公开(公告)号：CN100583462C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200580034270.3

申请日：2005-10-06

申请人： 仲夏股份公司

发明人： 斯文·林斯特姆

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1872 ,  C23C14/5813 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03921 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及薄膜太阳能电池领域，尤其涉及一种用于制造薄膜太阳能电池的装置和方法。至少一种材料被沉积到到衬底上，借此在沉积材料的有限区域上沉积材料通过加热部件被加热。使衬底和加热部件连续地相对于彼此移动，直到沉积材料的预定区域被加热，借此以受控的方式冷却被加热的材料，因此获得沉积材料的期望晶态结构。

公开(公告)号：CN101542745A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000178.9

申请日：2008-07-23

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 盛殊然 ,  蔡容基 ,  崔寿永 ,  元泰景 ,  李立伟

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的实施例大致是关于太阳能电池及其形成方法和设备。更明确地，本发明实施例是关于薄膜多接面太阳能电池及其形成方法和设备。本发明实施例还包括改良的薄膜硅太阳能电池及其形成方法和设备，其中太阳能电池中一或更多层包括至少一非晶硅层，其具有改良的电性与机械性能，并能够以比传统非晶硅沉积处理快上好几倍的速率被沉积。

公开(公告)号：CN101355109A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200710201185.2

申请日：2007-07-26

申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

发明人： 陈杰良

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种太阳能电池组件。该太阳能电池组件包括一个可挠曲基板，该基板具有两个相对的表面。其中一个表面上依次形成有电极层，P型半导体层，P－N结层，N型半导体层，透明导电层，及金属导电层。该基板的材料是铝镁合金。该太阳能电池组件具有较好的挠曲性，将其应用于建筑领域时，更容易配合建筑物本身的形状形成不同几何形状的太阳能电池组件，这样可以吸收到不同时段太阳发出的光能。

公开(公告)号：CN100433257C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200480041710.3

申请日：2004-12-22

申请人： 野田优

发明人： 野田优

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  C23C16/01 ,  C30B25/02

CPC分类号： H01L31/1804 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02664 ,  H01L31/03921 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供制造单晶薄膜的方法以及由如上方法制得的器件，根据上述方法，单晶硅薄膜的剥离可良好进行，得到高纯度的单晶硅薄膜。准备单晶硅衬底(模板Si衬底)201，在这种单晶硅衬底201上，形成外延牺牲层202。然后，在这个牺牲层202上，用RVD方法快速外延生长单晶硅薄膜203，随后刻蚀掉牺牲层202，由此形成用作太阳能电池光生伏打层的单晶硅薄膜204。

公开(公告)号：CN101262029A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810083479.4

申请日：2008-03-07

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/068 ,  H01L31/052

CPC分类号： H01L31/056 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。

公开(公告)号：CN101034714A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085717.0

申请日：2007-03-06

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平井纯 ,  铃木政胜 ,  村上一朗 ,  广藤裕一

IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L21/822 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/1485 ,  H01L27/14887 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/12 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光探测装置，包括：半导体衬底(101)，其由作为基底材料的硅构成并包含预定浓度的碳；和外延层(102)，其形成在半导体衬底(101)上并由作为基底材料的硅构成，该外延层(102)包括远离半导体衬底(101)预定距离的光探测单元(主要是104)，其中半导体衬底(101)使用晶体生长方法由通过熔化包含硅的材料和包含碳的材料获得的熔化物形成，因此碳以预定浓度包含在半导体衬底(101)中。

公开(公告)号：CN1830095A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480022086.2

申请日：2004-07-23

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 柴山胜己

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/19107 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种背面入射型光检测部件及其制造方法，能够充分缩小安装，并且能够抑制被检测光的散乱。背面入射型光电二极管(1)包括：N型半导体基板(10)、P+型不纯物半导体区域(11)、凹部(12)与窗板(13)。在N型半导体基板(10)上面(S1)侧的表层中，形成P+型不纯物半导体区域(11)。在面向N型半导体基板(10)背面(S2)的P+型不纯物半导体区域(11)的区域中，形成成为被检测光的入射部的凹部(12)。此外，在凹部(12)的外缘部(14)接合于窗板(13)。该窗板(13)接合于凹部(12)的外缘部(14)。该窗板(13)覆盖凹部12，并密封N型半导体基板(10)的背面(S2)。

公开(公告)号：CN1653378A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03810924.7

申请日：2003-05-07

申请人： 荣汉斯·乌伦股份公司

发明人： H·布鲁马克 ,  G·梅纳

IPC分类号： G02F1/133 ,  G02F1/1333 ,  H01L31/0392

CPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F2001/13324 ,  H01L31/03921 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明的主题是一种具有太阳电池机构(1)和液晶显示器(2)的装置，其中，太阳电池机构(1)包含一个至少部分地透明的载体(4)及至少一个太阳电池(1)，该太阳电池按叠置结构具有至少一个至少部分地透明的接触层(5)、一个光电有效层(6)和一个接触层(7)；而液晶显示器(2)按叠置结构具有至少一个第一偏光体(12)、一个第一至少部分地透明的载体(9)、一个第一至少部分地透明的接触层(14)、一个液晶层(11)、一个第二透明接触层(15)、一个第二透明载体(10)、一个第二偏光体(13)和一个反射体(16)，其中太阳电池机构(1)的载体(4)是液晶显示器(2)的载体(9，10)之一。此外，还介绍了这种装置的一种制造方法。本发明提出的装置特别适合于用作钟表尤其是手表的能源和显示单元。

公开(公告)号：CN1150353C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN99107463.7

申请日：1999-02-05

申请人： 佳能株式会社

发明人： 园田雄一

IPC分类号： C25D3/54 ,  C25D5/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C25D5/028 ,  C25D7/0614 ,  C25D9/04 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种在导电基体上通过从水溶液中电沉积形成氧化锌薄膜的方法，它能阻止薄膜沉积在基体的背面上。更具体地，在含有硝酸根离子的水溶液中提供用于阻止薄膜沉积在基体背面上的薄膜沉积阻挡电极，并且供给电流以得到“反电极＞基体＞薄膜沉积阻挡电极”的电位关系。该方法可应用于制备太阳能电池的工艺，由此改进了短路电流密度、光电转换效率、生产率和太阳能电池的耐用性。

公开(公告)号：CN1095059C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN97102351.4

申请日：1997-01-30

申请人： 佳能株式会社

发明人： 高田健司 ,  深江公俊 ,  三村敏彦 ,  森昌宏 ,  盐见哲

IPC分类号： F24J2/04

CPC分类号： H01L31/03921 ,  F24S10/50 ,  F24S20/67 ,  H01L31/048 ,  H01L31/049 ,  H01L31/056 ,  H02S40/44 ,  Y02A30/62 ,  Y02B10/10 ,  Y02B10/20 ,  Y02B10/70 ,  Y02E10/44 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/60

摘要： 设在集热器中的集热板位置的太阳能电池组件，该组件位于其窗件或底板的位置。利用这种结构可以获得一个混合系统，其中在保持太阳能电池的性能的同时可以使热空气流入室内，所述的电池使用非晶体硅半导体。在将太阳能电池设在集热板位置的情况下，用作填充物的树脂的热阻高至可以使空气的获得足够高温度的热。为了解决这些问题，使太阳能电池组件上背光侧的热阻小于受光侧的热阻。