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公开(公告)号：CN107039409A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611020170.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/50 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05552 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/4846 , H01L2224/4847 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014 , H01L2924/1427 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/85399 , H01L25/072 , H01L23/481
Abstract: 涉及一种包括多个电势面的功率电子开关器件。提出了一种功率电子开关器件，该功率电子开关器件形成有基板，该基板具有多个电势面，其中至少两个不同的电势分别被分配给所述电势面中的至少一个，其中在由第一电势的至少一个电势面形成的第一导体轨道上，多个半导体部件以n×m矩阵在x‑y方向上定向地布置，所述多个半导体部件相互并联连接并且形成电流阀。在这种情况下，半导体部件能够分布在第一电势的多个电势面之间，所述第一电势的多个电势面形成第一导体轨道。
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公开(公告)号：CN103874400B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201310680734.4
申请日：2013-12-12
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 托马斯·弗兰克 , 伯恩哈特·卡尔克曼 , 利亚内·米勒-施密特 , 斯文·托伊贝尔
CPC classification number: H05K7/2039 , H01F27/06 , H01F27/22
Abstract: 本发明涉及一种具有冷却器的功率器件设备，该冷却器具有凹部，其中，该凹部具有底面和第一侧面，其中，该凹部的第一侧面相对底面具有小于90°的角，其中，该功率器件设备具有带支承元件的第一无源电气器件，其中，朝向凹部第一侧面的支承元件第一侧面相对底面具有的角等于凹部第一侧面相对底面的角，其中，压力传递元件具有背离支承元件第一侧面的第一压力传递元件侧面，其中，底面相对第一压力传递元件侧面具有小于90°的角，其中，压力生成装置向第一压力传递元件侧面上施加力，以使得通过压力传递元件将支承元件压靠凹部第一侧面。本发明提出能匹配不同的无源电气器件的功率器件设备，在该功率器件设备中保证各个无源电气器件的良好的冷却。
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公开(公告)号：CN106469611A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610686091.8
申请日：2016-08-18
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有电容器装置的功率电子组件，其构造有壳体和布置在壳体内的电容器装置，壳体具有布置在内部的散热面，其被构造成用于借助集成在壳体内的或者外部的散热装置进行散热，电容器装置具有电容器和电容器母线，电容器分别具有第一和第二极性的接触装置。该电容器母线具有面式的第一金属成形体和面式的第二金属成形体，面式的第一金属成形体与第一极性的第一接触装置导电连接，而面式的第二金属成形体与第二极性的第二接触装置导电连接。此外，第一金属成形体的第一部段具有第一子部段和第二子部段，第一子部段平行于散热面且与散热面间隔开地布置，而第二子部段与散热面处于热接触中，其中，两个子部段通过中间部段相互连接。
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公开(公告)号：CN106340493A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610533487.9
申请日：2016-07-07
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： C·沃尔特
Abstract: 功率电子模块设计成具有基板，该基板具有电路载体，该电路载体布置在所述基板上并具有与基板电绝缘的多个导体轨道，其中功率半导体组件布置在这些导体轨道中的一个上，并且该功率电子模块具有负载连接元件。在这种情况下，基板具有连续的第一凹部，以及电路载体具有连续的第二凹部，其中第一凹部和第二凹部布置成彼此对准。负载连接元件具有：第一接触装置，其与导体轨道的相反于所述基板的一侧的接触区域处于导电接触；第二接触装置，其适于从外部与电路载体进行接触；和连接部，其在第一接触装置和第二接触装置之间延伸通过第一凹部和第二凹部。
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公开(公告)号：CN102404262B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201110222003.6
申请日：2011-07-29
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 马库斯·霍夫迈尔
IPC: H04L25/03
CPC classification number: H03K17/18 , H03K17/689 , H03K2017/0806 , H04L25/4902
Abstract: 用于运行功率半导体的驱动器的PWM输出端的方法，用来在功率半导体的驱动器(2)的PWM输出端(4)输出模拟值(A)，在该方法中：-将模拟值(A)转换为固定PWM频率(fP)的具有两个信号电平(Hi、Lo)的PWM信号(6)，并且-在二进制附加值(F)的非激活状态(0)下：-在PWM输出端(4)输出PWM信号(6)，或者-在附加值(F)的激活值(1)下：-在PWM输出端(4)一起输出PWM信号(6)和附加信号(18)，其中，作为附加信号(18)，以大于PWM频率(fP)的信号频率(fS)将PWM信号(6)当前的信号电平(Hi、Lo)与各自另一信号电平(Lo、Hi)交替输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105099252A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510242483.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H02M7/5387
CPC classification number: H01L23/49562 , H01L23/04 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H05K7/1432 , H05K7/20927 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体装置，其布置在基底上的且与基底连接的功率半导体元件，功率半导体装置具有壳体部件，该壳体部件具有带有凹部的壳体壁，为了功率半导体装置的电接触，功率半导体装置具有第一负载连接元件，第一负载连接元件具有布置在壳体部件外部的第一外部连接区段和布置在壳体部件内部的第一内部连接区段，在壳体壁中以防旋转且能沿X方向运动的方式布置有配设有内螺纹的沿X方向延伸的第一衬套，第一外部连接区段与第一衬套对齐地具有凹部，第一负载连接元件具有布置在壳体壁的凹部的区域中的第一保持元件，第一保持元件嵌接到壳体壁的垂直于X方向延伸的第一槽中。
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公开(公告)号：CN105099243A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510230629.X
申请日：2015-05-08
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： K·阿达
IPC: H02M7/483
CPC classification number: H02M7/487 , H02M7/537 , H02M7/5388
Abstract: 本发明涉及一种电路布置，其包括电气上并联连接的第一和第二电路支路，且该电路布置包括正电位电压连接、负电位电压连接、中性连接以及第一和第二交流电压连接，其中第一电路支路具有可控的第一、第二和第六电阀以及第三、第四和第五二极管，其中第二电路支路具有可控的第三、第四和第五电阀以及第一、第二和第六二极管。在本发明中，功率半导体开关与第一电流支路中的以本领域内常规的方式提供的二极管背对背并联连接，以形成所述第六电阀，并且功率半导体开关与第二电流支路中的以本领域内常规的方式提供的二极管背对背并联连接，以形成所述第五电阀。本发明提供适于多电平功率变换器的电路布置，其具有降低的功率损耗。
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公开(公告)号：CN102263068B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110147071.0
申请日：2011-05-27
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/492 , H01L21/603
CPC classification number: H05K3/32 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/29006 , H01L2224/29101 , H01L2224/29339 , H01L2224/83192 , H01L2224/8384 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 一种带低温压力烧结连接的两个连接配对件系统及其制造方法，连接配对件借助低温压力烧结连接材料配合地连接，连接配对件具有与另外连接配对件相连、作为表面区段部分的接触面，接触面之间布置含贵金属的连接剂，至少一个连接配对件表面区段由非贵金属构成，其在与接触面相邻接区域内有金属氧化物层，接触面本身是金属的且不具有金属氧化物层并由此与连接剂直接接触。方法的步骤：准备具有非贵金属表面区段的第一连接配对件，表面区段有平面式金属氧化物层；还原剂涂覆到表面区段设置为第一连接配对件第一接触面的区域上。烧结膏层涂覆到还原剂上。第二连接配对件第二接触面布置在烧结膏层上。对系统加温和加压以构造材料配合的低温压力烧结连接。
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公开(公告)号：CN104701379A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410754336.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： 彼德·莱姆克
IPC: H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H05K1/181 , H01L23/055 , H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49861 , H01L25/072 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体装置，第一壳体部件具有第一凹部，第二壳体部件以如下方式相对第一壳体部件布置，即，通过第一凹部在壳体中构造开口，功率半导体装置具有导电的载荷联接元件，该载荷联接元件具有穿通过开口的穿引区段，穿引区段具有横向朝着穿引区段的第一外边沿尖形收尾的第一外边沿区域和横向朝着穿引区段的第二外边沿尖形收尾的第二外边沿区域，在第一壳体部件与穿引区段之间布置有第一密封元件的第一区段，而在第二壳体部件与穿引区段之间布置有第二密封元件的第一区段，第一和第二密封元件横向于第一和第二外边沿相互间具有接触部。
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公开(公告)号：CN104517917A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410493453.2
申请日：2014-09-24
Applicant: 赛米控电子股份有限公司
Inventor： H·库拉斯
IPC: H01L23/473 , H01L21/58
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件，其具有功率半导体模块和冷却体，其中功率半导体模块具有冷却板，其中冷却体具有开口，所述开口由冷却体的环绕该开口的横向第一表面限定，其中冷却板设置在开口中，其中冷却板的环绕该冷却板的横向第一表面和冷却体的第一表面与冷却板的朝向功率半导体组件的主表面之间的各个角分别小于90°，其中冷却板的第一表面和冷却体的第一表面环绕地沿着冷却板的第一表面且环绕地沿着冷却体的第一表面彼此压紧设置。此外本发明涉及一种用于制造相关功率半导体器件的方法。本发明提出一种功率半导体器件，具有从功率半导体组件到功率半导体器件的由液体流过的冷却体的良好导热且其中冷却体长期可靠地密封。
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