公开(公告)号：CN105874586A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480072114.5

申请日：2014-11-13

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： S·S·宋 ,  K·利姆 ,  Z·王 ,  J·J·徐 ,  X·陈 ,  C·F·耶普

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/48 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 制造中部制程(MOL)层和包括MOL层的器件的方法。一种根据本公开的一方面的方法包括跨至半导体基板的诸半导体器件的端子的有源触点(112)来沉积硬掩模(500)。此种方法还包括图案化该硬掩模以选择性地暴露这些有源触点之中的一些(112?5)并选择地隔绝这些有源触点中的一些(112?2)。该方法还包括在经图案化的硬掩模和所暴露的有源触点上沉积导电材料(1100)以将所暴露的有源触点在这些半导体器件的有源区域上彼此耦合。

公开(公告)号：CN105009282A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480011292.7

申请日：2014-02-21

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： Y·K·宋 ,  Y·朴 ,  X·张 ,  R·D·莱恩 ,  B·内杰蒂 ,  A·哈德吉克里斯托斯 ,  X·陈

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H01L25/07 ,  H01L25/11 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/117 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一些新颖特征涉及提供一半导体器件的第一示例，该半导体器件包括印刷电路板(PCB)、一组焊球以及一管芯。所述PCB包括第一金属层。所述一组焊球耦合到PCB。管芯通过所述一组焊球耦合到PCB。管芯包括第二金属层和第三金属层。PCB的第一金属层、所述一组焊球、管芯的第二和第三金属层被配置成作为半导体器件中的电感器来工作。在一些实现中，管芯进一步包括一钝化层。钝化层位于第二金属层和第三金属层之间。在一些实现中，第二金属层位于钝化层和所述一组焊球之间。

公开(公告)号：CN113314501B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202110586414.7

申请日：2018-12-07

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·陈 ,  V·伯纳帕里 ,  H·林

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/02 ,  H01L27/118 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请涉及用于栅极绑定关断的新颖标准单元架构。根据本公开的某些方面，一种芯片包括：第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔。该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间，并且金属互连在第二栅极上方通过。

公开(公告)号：CN114982212A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202080093450.3

申请日：2020-01-19

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 彭云 ,  李健 ,  刘猛 ,  曲晶楠 ,  C·陈 ,  贺伟 ,  H·魏 ,  H·张 ,  X·陈

IPC: H04M1/274

Abstract: 描述了一种用于更新移动设备(ME)的通用集成电路卡(UICC)内的电话簿的方法。所述方法包括将所述ME的所述UICC的基本文件(EF)更改计数器(EFCC)检测为可读取但不可写入。这种检测是响应于来自所述ME的用户的添加/删除/更新电话簿联系人的请求来执行的。所述方法还包括跳过所述UICC的电话簿同步过程。所述方法还包括写入所述UICC的基本文件(EF)缩位拨号号码(EFADN)，以执行添加/删除/更新所述电话簿联系人的所述请求。

公开(公告)号：CN111684592A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201880088197.5

申请日：2018-12-07

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·陈 ,  V·伯纳帕里 ,  H·林

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/118

Abstract: 根据本公开的某些方面，一种芯片包括：第一栅极、第二栅极、第一源极、设置在第一源极上的第一源极触点、在第一源极触点和第一栅极上方的金属互连、将第一栅极电耦合至该金属互连的第一栅极触点、以及将第一源极触点电耦合至该金属互连的第一通孔。该芯片还包括电源轨以及将第一源极触点电耦合至该电源轨的第二通孔。第二栅极处于第一源极与第一栅极之间，并且金属互连在第二栅极上方通过。

公开(公告)号：CN111326508A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010227403.5

申请日：2015-02-19

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·陈 ,  O·翁 ,  F·万 ,  A·达塔 ,  S·H·拉苏里

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L27/118

Abstract: 提供了一种高性能标准晶体管单元，其包括定义在基板中的连续氧化物限定(OD)区；在第一虚设栅极(425)与第二虚设栅极(430)之间的晶体管的栅极(450)，其中该晶体管的源极被定义在该OD区的处在该栅极与第一虚设栅极之间的第一部分中，并且其中该晶体管的漏极被定义在该OD区的处在该栅极与第二虚设栅极的第一侧之间的第二部分中；第一栅极定向本地互连(470)和第一扩散定向本地互连(440)将该OD区的毗邻于第二虚设栅极的第二对向侧的第三部分以及第二虚设栅极耦合至源电压。

公开(公告)号：CN106537605B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580037459.1

申请日：2015-06-11

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·李 ,  J·J·徐 ,  X·陆 ,  M·M·诺瓦克 ,  S·H·康 ,  X·陈 ,  Z·王 ,  Y·陆

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L27/112 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/223 ,  G11C11/2259 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2275 ,  G11C16/26 ,  H01L27/11246 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/792

Abstract: 一种装置包括多次可编程(MTP)存储器器件。该MTP存储器器件包括金属栅极、基板材料、以及该金属栅极与该基板材料之间的氧化结构。该氧化结构包括氧化铪层和二氧化硅层。该氧化铪层与该金属栅极接触，以及与该二氧化硅层接触。该二氧化硅层与该基板材料接触。该MTP器件包括晶体管，并且该MTP存储器器件的非易失性状态是基于该晶体管的阈值电压的。

公开(公告)号：CN108886037A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780019932.2

申请日：2017-02-24

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·陈 ,  V·伯纳帕里 ,  S·萨胡 ,  H·利姆 ,  M·库普塔

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/118

Abstract: 一种标准单元IC包括MOS器件的pMOS区(316)中的pMOS晶体管和该MOS器件的nMOS区(318)中的nMOS晶体管。该pMOS区和该nMOS区在第一单元边缘(304a)和第二单元边缘(304b)之间延伸。该标准单元IC进一步包括位于第一单元边缘与第二单元边缘之间的内部区域中的至少一个单扩散间断(312)，其跨该pMOS区和该nMOS区延伸以将该pMOS区分隔成pMOS子区以及将该nMOS区分隔成nMOS子区。该标准单元IC包括第一单元边缘(304a)处的第一双扩散间断部分(314')和第二单元边缘(304b)处的第二双扩散间断部分(314)。

公开(公告)号：CN108027661A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054399.9

申请日：2016-08-19

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·陈 ,  E·霍什多夫

IPC: G06F3/01 ,  G06F1/16

CPC classification number: H04W84/14 ,  G06F1/1698 ,  G06F3/017 ,  H04L43/08 ,  H04L43/16

Abstract: 一种用于操作无线网络中的一个或多个设备的人类控制接口(HCI)的系统和方法。该无线网络中的第一设备确定该无线网络中的噪声量，并且至少部分地基于所确定的噪声量来选择多种探通技术中的一者。无线通信设备进一步使用所选探通技术来检测所接收的一组无线信号中的多普勒频移模式，并且至少部分地基于该多普勒频移模式来标识多普勒签名特征。该无线通信设备随后将该多普勒签名特征与用于控制该无线网络中的第二设备的用户输入进行关联。

公开(公告)号：CN107258015A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201680011934.2

申请日：2016-02-08

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： X·李 ,  X·陆 ,  X·陈 ,  Z·王

IPC: H01L27/112 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/0466 ,  G11C17/146 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7923

Abstract: 根据本公开的一些示例的一种用于一次性可编程(OTP)存储器的半导体器件包括栅极、在该栅极下方的介电区、在该介电区下方且向一侧偏移的源极端子、在该介电区下方且向与该源极端子的相对侧偏移的漏极端子、该介电区中能够对该半导体器件进行编程的漏极侧电荷陷阱、以及该介电区中与该漏极侧电荷陷阱相对且能够对该半导体器件进行编程的源极侧电荷陷阱。