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公开(公告)号：CN118785704A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202311518828.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 由器件隔离层限定的有源区设置在衬底上。设置与有源区交叉的字线以及在字线与有源区之间的栅介电层。设置覆盖字线的上表面的封盖绝缘图案以及在字线上的位线。字线可以包括第一导电图案和在第一导电图案上的第二导电图案。第一导电图案可以包括第一金属元素。第二导电图案可以包括第一金属元素、功函数调节元素和扩散阻挡元素。扩散阻挡元素的原子半径可以小于第一金属元素的原子半径。
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公开(公告)号：CN112186038B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202010263663.8
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L23/528 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件可以包括：有源图案，在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开；器件隔离层，限定有源图案；绝缘结构，提供在有源图案之间以及在器件隔离层之间；以及栅极结构，设置在绝缘结构上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构可以包括上部分和下部分。栅极结构的下部分可以被绝缘结构包围。
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公开(公告)号：CN107731907B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201710605564.1
申请日：2017-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区，位于基底上；器件隔离膜，位于基底上以限定有源区；栅极沟槽，包括位于有源区中的第一部分和位于器件隔离膜中的第二部分；栅电极，包括嵌入在栅极沟槽的第一部分中的第一栅极和嵌入在栅极沟槽的第二部分中的第二栅极；第一栅极覆盖图案，位于第一栅极上并填充栅极沟槽的第一部分；第二栅极覆盖图案，位于第二栅极上并填充栅极沟槽的第二部分，第一栅极的上表面高于第二栅极的上表面，第一栅极覆盖图案和第二栅极覆盖图案具有不同的结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109390340A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810901544.3
申请日：2018-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括在第一沟槽中的隔离层和在隔离层上的第一栅电极部分。该半导体存储器件包括在第二沟槽中的第二栅电极部分。在一些实施方式中，第二栅电极部分在一方向上比第一栅电极部分宽。而且，在一些实施方式中，第二沟槽的上部区域比第二沟槽的下部区域在所述方向上与第一沟槽间隔开更大的距离。还提供了形成半导体存储器件的相关方法。
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公开(公告)号：CN105323609B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510463480.X
申请日：2015-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/41 , H04N21/485 , H04N21/422
CPC classification number: H04N13/398 , G09G3/003 , G09G5/00 , G09G5/14 , G09G2320/0261 , G09G2320/0613 , G09G2340/0407 , G09G2340/0464 , G09G2340/14 , G09G2354/00 , H04N13/324 , H04N13/327 , H04N21/44218
Abstract: 提供一种显示装置和控制其屏幕的方法。该方法包括：在显示区域中显示包括数字图像的矩形屏幕，获取用以修改矩形屏幕的形状的信息，以及基于显示区域的水平轴的坐标值和获取的信息修改和显示矩形屏幕的形状。被修改的屏幕的高度随高度更接近该坐标值而减小，并且数字图像随该数字图像更接近该坐标值而在尺寸上缩小，以与该高度对应。
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公开(公告)号：CN108155188A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711245214.5
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10805 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L27/10808 , H01L27/10814
Abstract: 一种半导体存储器件，包括：具有有源区的衬底；延伸跨过所述有源区的字线；在所述字线之间的所述有源区上的位线，所述位线和所述有源区之间的位线节点接触部；以及在所述有源区的端部上的存储节点接触部，其中所述位线节点接触部或所述存储节点接触部中的一个或多个包括硅锗。
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公开(公告)号：CN103367369B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201310103506.0
申请日：2013-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11517
CPC classification number: H01L29/7831 , G11C11/403 , G11C11/40615 , G11C11/4097 , G11C2207/2227 , H01L27/105 , H01L27/115
Abstract: 各半导体存储器件可以包括：写入晶体管，其包括用于控制第一源极/漏极端子的第一写入栅极和用于控制沟道区的第二写入栅极；以及读取晶体管，其包括与所述写入晶体管的第一源极/漏极端子连接的存储节点栅极。所述第一写入栅极可以具有第一功函数，并且所述第二写入栅极可以具有与所述第一功函数不同的第二功函数。所述写入晶体管的第一源极/漏极端子可以不具有PN结。
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公开(公告)号：CN106168951A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610320049.4
申请日：2016-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0482 , G06F3/04817 , G06F3/04845 , G06F3/0485 , G06F3/167 , G06F17/3025 , G06T11/001 , G06F17/30749 , G06F9/451
Abstract: 一种电子装置，包括：被配置为提供UI屏幕(或GUI屏幕)的用户界面(UI)单元；以及处理器，所述处理器被配置为从多个声音内容中的每个声音内容的标识图像中提取主颜色值，并且通过用户界面单元提供UI屏幕，在所述UI屏幕中基于主颜色值按照颜色布置了表示所述多个声音内容的标识图像。相应地，用户可以在不依赖他/她的记忆的情况下，更直观和感性地搜索声音内容，因而提高了用户便利性。
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