公开(公告)号：CN118176583A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072743.2

申请日：2022-12-08

申请人： 株式会社电源大师

发明人： 尹基明 ,  金仁锡 ,  严柱阳

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

摘要： 本发明提供一种双面冷却半导体装置。双面冷却半导体装置包括：基板；半导体芯片，其配置在所述基板上；外连接架，其配置在所述半导体芯片上；间隔件，其配置在所述外连接架上；以及模塑部，其填充所述基板与所述间隔件之间，所述基板的下表面可以通过所述模塑部的下表面暴露于外部，所述间隔件的上表面可以通过所述模塑部的上表面暴露于外部。

公开(公告)号：CN112912993B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201980070334.7

申请日：2019-10-18

申请人： 株式会社大赛璐

发明人： 辻直子

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

摘要： 本发明提供在经过其中制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中适于在避免晶片损坏的同时经由粘接剂接合将薄晶片多层化的方法。本发明的方法包括接合工序和移除工序。在接合工序中，经由粘接剂将具有支撑基板(S)、临时粘接剂层(2)及薄化晶片(1T)的层叠结构的加强晶片(1R)中的薄化晶片(1T)的背面(1b)侧、与晶片(3)的元件形成面(3a)侧接合。用于形成临时粘接剂层(2)的临时粘接剂含有：多元乙烯基醚化合物、具有两个以上羟基或羧基从而能够与多元乙烯基醚化合物形成聚合物的化合物、以及热塑性树脂。粘接剂包含含有聚合性基团的聚有机倍半硅氧烷。在移除工序中，将支撑基板(S)与薄化晶片(1T)之间的临时粘接剂层(2)所形成的临时粘接状态解除，进行支撑基板(S)的移除。

公开(公告)号：CN118120055A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202280070772.5

申请日：2022-09-08

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 重岁卓志

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/04 ,  H01L27/146 ,  H10B80/00

摘要： 提供一种增高了第二元件芯片中的元件集成度的半导体器件。根据本技术的半导体器件包括：至少一个第一元件芯片；以及至少一个芯片，堆叠在第一元件芯片上并小于第一元件芯片。至少一个芯片包括至少一个第二元件芯片。第一元件芯片具有堆叠有第一半导体衬底和第一布线层的堆叠结构。第二元件芯片具有堆叠有第二半导体衬底和第二布线层的堆叠结构。第一布线层和第二布线层面对地接合。该半导体器件还包括：外部连接端子，布置在比后表面更远离第一元件芯片的位置，后表面是芯片的在参考堆叠方向与第一元件芯片侧相对的一侧上的表面；和至少部分地设置在芯片附近并且电连接第一布线层和外部连接端子的布线。

公开(公告)号：CN117038602B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202310985936.3

申请日：2023-08-07

申请人： 深圳市金誉半导体股份有限公司

发明人： 林河北 ,  杨东霓 ,  解维虎 ,  陈永金

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/467 ,  H01L23/04 ,  H01L25/065

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件堆叠封装结构；包括基板、第一芯片、第二芯片、封装壳体、支撑架和散热组件，散热组件包括两个限位架、两组限位件、安装架、两个散热风扇、两个支撑架、第一铜板、第二铜板和多根导热柱，两组限位件分别与对应的限位架相适配，安装架均与两个限位件固定连接，多根导热柱分别贯穿对应的散热孔，第一铜板与固定架固定连接，第二铜板与第二芯片连接，且第一铜板和第二铜板分别与对应的导热柱连接，两个支撑架均与封装壳体固定连接，每个散热风扇分别设置于对应的支撑架内，实现了能够提高半导体芯片在运行过程中的散热效果，避免热量堆积，增加了使用半导体芯片的寿命。

公开(公告)号：CN112585737B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980055156.0

申请日：2019-08-30

申请人： 美光科技公司

发明人： 井出昭

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  G01R31/28

摘要： 本发明的实施例涉及用于测试可例如用于耦合半导体存储器装置的多个存储器裸片的硅/衬底穿孔TSV的电阻的设备及方法。力放大器可选择性地提供沿着网状布线结构且穿过待测试TSV的已知电流。所述力放大器可定位于所述存储器装置的空区域上，而所述网状布线结构可定位于所述装置的层的所述TSV下方的区域中。截波器仪表放大器可选择性地耦合到所述待测试TSV以放大由穿过所述TSV的所述电流产生的跨越所述TSV的电压。所述截波器仪表放大器能够确定所述TSV的小电阻值。

公开(公告)号：CN108933123B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201810466695.0

申请日：2018-05-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李相殷

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L27/02 ,  H01L21/98

摘要： 提供了半导体封装以及制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一区域、第二区域以及在第一区域与第二区域之间的边界区域；以及第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上，其中第二半导体芯片与边界区域的一部分和第一区域重叠，并且不与第二区域重叠，其中第一电路元件设置在第一区域中并且第二电路元件设置在边界区域中，其中第二电路元件应力耐受度大于第一电路元件应力耐受度。

公开(公告)号：CN118073321A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202211482299.X

申请日：2022-11-24

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 金吉松

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48

摘要： 一种封装结构以及封装方法，封装方法包括：提供载板；提供多个器件芯片，所述器件芯片包括相背的第一面和第二面，所述第一面形成有互连结构；在所述载板上贴合所述多个器件芯片，所述器件芯片的第二面与所述载板相对设置；在所述载板上形成覆盖器件芯片侧壁且填充于器件芯片之间的第一封装层，所述第一封装层露出所述器件芯片的第一面；在所述第一封装层和器件芯片上形成第一再布线结构，所述第一再布线结构与所述器件芯片的互连结构之间电连接；在所述第一再布线结构上键合互连芯片，互连芯片与第一再布线结构之间电连接；在所述第一再布线结构上形成覆盖互连芯片的第二封装层。本发明实施例提高器件芯片之间的互连性能。

公开(公告)号：CN118073320A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202211482297.0

申请日：2022-11-24

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 金吉松

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48

摘要： 一种封装结构以及封装方法，封装方法包括：提供载板；提供多个器件芯片，所述器件芯片包括相背的第一面和第二面，所述第一面形成有第一互连结构；在所述载板上贴合所述多个器件芯片，所述器件芯片的第二面与所述载板相对设置；在所述载板上形成覆盖器件芯片侧壁且填充于器件芯片之间的第一封装层，所述第一封装层露出所述器件芯片的第一面；提供互连芯片，所述互连芯片上形成有第二互连结构，第二互连结构露出于互连芯片表面；在所述器件芯片和第一封装层上键合互连芯片，所述互连芯片的第二互连结构与相邻的器件芯片的第一互连结构相对设置并相接触；在所述第一封装层上形成覆盖互连芯片的第二封装层。本发明实施例提高芯片之间的互连性能。

公开(公告)号：CN113169143B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202180000676.9

申请日：2021-02-26

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 陈鹏 ,  周厚德 ,  曾心如

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

摘要： 一种封装方法包括：提供衬底结构，该衬底结构包括核心衬底、在核心衬底的第一表面处的多个第一导电焊盘、以及在核心衬底的第二表面处的多个封装焊盘；以及在核心衬底的第二表面处将多个半导体芯片封装到衬底结构上，该操作包括形成第一金属线以与半导体芯片的芯片接触焊盘连接以及在核心衬底的第二表面上形成模制化合物以包封多个半导体芯片。第一金属线的一端连接到芯片接触焊盘，并且第一金属线的另一端在模制化合物的表面处暴露。该封装方法还包括在模制化合物的表面上形成第一金属焊盘以与第一金属线电连接。

公开(公告)号：CN118051447A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410348916.X

申请日：2020-02-06

申请人： 美光科技公司

发明人： D·D·甘斯

IPC分类号： G06F12/06 ,  G06F12/0862 ,  G06F13/16 ,  G06F13/42 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C7/10 ,  H01L25/065 ,  G11C5/06

摘要： 本申请涉及用于组合式存取操作的堆叠的存储器裸片。装置可包含多个存储器裸片。一个裸片可被配置为主裸片，且另一裸片可被配置为从属裸片。所述主裸片可与主机装置通信。从属裸片可与所述主裸片而非所述主机装置耦合。所述装置可包含第一裸片(例如，主裸片)及第二裸片(例如，从属裸片)。所述第一裸片可与主机装置耦合且被配置成响应于读取命令而输出数据集。所述第一裸片可供应第一数据子集且从所述第二裸片获得第二数据子集。在一些情况下，所述第一裸片可基于数据速率选择调制方案(例如，PAM4、NRZ等)并使用选定调制方案输出所述数据。