该方案包括有衬底、外延层、侧相反波导层、前腔面和后腔面；外延层设置在衬底顶面上；前腔面设置在衬底的一侧面上；所述后腔面设置在前腔面对侧的衬底侧面上；外延层上设置有凸出的条形震荡区；条形震荡区的两侧中，至少有一侧设置有反波导层；反波导层设置在外延层上。该方案可以比现有模式控制技术在震荡区两侧更好的抑制高阶模式，从而改善光束质量，提高半导体激光器的亮度。
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公开(公告)号：CN220544460U
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202321920973.8
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体激光器用腔面镀膜的陪片，所述陪片与芯片连接的一面设有阻隔件，所述阻隔件在芯片与所述陪片连接时阻隔陪片与芯片的触碰，所述陪片沿芯片的腔长方向的长度短于待镀膜芯片，所述陪片与芯片的腔长方向垂直的边长度与待镀膜芯片相等。本实用新型既避免了芯片表面与陪片挤压带来的压痕与损伤，又解决了芯片之间膜层粘连的问题，极大地提高了半导体激光器的表面质量与可靠性。
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