公开(公告)号：CN105789186A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201510736539.8

申请日：2015-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱景升 ,  徐晨祐 ,  刘世昌

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/62

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L28/40 ,  H01L21/62

Abstract: 本发明涉及一种MIM电容器，该MIM电容器包括复合电容器顶部金属(CTM)电极和复合电容器底部金属(CBM)电极。复合CBM电极包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层，以及复合CTM电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层。介电层布置在复合CBM电极上方，并且该介电层位于复合CTM电极的下面。第一和第二扩散阻挡层保护第一和第二金属层免受金属的影响，该金属在制造期间从MIM电容器下面的金属线扩散或移动至复合CTM和CBM电极。本发明还提供了一种制造MIM电容器的方法。

公开(公告)号：CN102341900B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN200980157864.1

申请日：2009-12-24

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·科尔纳

IPC: H01L21/62

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 一种制造异质结构(200)的方法，包括将具有第一热膨胀系数的至少一个第一衬底(110)键合到具有第二热膨胀系数的第二衬底(120)上，所述第一热膨胀系数不同于所述第二热膨胀系数。在键合之前，在两个衬底的其中之一上从所述衬底(110)的键合面(110a)开始形成沟道(111)。用具有介于所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之间的第三热膨胀系数的材料(130)填充所述沟道(111)。

公开(公告)号：CN102341900A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200980157864.1

申请日：2009-12-24

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·科尔纳

IPC: H01L21/62

CPC classification number: H01L21/2007

Abstract: 一种制造异质结构(200)的方法，包括将具有第一热膨胀系数的至少一个第一衬底(110)键合到具有第二热膨胀系数的第二衬底(120)上，所述第一热膨胀系数不同于所述第二热膨胀系数。在键合之前，在两个衬底的其中之一上从所述衬底(110)的键合面(110a)开始形成沟道(111)。用具有介于所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之间的第三热膨胀系数的材料(130)填充所述沟道(111)。

公开(公告)号：CN101673694A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910004580.0

申请日：2009-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许明正 ,  赵智杰

IPC: H01L21/62 ,  H01L21/48 ,  H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: H05K3/243 ,  G01R1/07378 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863 ,  H05K3/108 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/049 ,  H05K2203/0542 ,  H05K2203/0574 ,  Y10T29/49004 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49036 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49162 ,  Y10T29/49167 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T29/49204

Abstract: 本发明揭示一种半导体测试探针卡空间变换器及其制造方法，可包含：沉积作为一接地面的一第一金属于一空间转换器基底上，上述空间转换器基底具有多个第一接触测试垫而定义有一第一节距分布；沉积一第一介电层于上述接地面上；形成多个第二接触测试垫，其定义有异于上述第一节距分布的一第二节距分布；以及形成多个重布引脚于上述第一介电层上，以将上述第一接触测试垫电性连接至上述第二接触测试垫。在某些实施例中，上述可以直接建构于上述空间转换器基底上。上述方法可用于重制一现存的空间转换器以制造节距分布小于原始的测试垫的细间距的测试垫。在某些实施例中，上述测试垫可以是C4测试垫。本发明缩小了接触测试垫的节距分布。