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    用于半导体晶片的抛光垫、装备有该抛光垫用于抛光半导体晶片的层叠体以及用于抛光半导体晶片的方法
    32.
    发明公开
    用于半导体晶片的抛光垫、装备有该抛光垫用于抛光半导体晶片的层叠体以及用于抛光半导体晶片的方法 失效

    公开(公告)号：CN1781186A

    公开(公告)日：2006-05-31

    申请号：CN200480000983.3

    申请日：2004-04-23

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 志保洁司 ,  保坂幸生 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: B24B37/205

    Abstract: 本发明的一个目的是提供用于半导体晶片的抛光垫和用于抛光半导体晶片的层叠体，以及利用所述抛光垫和层叠体对半导体晶片进行抛光的方法，装备所述抛光垫和层叠体可以在不降低抛光性能的情况下进行抛光。本发明的抛光垫包含用于抛光垫的提供有从表面穿透至背部的通孔的衬底(11)、和安装在所述通孔中的透光部件(12)，其中所述透光部件包含一种非水溶性基体材料(1，2聚丁二烯)和分散在所述非水溶性基体材料中的一种水溶性颗粒(β－环糊精)，并且基于所述非水溶性基体材料和所述水溶性颗粒的总量体积100％，所述水溶性颗粒的体积百分含量小于5％。此外，本发明的用于抛光的层叠体包含所述抛光垫的背面上的支撑层。这些抛光垫和用于抛光的层叠体可包含背面上的固定层(13)。

    化学机械抛光垫、其制造方法以及化学机械抛光方法
    34.
    发明公开
    化学机械抛光垫、其制造方法以及化学机械抛光方法 失效

    公开(公告)号：CN1654169A

    公开(公告)日：2005-08-17

    申请号：CN200510054230.7

    申请日：2005-02-05

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 冈本隆浩 ,  宫内裕之 ,  河原弘二 ,  志保浩司 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

    IPC: B24D3/22 ,  C08J5/00 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

    Abstract: 一种化学机械抛光垫，包含由(A)苯乙烯聚合物和(B)二烯聚合物构成的非水溶性基质。上述化学机械抛光垫的制造方法，其特征在于制备含有(A)苯乙烯聚合物、(B)二烯聚合物和(C)交联剂的组合物，将上述组合物成形为预定的形状，并在成形的同时或者成形后加热使其固化，以及一种化学机械抛光方法，其特征在于通过上述化学机械抛光垫对被抛光物的被抛光面进行抛光。根据本发明，可以提供一种化学机械抛光垫，其能够优选适用于金属膜的抛光或绝缘膜的抛光、特别是STI技术，在得到平坦的被抛光面的同时，还能达到较高的抛光速度，且具有足够长的寿命。

    化学/机械抛光用水分散体
    36.
    发明公开
    化学/机械抛光用水分散体 失效

    公开(公告)号：CN1576345A

    公开(公告)日：2005-02-09

    申请号：CN200410055263.9

    申请日：2004-07-01

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 服部雅幸 ,  川桥信夫

    IPC: C09K3/14

    CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02

    Abstract: 公开了一种水分散体，其包含(A)磨料粒，(B)选自2－溴－2－硝基－1，3－丙二醇，2－溴－2－硝基－1，3－丁二醇，2，2－二溴－2－硝基乙醇和2，2－二溴－3－次氮基丙酰胺中的至少一种化合物，和(C)一种不同于组分(B)中化合物的有机组分。该水分散体即使储存后或在中性pH范围内使用也没有腐败的问题，以及特别应用于半导体器件制造的STI方法中时生产出几乎没有凹痕或划痕的极好的抛光表面。

    研磨垫、其制法和金属模以及半导体晶片抛光方法
    37.
    发明公开
    研磨垫、其制法和金属模以及半导体晶片抛光方法 失效

    公开(公告)号：CN1550288A

    公开(公告)日：2004-12-01

    申请号：CN200410043098.5

    申请日：2004-04-09

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 保坂幸生 ,  志保浩司 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

    IPC: B24B37/04 ,  B24D3/00 ,  H01L21/304 ,  C08J5/14

    CPC classification number: B24B37/205 ,  B24D18/0009

    Abstract: 一种能透射用于终点探测的光而不减小使用光学终点探测装置的半导体晶片的抛光中的抛光效率的研磨垫，一种制造该研磨垫的方法，一种用于制造研磨垫的金属模以及一种抛光半导体晶片的方法。该研磨垫包括研磨基底和透光组件。透光组件包括交联聚合物如交联的1，2－聚丁二烯和分散在交联聚合物中的水溶性物质如β－环糊精。由于透光组件和研磨基底熔合在一起作为集成单元，研磨垫在使用期间，浆料不会渗漏到研磨垫的背面。该制造方法包括在用于夹物模压的金属模中设置透光组件以及在该模子中交联用于形成研磨基底的基质分散体。使用该研磨垫的抛光方法采用光学终点探测装置。

    用于化学机械抛光的水分散体及用途
    38.
    发明公开
    用于化学机械抛光的水分散体及用途 失效

    公开(公告)号：CN1498931A

    公开(公告)日：2004-05-26

    申请号：CN200310104711.5

    申请日：2003-10-31

    Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

    Inventor： 西元和男 ,  坂野达章 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  宫下直人 ,  重田厚 ,  松井嘉孝 ,  井田和彦

    IPC: C09G1/04

    CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

    Abstract: 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。

    抛光垫
    39.
    发明公开
    抛光垫 失效

    公开(公告)号：CN1498723A

    公开(公告)日：2004-05-26

    申请号：CN200310120349.0

    申请日：2003-11-05

    Applicant: JSR株式会社

    Inventor： 志保浩司 ,  青井裕美 ,  长谷川亨 ,  川桥信夫

    IPC: B24B37/00 ,  H01L21/304

    CPC classification number: B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  B24D3/344 ,  C09K3/1436

    Abstract: 本发明所涉及的抛光垫含有一种不溶于水的基质材料，该材料含有交联聚合物如交联的1，2－聚丁二烯，和分散在该不溶于水的基质材料中的水溶性粒子如糖类。水溶性粒子在水中的溶解度在25℃时为0.1－10重量％，当抛光垫浸入水中时水溶性粒子从该垫中洗脱出的量在25℃时为0.05－50重量％。另外，在本发明所涉及的抛光垫中，水溶性粒子在水中的溶解度在25℃、pH值为3到11时为0.1－10重量％，并且在25℃，pH值为3－11时的溶解度为在25℃、pH为7条件下该粒子在水中溶解度的±50％以内。另外，这些水溶性粒子含有氨基、环氧基、异氰脲酸酯基等基团。即使是使用pH不同的浆液，该抛光垫具有良好的浆液保留能力，同时也具有极好的抛光性能如抛光率和平滑性。

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