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公开(公告)号：CN102460722B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080025869.1
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L25/04 , H01L31/0368 , H01L31/0392 , H01L31/048 , H01L31/0687 , H01L31/076 , B60T1/10
CPC classification number: H01L31/076 , B60T1/10 , H01L31/03685 , H01L31/03926 , H01L31/043 , H01L31/048 , H01L31/0488 , H01L31/0687 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以用简单的方法制造的多结光电转换装置。此外，提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。本发明的一种光电转换装置，包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；具备将第一单元及第二单元彼此牢固地接合并电连接的纤维体的结构体。其结果，可以提供一种确保pin结和pin结之间的充分的电连接并使半导体结串联连接的多结光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101246894B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200810009974.0
申请日：2008-02-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L23/482 , H01L21/84 , H01L21/60
CPC classification number: H01L31/147 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L31/153 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于使光电转换装置和安装光电转换装置的构件之间的粘着强度增大且抑制光电转换装置和构件的剥离。本发明涉及一种光电转换装置，包括：其端部被削去为倾斜或者槽状的第一衬底；在第一衬底上的光电二极管以及放大光电二极管的输出电流的放大电路；设置在第一衬底的一个端部上的电连接到光电二极管的第一电极；设置在第一衬底的另一个端部上的电连接到放大电路的第二电极；包括第三电极以及第四电极的第二衬底。第一电极以及第三电极、和第二电极以及第四电极由导电材料粘结，该导电材料设置在彼此相对的第一、第二、第三以及第四电极的表面上以及第一以及第二电极的侧面上。
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公开(公告)号：CN102460722A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080025869.1
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , B60T1/10 , H01L31/03685 , H01L31/03926 , H01L31/043 , H01L31/048 , H01L31/0488 , H01L31/0687 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以用简单的方法制造的多结光电转换装置。此外，提供一种不使制造工序复杂化而提高机械强度的光电转换装置。本发明的一种光电转换装置，包括：具备光电转换功能的第一单元；具备光电转换功能的第二单元；具备将第一单元及第二单元彼此牢固地接合并电连接的纤维体的结构体。其结果，可以提供一种确保pin结和pin结之间的充分的电连接并使半导体结串联连接的多结光电转换装置。
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公开(公告)号：CN1825654B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200610005127.8
申请日：2006-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/48 , H01L51/42 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: G04C10/02 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
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公开(公告)号：CN1877269B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610084883.4
申请日：2006-05-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G01J1/18 , G01J1/44 , G01J2001/4406 , G09G3/3611 , G09G2320/0626 , G09G2360/144 , G09G2360/145 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个目标是提供一种检测从弱光到强光范围的光的光电转换装置。本发明涉及一种光电转换装置，它包括具有光电转换层的光电二极管、包括薄膜晶体管的放大器电路以及偏置切换装置，其中当入射光的强度超过预定强度时，通过偏置切换装置切换与光电二极管和放大器电路相连的偏置，因此，小于预定强度的光被光电二极管检测而大于预定强度的光被放大器电路的薄膜晶体管检测。通过本发明，可以检测从弱光到强光范围的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100480649C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200480008133.8
申请日：2004-03-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G01J1/02 , G01J1/42 , G02F1/13 , G09G5/00 , G09G5/10 , H01L27/14 , H01L31/10 , H04M1/02 , H05B33/14
CPC classification number: G01J1/0209 , G01J1/0233 , G01J1/0247 , G01J1/0271 , G01J1/4204 , G01J1/4228 , G02F1/13318 , G02F2001/133342 , G09G2360/04 , H04M1/0214 , H04M1/0245 , H04M2250/12
Abstract: 提供检测来自多方向的光的光传感器、携带通信装置及显示方法。本发明的光传感器的特征在于：在有透光性的基板上具有多个检测元件，该检测元件并联连接。另外，本发明的具有两个显示部的折叠式携带通信装置的特征在于：有一个光传感器，而且该光传感器有多个检测元件，该检测元件并联连接。
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公开(公告)号：CN100392861C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200380108533.1
申请日：2003-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/20 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1255 , H01L27/1446 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , H01L2221/68368 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的特征在于：在第1基板上按顺序形成金属膜、绝缘膜和非晶质半导体膜，对上述金属氧化物膜和上述非晶质半导体膜进行结晶化，在将已被结晶化的半导体膜用作有源区形成了第1半导体元件后，在上述第1半导体元件上使用粘接材料粘接支撑体，在上述金属膜与上述绝缘膜之间进行剥离，将第2基板粘接到上述已被剥离的绝缘膜上之后，除去上述第1粘接材料并剥离上述支撑体，在上述第1半导体元件上形成非晶质半导体膜，形成将该非晶质半导体膜用作有源区的第2半导体元件。
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公开(公告)号：CN1866548A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082461.3
申请日：2006-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/08 , H01L27/144 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1055 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/02325
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。本发明的光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1825654A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005127.8
申请日：2006-01-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/48 , H01L51/42 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: G04C10/02 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0465 , H01L31/048 , H01L31/1884 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。
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公开(公告)号：CN1606174A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410090504.3
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/861 , H01L31/00 , H01L27/12 , H01L23/00 , H01L21/00
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L27/1446 , H01L27/14618 , H01L31/048 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种形成在绝缘衬底上的半导体器件，通常半导体器件具有如下结构：其中在光学传感器、太阳能电池或使用TFT的电路中可提高与布线板的安装强度，并且可以使其以高密度安装在布线板上，并且本发明还提供一种制造该半导体器件的方法。根据本发明，在半导体器件中，半导体元件形成在绝缘衬底上，凹部形成在半导体器件的侧面上，并且在凹部中形成电连接到半导体元件的导电膜。
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