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公开(公告)号：CN102569398A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110230441.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。
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公开(公告)号：CN102467455A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110338409.0
申请日：2011-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F3/0616 , G06F3/0652 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F2212/7205
Abstract: 本申请提供一种数据存储设备的数据管理方法，该数据存储设备具有不同于用户设备的数据管理单位的数据管理单位，该方法包括：从所述用户设备接收关于将被删除的文件的存储区域的信息，从所述被删除文件的存储区域当中选择与所述数据存储设备的数据管理单位匹配的存储区域，以及对所选择的与所述数据管理单位匹配的存储区域执行擦除操作。
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公开(公告)号：CN102285660A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110164676.0
申请日：2011-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B35/00 , H01L29/167
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。
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公开(公告)号：CN102087879A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010576815.6
申请日：2010-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: H01R13/44 , G06F1/16 , G06F1/185 , G06K19/07732 , G06K19/07743 , G11C5/05 , G11C16/06 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15174 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种存储卡和电子装置。该存储卡包括用于与外部电子装置电连接的互连端子。互连端子可以与存储卡的前面隔开一距离，该距离大于互连端子的长度。备选地，存储卡可以在其前面与之前的互连端子之间包括其它互连端子。之前的互连端子和之后的互连端子可以用于与不同类型的电子装置电连接。
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公开(公告)号：CN101409330A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810136064.9
申请日：2008-07-11
Abstract: 一种顶发射型白光有机发光器件(OLED)具有高分辨率和宽色阶，以及一种使用该白光OLED的彩色显示设备。该白光OLED包括衬底；形成在衬底上的反射电极；形成在反射电极上的有机发光层；以及形成在有机发光层上的半透明电极；并且在该白光OLED中，通过反射电极与半透明电极之间的光学厚度确定的谐振模式的波长比有机发光层中产生的白光谱的可见光区域中的最短波长更短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101325088A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810110171.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法，所述操作方法为可靠地操作可高度集成的非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括在位线和共源线之间的串选择晶体管、多个存储晶体管和地选择晶体管。在非易失性存储装置中，可以通过将擦除电压施加到位线或共源线来从存储晶体管擦除数据。
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公开(公告)号：CN100421271C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510076219.0
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L33/38 , H01L51/0038 , H01L51/502 , H01L51/5032 , H01L2251/303
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝发光器件包括形成在衬底上的第一导电层、垂直形成在第一导电层上的多个纳米丝，每一纳米丝具有n型掺杂部分和p型掺杂部分、在n型掺杂部分或p型掺杂部分之间的发光层、填充在分别对应于p型掺杂部分和n型掺杂部分的空间的第一和第二导电有机聚合物，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过向对应的纳米丝表面提供电子或从其接受电子，有机聚和物将对应的纳米丝表面掺杂。
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公开(公告)号：CN111477655B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202010076469.9
申请日：2020-01-23
IPC: H10K59/122 , H10K59/38 , H10K59/80
Abstract: 提供一种具有高的光效率和色纯度的显示装置。该显示装置包括：第一电极；像素限定层，设置在第一电极上并具有开口；有机发射层，设置在像素限定层上，该有机发射层通过该开口与第一电极电连通；第二电极，设置在有机发射层上；光回收层，设置在第二电极上；以及滤色器层，设置在光回收层上并包括量子点，其中滤色器层与有机发射层完全重叠，并且有机发射层的宽度方向长度比滤色器层的宽度方向长度长。
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公开(公告)号：CN110563767B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201811561380.0
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，基团和变量与在说明书中描述的相同。式1
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公开(公告)号：CN116669453A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310187171.9
申请日：2023-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/11 , H10K101/30
Abstract: 提供发光器件、包括所述发光器件的电子设备、和混合物，所述发光器件包括：第一电极；第二电极；以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中所述中间层包括由式1表示的第一化合物、不含电子传输基团的第二化合物、和由式7表示的第三化合物，所述第二化合物不包括吲哚并咔唑基团，并且所述第二化合物和所述第三化合物彼此不同。此外，提供混合物，其包括所述第一化合物、所述第二化合物、和所述第三化合物。所述第一化合物、所述第二化合物、和所述第三化合物分别与本说明书中描述的那些相同。式1M(L1)n1(L2)n2式7
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