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公开(公告)号：CN1234907C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN03103568.X
申请日：2003-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/30
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45553
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物薄膜的制备方法，其中通过第一反应物和第二反应物之间的化学反应产生的金属氧化物以薄膜形式沉积在基底的表面上。该方法包括将含有金属-有机化合物的第一反应物引入包括基底的反应室；以及引入含醇的第二反应物。由于将不含氧残基的醇蒸汽作为反应气用于薄膜沉积，基底或沉积层的直接氧化被沉积过程中的反应气抑制。并且，因为薄膜通过热分解作用沉积(所述热分解是由醇蒸汽和前体之间的化学反应而引起的)，沉积速率很快。特别是当使用带有β-二酮配体的金属-有机化合物作为前体时，沉积速率也很快。此外，因为使用化学蒸汽沉积或原子层沉积方法使得薄膜以超微结构生长，因此得到的薄膜漏电流低。
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公开(公告)号：CN1441496A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02147162.2
申请日：2002-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/3141 , H01L21/321 , H01L27/0629 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件用电容器、其制造方法及采用它的电子器件。该电容器包括上部电极和下部电极，每个电极由铂族金属形成；设置在上部电极和下部电极之间的薄介电层；以及设置在下部电极和薄介电层之间的缓冲层，该缓冲层包括第3、4或13族的金属氧化物。
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公开(公告)号：CN1384221A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02121850.1
申请日：2002-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/308 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/45531 , C23C16/45542
Abstract: 本发明提供一种包括多种组分的薄膜及形成该薄膜的方法。基底装入反应室中。单位材料层形成在基底上。该单位材料层为镶嵌的原子层(MAL),由两种含有构成薄膜组分的前导粒子组成。清洗反应室的内部。通过化学方法改变MAL。
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公开(公告)号：CN113054100B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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公开(公告)号：CN113054100A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011549772.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括包含第一金属氧化物材料的第一层和在第一层上的第二层，且第二层包括第二金属氧化物材料。第二金属氧化物材料具有与第一金属氧化物材料的金属化合价不同的金属化合价。第一导电元件和第二导电元件在可变电阻层上并且彼此分开以在可变电阻层中在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112309472A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010348380.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件包括具有垂直堆叠结构的存储单元阵列、用于将编程电压施加到存储单元阵列的位线以及控制逻辑。存储单元阵列包括存储单元，每个存储单元包括半导体层的对应部分和电阻层的对应部分。存储单元包括未被选择的存储单元、补偿存储单元和被选择的存储单元。控制逻辑被配置为基于将第一电压施加到补偿存储单元、将第二电压施加到被选择的存储单元以及将第三电压施加到未被选择的存储单元，将调节后的编程电压施加到被选择的存储单元。由于补偿存储单元，与编程电压相比，调节后的编程电压可以下降。
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公开(公告)号：CN105280264A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510277947.1
申请日：2015-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01B1/02
CPC classification number: C01B19/002 , B22F5/006 , B22F2001/0033 , C01P2002/20 , C01P2002/70 , C01P2002/76 , C01P2002/90 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C03C17/22 , C03C2217/289 , C22C28/00 , C22C30/00 , C30B29/46 , H01B1/06 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L31/022466
Abstract: 本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。
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公开(公告)号：CN101751989B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN200910246683.8
申请日：2009-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0841 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置及操作该装置的方法。所述信息存储装置包括磁轨和操作单元。磁轨包括通过磁畴壁分离的多个磁畴。操作单元的大小能够覆盖至少两个相邻磁畴。并且，操作单元被配置为可向磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区写入信息/从磁轨的单个磁畴区以及多个磁畴区读取信息。
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公开(公告)号：CN101964440B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010194822.X
申请日：2010-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03B15/006 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种振荡器及其操作方法。该振荡器利用磁畴壁的磁矩的进动来产生信号。振荡器包括具有磁畴壁的自由层和对应于磁畴壁的固定层。非磁性分隔层插置在自由层和固定层之间。
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公开(公告)号：CN104103675A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310520285.7
申请日：2013-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L29/205 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/20 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/02543 , H01L21/02546
Abstract: 本发明提供了一种衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件。该衬底结构包括：衬底；成核层，形成在衬底上并且包括具有与衬底的晶格常数相差小于1%的晶格常数的III-V族化合物半导体材料；以及缓冲层，形成在成核层上并且包括第一层和第二层，其中，第一层和第二层包括具有比成核层的晶格常数大4%或更大的晶格常数的III-V族化合物半导体材料。
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