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公开(公告)号：CN101022009B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200610159511.3
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/3967
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录头及其制造方法。该垂直磁记录头在垂直磁记录介质上记录信息或从其读取信息。该垂直磁记录头包括线圈、主极和返回极。线圈用作产生磁场的源。主极和返回极构成该磁场的磁路径。主极包括面对该垂直磁记录介质的末端。该末端包括相对于该垂直磁记录介质的移动方向用作前侧的前导部和用作后侧的尾部。该尾部的两个边缘被切，该前导部具有相对于ABS倾斜的平面。返回极具有与该主极间隔开的末端和与该主极连接的另一端。
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公开(公告)号：CN100583245C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710008044.9
申请日：2007-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B9/02 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种电场读/写头及其制造方法、以及包括该电场读/写头的数据读/写装置。该数据读/写装置包括用于写数据在记录介质上且从其读数据的电场读/写头。该电场读/写头包括半导体基板、电阻区域、源极和漏极区域、以及写电极。该半导体基板包括具有邻接边缘的第一表面和第二表面。该电阻区域形成为从位于该第一表面一端的中心部分向该第二表面延伸。该源极区域和该漏极区域形成在该电阻区域两侧并与该第一表面分隔开。该写电极形成在该电阻区域上，绝缘层置于该写电极与该电阻区域之间。该数据读/写装置通过硬盘驱动器(HDD)驱动系统进行驱动。
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公开(公告)号：CN100573707C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610121657.9
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种利用磁畴牵引的磁存储器件。该磁存储器件包括：存储区域、输入部件和检测部件。所述存储区域包括具有毗邻的分区和磁畴壁的自由层、形成为与所述分区对应且具有固定的磁化方向的被钉扎层、以及形成在所述自由层与所述被钉扎层之间的非磁层。所述存储区域包括用于使所述磁畴壁停止的磁畴壁截止器，其形成在所述分区的各边界处。所述输入部件电连接到所述自由层的一端从而输入用于磁畴牵引的牵引信号。所述检测部件测量流过所述存储区域的电流。
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公开(公告)号：CN100530361C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610101511.8
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直磁记录媒质。所述垂直磁记录媒质包括：下部结构；以及形成于所述下部结构上的记录层，其中，所述记录层具有0.5或更低的平衡力2πMr2/K1以及0.8或更低的因子4πMr/Hc，其中，Mr表示残余磁化强度，K1表示垂直磁各向异性能量常数，Hc表示矫顽力。因此，即使构成记录层的晶粒之间的晶粒边界在宽度上有些不均匀，所述晶粒也能够具有几乎相同的成核场。因此，所述垂直磁记录媒质能够确保高记录密度和所记录信息的稳定性。
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公开(公告)号：CN100472607C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610057582.2
申请日：2006-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/66 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录头和一种使用该垂直磁记录头来记录数据的记录介质。该垂直磁记录头包括：主极，其下端具有预定的宽度t1；返回极，其上端与主极连接，而其下端与主极的下端隔开预定的间隙g1；子轭，其下端从主极的下端在向上的方向上凹进预定的深度d1；线圈，缠绕在主极和子轭的周围；磁屏蔽层；读取器件，位于磁屏蔽层之间，其中，凹进深度d1与宽度t1之比(d1/t1)小于或等于6。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100447860C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200610058382.9
申请日：2006-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3163
Abstract: 本发明提供了一种磁性记录头及其制造方法。该磁性记录头具有包括主磁极和返回磁极的堆叠结构。该堆叠结构包括：第一绝缘层，在一个表面上具有阶梯部分；第一磁性部分，具有接触阶梯部分的阶梯竖直部分的垂直薄膜的形状；第二磁性层，设置成与第一磁性部分绝缘。制造该磁性记录头的方法包括：形成在一个表面上具有阶梯部分的第一绝缘层；沿着阶梯部分在第一绝缘层上形成磁性薄膜；通过在预定的时间段内刻蚀磁性薄膜直到仅留下磁性薄膜的接触阶梯部分的阶梯竖直部分的垂直薄膜部分为止，形成主磁极。
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公开(公告)号：CN101114693A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610168680.3
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/14 , G11C19/0841 , Y10S977/933
Abstract: 本发明提供一种使用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁。该半导体器件的磁线不需要额外的切口，因为该磁线包括磁畴壁，其移动距离通过脉冲场或脉冲电流来控制。
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公开(公告)号：CN101030592A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610135956.8
申请日：2006-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/22 , H01L23/522 , G11C11/02
CPC classification number: G11C11/14 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供一种磁存储器件，其能够利用金属线读和写信息。该磁存储器件包括：多个第一金属线，在衬底上彼此平行布置并具有磁化方向可转换的连续磁畴；多个第二金属线，垂直交叉该第一金属线地布置在该衬底上并具有该第一金属线从其通过的隧道；第一输入单元，连接到该第一金属线并提供电流来拖动该磁畴；第二输入单元，连接到该第二金属线并应用电流来转换该隧道内该磁畴的磁化方向；及检测单元，连接到该第二金属线并检测由通过该隧道的磁畴壁引起的电动势。因此，该磁存储器件可以通过在衬底上交叉金属线而简单地制造，并能通过根据感应电动势的存在识别位信息而准确地读和写信息。
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公开(公告)号：CN1912995A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114943.2
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3146
Abstract: 本发明提供了垂直磁记录头以及制造其的方法。该垂直磁头用于包括记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁头在所述记录层上方沿道的方向移动、在所述记录层上记录信息、以及从所述记录层上读所述信息，所述垂直磁头包括：主极；返回极，其末端与所述主极在空气轴承表面(ABS)分隔开；以及多个屏蔽件，其围绕所述主极并且具有分离结构。
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公开(公告)号：CN1838242A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610058382.9
申请日：2006-03-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3163
Abstract: 本发明提供了一种磁性记录头及其制造方法。该磁性记录头具有包括主磁极和返回磁极的堆叠结构。该堆叠结构包括：第一绝缘层，在一个表面上具有阶梯部分；第一磁性部分，具有接触阶梯部分的阶梯竖直部分的垂直薄膜的形状；第二磁性层，设置成与第一磁性部分绝缘。制造该磁性记录头的方法包括：形成在一个表面上具有阶梯部分的第一绝缘层；沿着阶梯部分在第一绝缘层上形成磁性薄膜；通过在预定的时间段内刻蚀磁性薄膜直到仅留下磁性薄膜的接触阶梯部分的阶梯竖直部分的垂直薄膜部分为止，形成主磁极。
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