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公开(公告)号：CN102065247B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201010525974.3
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。
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公开(公告)号：CN101714870B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200910175707.5
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。
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公开(公告)号：CN101246909B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200810074302.8
申请日：2008-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78609
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管(TFT)可以包括沟道层、源电极、漏电极、保护层、栅电极、和/或栅极绝缘层。沟道层可以包括氧化物半导体材料。源电极和漏电极可以在沟道层上方相互面对。保护层可以在源电极和漏电极下面和/或可以覆盖沟道层。栅电极可以配置为向沟道层施加电场。栅极绝缘层可以夹置在栅电极和沟道层之间。
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公开(公告)号：CN101304046B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810127791.9
申请日：2008-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。具体而言，薄膜晶体管可以包括：栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在栅绝缘层上的沟道层；以及接触沟道层的源和漏电极。沟道层可以具有包含上层和下层的双层结构。上层可以具有比下层低的载流子浓度。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成沟道层；在衬底上形成源和漏电极；在衬底上形成栅绝缘层；以及在沟道层上方的栅绝缘层上形成栅电极。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成栅电极；在衬底上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成沟道层；以及在栅绝缘层上形成源和漏电极。
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公开(公告)号：CN102544032A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110167180.9
申请日：2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14676 , H01L23/481 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L27/14661 , H01L27/1469 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/13 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227
Abstract: 本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102067319A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980119801.7
申请日：2009-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78693
Abstract: 提供一种氧化物半导体及包含该氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体包含Zn、In及Hf，在Zn、In及Hf原子的总数量中，Hf原子数量的组成比为2～16at％。
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公开(公告)号：CN102065247A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010525974.3
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。
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公开(公告)号：CN101714404A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910204905.X
申请日：2009-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40 , H01L27/24 , H01L29/786 , G11C11/4195
CPC classification number: G11C13/00 , G11C5/02 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/0688 , H01L27/1021 , H01L27/1052 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物薄膜晶体管的多层存储设备。所述多层存储设备包括有源电路单元和有源电路单元上形成的存储部件。行线和列线形成在存储层上。选择晶体管形成在行线和列线的侧端。
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公开(公告)号：CN101527318A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810179474.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。
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公开(公告)号：CN101304046A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810127791.9
申请日：2008-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。具体而言，薄膜晶体管可以包括：栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在栅绝缘层上的沟道层；以及接触沟道层的源和漏电极。沟道层可以具有包含上层和下层的双层结构。上层可以具有比下层低的载流子浓度。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成沟道层；在衬底上形成源和漏电极；在衬底上形成栅绝缘层；以及在沟道层上方的栅绝缘层上形成栅电极。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成栅电极；在衬底上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成沟道层；以及在栅绝缘层上形成源和漏电极。
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