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公开(公告)号：CN107799400B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201710754868.4
申请日：2017-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在被处理体上的图案形成中能够应对伴随着高度集成化的微细化和多样的形状的图案的形成的技术。在一实施方式的处理被处理体的方法中，被处理体包括第一凸部、第二凸部、被蚀刻层和槽部，槽部设置在该被处理体的主面并设置在该被蚀刻层，被夹在该第一凸部和该第二凸部之间，槽部的内侧的表面包含在该被处理体的该主面，该方法反复执行N次第一流程，其中，N为2以上的整数，第一流程包括：(a)在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内在该被处理体的该主面保形地形成保护膜的步骤；和(b)在上述步骤(a)的执行后，由在处理容器内产生的气体的等离子体对被处理体中的槽部的底部蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：CN113035707A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011472522.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置所执行的基片处理方法包括步骤a、步骤b和步骤c。步骤a是提供具有被蚀刻膜和形成在该被蚀刻膜之上的掩模的基片的步骤。步骤b是在掩模的开口上部形成保护膜的步骤。步骤c是一边用保护膜抑制开口上部的开口尺寸的变动一边蚀刻掩模，使没有被保护膜覆盖的开口下部的尺寸变动的步骤。根据本发明，能够抑制形成在基片上的图案的形状异常。
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公开(公告)号：CN111627809A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010101737.8
申请日：2020-02-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。步骤b)是沿掩模的膜厚方向在开口的侧壁形成具有不同厚度的膜的步骤。本发明能够修正掩模的形状。
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公开(公告)号：CN111261514A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910857745.2
申请日：2019-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。
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公开(公告)号：CN110029325A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910022599.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，其中，该被处理基片被配置在载置台上，所述载置台设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间中配置有与该载置台相对的能够被供给高频电力的上部电极。该成膜方法在对被处理基片的主面的多个区域中的每个区域执行了调节该被处理基片的所述主面的温度的步骤之后，反复执行包括第一步骤和第二步骤的流程，即：第一步骤，在被处理基片的所述图案上形成沉积膜；第二步骤，仅对上部电极供给电力来在空间中产生等离子体，从而对该空间进行清扫。由此，不论进行成膜的等离子体处理的进展程度如何，都能够使被处理基片上的膜的形成方式相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109564872A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047928.7
申请日：2017-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H05H1/46
Abstract: 一实施方式的方法包括：(a)第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻；及(b)第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN109155252A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031969.7
申请日：2017-05-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种实施方式的方法(MT)，在处理对象的晶片(W)的被处理层(J1)的蚀刻前，在将被处理层(J1)的主面(J11)划分为多个区域(ER)的基础上，通过步骤(SB2)按多个区域(ER)的每一区域计算出被处理层(J1)上所设置的掩模(J2)的槽宽度与该槽宽度的基准值的差值，在步骤(SB6)中，利用表示被处理层(J1)的温度与形成的膜的膜厚的对应的对应数据(DT)调节被处理层(J1)的温度，以使其成为与多个区域(ER)的每一区域对应的膜厚的膜的形成所需要的温度，利用与(ALD)法同样的膜形成处理在掩模(J2)按每一原子层形成膜，将与差值对应的膜厚的膜(J3)形成与掩模(J2)，按多个区域(ER)的每一区域将槽宽度修正为基准值。
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公开(公告)号：CN105489485A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510645212.X
申请日：2015-10-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/033
Abstract: 本发明提供一种处理被处理体的方法，其能够提高多重图案形成法中掩模尺寸的控制性。在一实施方式的方法中，执行在第一掩模和防反射膜上形成氧化硅膜的步骤。在该步骤中，交替地生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体和包含氧气的第二气体的等离子体。接着，以仅残留形成于第一掩模的侧面上的区域的方式除去氧化硅膜的其他区域。接着，除去第一掩模。然后，对防反射膜和有机膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN119816930A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063391.9
申请日：2023-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 一种处理衬底的方法，该方法包括：使蚀刻气体、O2和吸附质前体流动进入等离子体处理室中，该等离子体处理室被配置成固定包括含硅介电层和图案化掩模层的该衬底，该蚀刻气体包含氢和氟；在使该蚀刻气体、O2和该吸附质前体流动的同时在该等离子体处理室中产生等离子体，该吸附质前体被氧化以形成吸附质；以及用该等离子体对该衬底上的该含硅介电层进行图案化，其中该吸附质形成侧壁钝化层。
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公开(公告)号：CN118284956A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077733.8
申请日：2022-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，向腔室内的基板支承部上提供具有含碳膜和形成于含碳膜的含硅掩模的基板；工序(b)，向基板支承部供给制冷剂来控制基板支承部的温度；工序(c)，向腔室内供给处理气体；以及工序(d)，在进行着工序(b)的状态下，通过源RF信号在腔室内从处理气体生成等离子体，并且向基板支承部供给偏置信号，来蚀刻含碳膜。在工序(d)中，制冷剂被设定为使等离子体蚀刻时的基板或基板支承部表面的温度成为‑70℃以上且100℃以下，源RF信号为具有2kW以上的功率的RF信号，偏置信号为具有2kW以上的功率的RF偏置信号、或者包括2kV以上的电压脉冲的DC偏置信号。
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