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公开(公告)号：CN105047715B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201510219477.3
申请日：2015-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：第一多沟道有源图案，由场绝缘层限定并沿着第一方向延伸，第一多沟道有源图案包括第一部分以及在第一部分两侧的第二部分，第一部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出的顶表面，第二部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出并在向上方向上比第一部分的顶表面突出得少的顶表面，第二部分具有连续轮廓的侧壁；栅电极，在第一多沟道有源图案的第一部分上，该栅电极沿着不同于第一方向的第二方向延伸；以及第一源/漏区，在第一多沟道有源图案的第二部分上并接触场绝缘层。
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公开(公告)号：CN110416304A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910052730.9
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍式图案，在基底上沿第一方向延伸；场绝缘层，位于基底上，场绝缘层包围鳍式图案的侧壁；栅电极，位于鳍式图案上，栅电极在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一分隔件，位于栅电极的下部的侧壁上；以及蚀刻停止层，沿栅电极的上部的侧壁和上表面延伸，沿第一分隔件的侧壁延伸，并且沿场绝缘层的上表面延伸。
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公开(公告)号：CN108242425A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711191152.4
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L29/0649
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括分别从衬底的第一区域和第二区域凸出的第一鳍型有源区和第二鳍型有源区、第一栅线和第二栅线、以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一鳍型有源区具有第一顶表面，第一凹陷具有从第一顶表面起的第一深度。第一源极/漏极区填充第一凹陷并具有第一宽度。第二鳍型有源区具有第二顶表面，第二凹陷具有从第二顶表面起的第二深度。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区填充第二凹陷并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。
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公开(公告)号：CN105047715A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510219477.3
申请日：2015-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：第一多沟道有源图案，由场绝缘层限定并沿着第一方向延伸，第一多沟道有源图案包括第一部分以及在第一部分两侧的第二部分，第一部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出的顶表面，第二部分具有在向上方向上比场绝缘层的顶表面进一步突出并在向上方向上比第一部分的顶表面突出得少的顶表面，第二部分具有连续轮廓的侧壁；栅电极，在第一多沟道有源图案的第一部分上，该栅电极沿着不同于第一方向的第二方向延伸；以及第一源/漏区，在第一多沟道有源图案的第二部分上并接触场绝缘层。
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公开(公告)号：CN105006483A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510194427.4
申请日：2015-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸；第一栅极结构，其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；第二栅极结构，其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构，并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸；以及伪结构，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。
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