公开(公告)号：CN102687075A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080060219.0

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  李雨晋 ,  韩权愚 ,  李汉松 ,  金相均 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C08G77/80 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282

Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN101205291B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200710302240.7

申请日：2007-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 邢敬熙 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/10 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式1-3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物中的任意一种。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。本发明还提供了一种利用该组合物形成图案的方法。

公开(公告)号：CN101796101A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200780100521.2

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 禹昌秀 ,  成现芋 ,  裵镇希 ,  鱼东善 ,  金钟涉

IPC: C08G77/04

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14

Abstract: 本发明提供了一种新颖且具有用于半导体器件的优异的填隙特性的有机硅烷聚合物，以及包括该聚合物的组合物。该组合物可通过一般的旋涂技术，在半导体基材中完全填充直径70nm或更少且长径比(即高度(或深度)/直径比)为1或更高的孔洞，且无任何缺陷，例如无空气孔隙。该聚合物具有宽的分子量范围，其可实现完全填隙。此外，在利用烘烤而固化之后，该组合物可通过利用氢氟酸溶液的处理，完全从孔洞中移除，而不留下任何残余物。再者，该组合物在储存期间非常地稳定。

公开(公告)号：CN1991581B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610150443.4

申请日：2006-10-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  吴昌一 ,  金到贤 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  伊丽娜·南 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3-20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3-6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN101681096A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200780053206.9

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹敬皓 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  田桓承 ,  吴昌一 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091 ,  Y10S438/952

Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性质的硬质掩模组合物。该硬质掩模组合物适合用于光刻且提供了优异的光学性质和机械性质。此外，该硬质掩模组合物容易通过旋涂施用技术来施加。特别地，该组合物对于干蚀刻具高度抗性。因此，该组合物可用于提供一种能够以高纵横比被图案化的多层薄膜。本发明进一步提供了一种使用该组合物形成图案的方法。

公开(公告)号：CN101370854A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780002634.9

申请日：2007-01-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙燦 ,  金相均 ,  林相学 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金旼秀 ,  尹敬皓 ,  南伊纳

IPC: C08G77/00 ,  C08G77/02 ,  C08G77/08 ,  C08G77/06

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/20 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  H01L21/3121

Abstract: 根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR1)(OR2)(OR3)R4，其中R1、R2和R3可以各自独立地为烷基，且R4可以为－(CH2)nR5，其中R5为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR6)(OR7)(OR8)R9，其中R6、R7和R8可以各自独立地为烷基或芳基，且R9可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。

公开(公告)号：CN101238413A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200580051272.3

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分：和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN101205291A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710302240.7

申请日：2007-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 邢敬熙 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/10 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02

Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式1－3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物中的任意一种。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。本发明还提供了一种利用该组合物形成图案的方法。

公开(公告)号：CN101470352B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN200810187921.8

申请日：2008-12-23

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 田桓承 ,  金钟涉 ,  尹敬皓 ,  金旼秀 ,  李镇国 ,  宋知胤

IPC: G03F7/09

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性能的硬掩模组合物。该硬掩模组合物适合用于平版印刷术，提供了优异的光学和机械性能，并表现出高的蚀刻选择性。另外，通过旋涂技术能够容易地施加该硬掩模组合物。使用硬掩模组合物形成的硬掩模层可与集成电路制造工艺相容。有利地，该硬掩模组合物用于短波长平版印刷术。

公开(公告)号：CN102516503B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201110305955.4

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹敬皓 ,  金钟涉 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  邢敬熙 ,  金旼秀 ,  李镇国

IPC: C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  G03F7/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08G61/02 ,  C08G61/10 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/952

Abstract: 提供了芘主链聚合物和含有该芘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式C表示的芘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。