公开(公告)号：CN112864288B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202010434777.4

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  姜承镇 ,  尹义埈 ,  黄俊式 ,  金钟明 ,  吴制鸿 ,  刘晶日 ,  李承盿

IPC: H10H20/81 ,  H10H20/82 ,  H10H20/822 ,  H10H20/84 ,  H10H20/853

Abstract: 提供了发光二极管(LED)器件、制造该LED器件的方法和包括该LED器件的显示装置。该LED器件包括具有核‑壳结构的发光层、提供为覆盖第一半导体层的顶表面的一部分的钝化层、提供在发光层上的第一电极以及提供在发光层下方的第二电极。发光层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。第一电极被提供为接触第一半导体层，第二电极被提供为接触第二半导体层。

公开(公告)号：CN119317287A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410919276.3

申请日：2024-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式 ,  宋相勋 ,  朴俊勇

IPC: H10H29/39 ,  H10H29/49 ,  H10H29/32

Abstract: 提供了一种显示装置及制造显示装置的方法。该显示装置包括：显示基板，包括驱动电路；阵列层，提供在显示基板上并且包括多个凹槽；微型半导体芯片，提供在所述多个凹槽中的凹槽中；第二电极，从显示基板的下表面连接到第一类型半导体层；第一布线，连接到第一电极；以及第二布线，连接到第二电极，微型半导体芯片包括：第一类型半导体层；有源层，提供在第一类型半导体层上；第二类型半导体层，提供在有源层上；第一电极，提供在第二类型半导体层上。

公开(公告)号：CN118693123A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410323862.1

申请日：2024-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式 ,  金鹤烈 ,  朴宰旭 ,  宋相勋 ,  申定賱 ,  李勤植 ,  李恩暻

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/62

Abstract: 本公开提供一种显示装置以及制造该显示装置的方法。显示装置包括：显示基板，在其中包括多条布线；第一焊盘，提供在显示基板上并连接到所述多条布线中的第一布线；第二焊盘，提供在显示基板上、与第一焊盘间隔开并连接到所述多条布线中的第二布线；以及微型半导体芯片，包括第一电极、提供在第一电极上的p型半导体层、提供在p型半导体层上的有源层、提供在有源层上的n型半导体层以及提供在n型半导体层上的第二电极，其中微型半导体芯片具有垂直电极结构，第一电极连接到第一焊盘，第二电极连接到第二焊盘。

公开(公告)号：CN118335666A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410039972.5

申请日：2024-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  吴映泽 ,  金东均 ,  黄俊式 ,  刘珉哲

IPC: H01L21/677 ,  H01L33/00

Abstract: 提供用于转移微半导体芯片的刮器、装置和方法以及用于收集微半导体芯片的装置和方法，其中所述刮器包括用于吸收用于湿式转移微半导体芯片的液体的吸收体和涂覆在所述吸收体上的保护层。

公开(公告)号：CN118053960A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311517398.1

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊勇 ,  金东均 ,  金东湖 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L33/44 ,  H01L25/16 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48

Abstract: 提供了多重微型发光器件、显示装置、制造多重微型发光器件的方法以及制造显示装置的方法。多重微型发光器件包括：多个子发光器件；多个第一电极，每个第一电极配置为向所述多个子发光器件之一施加电压；配置为向所述多个子发光器件施加公共电压的第二电极；以及配置为将所述多个子发光器件彼此分隔的分隔件，并且所述多个子发光器件配置为单个芯片。

公开(公告)号：CN117672945A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202310814503.1

申请日：2023-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊勇 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  洪硕佑 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开涉及一种微型半导体芯片的巨量转移方法和巨量转移设备。该巨量转移多个微型半导体芯片的方法包括：将多个第一微型半导体芯片巨量转移到第一基板上，使得它们设置在第一基板的多个第一凹槽中；确定是否存在空的第一凹槽；以及将第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中，其中该定位可以包括将多个第二微型半导体芯片转移到与第一基板分开的第二基板上；以及利用静电力或电磁力从第二基板吸附第二微型半导体芯片并将吸附的第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中。

公开(公告)号：CN117352619A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310762544.0

申请日：2023-06-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金东湖 ,  张镐元 ,  黄京旭 ,  黄俊式 ,  朴昭贤 ,  吴制鸿 ,  刘晶日

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/42 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明公开了一种发光器件和包括该发光器件的显示装置。该发光器件可以包括多个发光棒。所述多个发光棒中的每个可以包括具有棒形状的第一半导体层、设置在第一半导体层的多个表面周围的具有壳形状的有源层、以及设置在有源层的多个表面周围的具有壳形状的第二半导体层。发光器件可以进一步包括：绝缘层，设置在所述多个发光棒之间的空间中；透明电极，电连接到所述多个发光棒中的每个的第一半导体层；以及反射电极，电连接到所述多个发光棒中的每个的第二半导体层。

公开(公告)号：CN117352601A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310450252.3

申请日：2023-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉埈 ,  黄京旭 ,  金东均 ,  金东湖 ,  朴俊勇 ,  刘珉哲 ,  洪硕佑 ,  黄俊式

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/67

Abstract: 一种芯片湿式转移装置，包括被配置为将大量微型半导体芯片施加给转移基板的第一芯片施加模块、被配置为将大量微型半导体芯片排列在多个凹槽中的第一芯片排列模块、被配置为施加少量微型半导体芯片的第二芯片施加模块、以及被配置为排列少量微型半导体芯片的第二芯片排列模块。

公开(公告)号：CN116053376A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202210812814.X

申请日：2022-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄俊式 ,  黄京旭 ,  洪硕佑

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/36 ,  H01L25/16 ,  G09F9/33

Abstract: 本公开涉及一种微型发光器件和包括其的显示装置。该微型发光器件包括：掺有具有第一导电类型的第一杂质的第一半导体层；布置在第一半导体层的上表面上的发光层；布置在发光层的上表面上并掺有具有与第一导电类型电相反的第二导电类型的第二杂质的第二半导体层；布置在第二半导体层的上表面上的绝缘层；布置在绝缘层的上表面上并电连接到第一半导体层的第一电极；布置在绝缘层的上表面上并电连接到第二半导体层的第二电极；以及布置在第一半导体层的下表面上并具有平坦表面的铝氮化物层。

公开(公告)号：CN116031342A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210895487.9

申请日：2022-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉埈 ,  洪硕佑 ,  黄京旭 ,  金东均 ,  朴俊勇 ,  黄俊式

IPC: H01L33/38 ,  H01L25/16

Abstract: 提供了一种发光器件、包括该发光器件的显示装置以及制造该发光器件的方法。该发光器件包括：发光单元，包括布置在上表面上以彼此分开的第一电极和第二电极；延伸层，发光单元嵌入在该延伸层中并且该延伸层具有比发光单元的宽度大的宽度；以及第一电极焊盘和第二电极焊盘，第一电极焊盘和第二电极焊盘布置在延伸层的上表面上以彼此分开并且分别电连接到第一电极和第二电极。