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公开(公告)号：CN117936580A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311350373.7
申请日：2023-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个沟道层，在有源图案上在竖直方向上彼此间隔开，并且包括下沟道层和上沟道层；中间绝缘层，在最上面的下沟道层与最下面的上沟道层之间；栅极结构，与有源图案相交，围绕多个沟道层，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；下源/漏区，在栅极结构的第一侧上并且连接到下沟道层；阻挡结构，在栅极结构的第二侧上并且连接到下沟道层；以及上源/漏区，在栅极结构的至少一侧上。
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公开(公告)号：CN117374077A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310763140.3
申请日：2023-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L23/538
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源区域，在基底上；沟道层，在有源区域上且彼此间隔开，并且包括下沟道层和上沟道层；中间绝缘层，最上面的下沟道层与最下面的上沟道层之间；栅极，与有源区域交叉，并且包括围绕下沟道层的下栅电极和围绕上沟道层的上栅电极；绝缘图案，在中间绝缘层的一侧上位于上栅电极与下栅电极之间；源/漏区，在栅极的至少一侧上，并且包括连接到下沟道层的下源/漏区和连接到上沟道层的上源/漏区；以及接触插塞，包括连接到下源/漏区的水平延伸部和连接到水平延伸部的竖直延伸部。
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公开(公告)号：CN116913964A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310323704.1
申请日：2023-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/088 , H01L29/423
Abstract: 可以提供一种半导体器件，包括：下图案，在第一方向上延伸；栅电极，在下图案上并在第二方向上延伸；下沟道图案，在下图案上并包括至少一个下片状图案；以及上沟道图案，在下沟道图案上并包括至少一个上片状图案，其中，上沟道图案在第三方向上与下沟道图案间隔开，栅电极包括下片状图案穿过的下栅电极和上片状图案穿过的上栅电极，下栅电极包括限定沟槽的下导电衬层和填充沟槽的下填充层，并且上栅电极的整个底表面高于下栅电极的上表面。
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公开(公告)号：CN116110904A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210897334.8
申请日：2022-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种三维(3D)半导体装置，所述3D半导体装置可以包括：第一有源区域，位于基底上，第一有源区域包括下沟道图案以及分别位于下沟道图案的相对的侧表面上的一对下源极/漏极图案；第二有源区域，堆叠在第一有源区域上，第二有源区域包括上沟道图案以及分别位于上沟道图案的相对的侧表面上的一对上源极/漏极图案；虚设沟道图案，位于下沟道图案与上沟道图案之间；一对衬层，分别位于虚设沟道图案的相对的侧表面上；以及栅电极，位于下沟道图案、虚设沟道图案和上沟道图案上。栅电极可以包括位于下沟道图案上的下栅电极和位于上沟道图案上的上栅电极。
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公开(公告)号：CN115706154A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210484588.7
申请日：2022-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上沿第一方向延伸；第一下部源极/漏极图案和第二下部源极/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；第一上部源极/漏极图案，设置在第一下部源极/漏极图案上；第二上部源极/漏极图案，设置在第二下部源极/漏极图案上；以及栅电极，与有源图案交叉，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅电极包括在第三方向上与有源图案重叠的重叠部分，第三方向垂直于第一方向和第二方向。所述重叠部分在第二方向上的长度小于第一下部源极/漏极图案在第二方向上的长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115566049A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210506337.4
申请日：2022-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，在衬底上；多个源/漏图案，在有源图案上沿第一方向布置；第一沟道结构，在源/漏图案中的一对源/漏图案之间；第二沟道结构，在源/漏图案中的另一对源/漏图案之间；第一栅电极，与第一沟道结构相交并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸；以及第二栅电极，与第二沟道结构相交并且在第二方向上延伸。第一栅电极包括在第一沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一部分，并且第二栅电极包括在第二沟道结构的底表面与有源图案的顶表面之间的第一部分。第二栅电极的第一部分的厚度大于第一栅电极的第一部分的厚度。
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公开(公告)号：CN100403427C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN03158417.9
申请日：2003-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B15/06
CPC classification number: G11B15/08 , G11B25/063 , G11B33/02 , Y10T29/49002
Abstract: 一种为磁带记录器设置的、用于磁带端头检测传感器的供电装置。该供电装置包括：卷轴盖，设置在副构架上，且在其上安装有磁带端头检测传感器，用于检测磁带上磁性部分末端的通过；第一输电构件，安装在卷轴盖上，并具有与检测传感器相连的第一接触部分；第二输电构件，设置在副构架上，并具有第二接触部分，当卷轴盖被安装到副构架上时，第二接触部分与第一接触部分发生接触。供电装置还包括弹性加压构件，该构件与副构架一体制成，用于将第二接触部分弹性地压向第一接触部分，以增大第一、第二接触部分之间的接触力。因而，无需采用单独的弹性加压构件就可提高第一、第二接触部分之间的接触力，从而能减少制造步骤，并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN1501380A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03158880.8
申请日：2003-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B15/60
CPC classification number: G11B15/61 , G11B15/6656 , G11B25/063
Abstract: 一种用于磁记录/重放设备的走带机构，包括：设有磁头鼓和主导轴电机的主走带装置；安装在主走带装置上将被加载/卸载的副走带装置，副走带装置设有一对带盘板，磁带盒的带盘设置在所述带盘板上；导柱底座加载单元，用于在副走带装置被加载和进行引导时取出磁带和引导磁带与磁头鼓的侧面接触；压带轮单元，用于在加载副走带装置时靠着主导轴电机的轴压磁带；制动单元，用于有选择地制动带盘板中的一个带盘板；安装在主走带装置上能往复滑动的主滑动件，主滑动件控制压带轮单元的驱动；以及安装在主走带装置上能旋转的主凸轮轴齿轮，主凸轮轴齿轮在被旋转驱动的同时使副走带装置、导柱底座加载单元、制动单元以及主滑动件实施联动运动。
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公开(公告)号：CN1497540A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101062.3
申请日：2003-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/53
Abstract: 一种用于诸如数字摄像机之类的小型便携式摄像录音一体机的磁头鼓组件，包括：磁鼓罩、静止鼓、转动鼓、辅助电路板、静止变送器、转动变送器、电机定子和电机转子。由于所形成的磁鼓罩连接在位于转动鼓上部的转动鼓的轴上，该磁鼓罩由诸如铝合金之类的导电材料制成，不再需要用于磁头鼓组件的绝缘磁鼓罩的导电刷部件和接地板，因此整体结构简单。由于减少了部件的数量和制作步骤，因此降低了制作成本，提高了生产率。
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公开(公告)号：CN1080918C
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN95120592.7
申请日：1995-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔道永
IPC: G11B15/665
CPC classification number: G11B15/6656
Abstract: 一种磁带录放机的上带装置，包括一对第一连杆，以预定的支点为中心可转动地安装在第一底盘上，且可移动地连接到第二底盘上；一弹性件，它在第一连杆某预定的转动位置上向该第一连杆施加一反作用力；以及一对第二连杆，它通过将第一连杆与穿带臂分别相联，而根据第一连杆的转动为穿带臂提供移动力。该上带装置减少了所需零件的数目及运动力的损失，装带时间短，且零件不会发生由于压带反作用力造成的变形和精度降低。
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