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公开(公告)号:CN119192701A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411542943.7
申请日:2024-10-31
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种改性聚α‑烯烃、制备方法及应用,涉及有机高分子化合物和化工技术领域,本发明通过在聚α‑烯烃中添加改性羧基化纤维素纳米纤维颗粒和聚四氟乙烯纳米颗粒进行改性,有效提升了聚α‑烯烃在多孔聚酰亚胺材料中的保油率,特别是针对于轴承的高速运转条件下,同时改性后的润滑油可以有效减少接触界面的摩擦磨损,提升多孔聚酰亚胺材料的摩擦性能。在高速运转(≥6000rpm)条件下保油率提升105‑125%,相同滑动摩擦实验条件下,界面摩擦系数降低10%‑25%,多孔聚酰亚胺材料磨损量减少55%‑68%,对磨副钢球磨损量减少52%‑70%,同时多孔聚酰亚胺界面摩擦发黑现象得到有效抑制。
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公开(公告)号:CN118165652A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410291536.7
申请日:2024-03-14
Applicant: 西南交通大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液,包括0~40wt%的研磨颗粒、0.01~15wt%的抛光增速剂、0~5wt%的复配选择吸附剂、去离子水和pH值调节剂,pH值调节剂用于调节抛光液的pH值为6~11.5,wt%表示质量百分比。本发明所提供的一种实现异质结构表面硅材料高效选择性去除的抛光液,通过添加一定质量分数的抛光增速剂和对底层材料具有选择吸附性的复配选择吸附剂,使得异质结构表面硅材料获得每分钟超过微米级的材料去除速率和具有亚纳米精度的硅表面,并实现对底层氮化硅/氧化硅/金属铜材料的高去除选择比,有效提升了异质结构表面硅材料的抛光效率、半导体器件的成品率和可靠性,并提供该抛光液的应用方法。
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公开(公告)号:CN116372805A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310324980.X
申请日:2023-03-30
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开一种曲率可调轮式气囊抛光工具,包括刀柄、气囊夹持部和位移机构。所述刀柄中心开设有气道,下端开设花键。所述气囊夹持部包括上夹持部和下夹持部,所述上夹持部设有上支撑板和上压板,二者配合共同夹紧气囊上端;所述下夹持部设有下支撑板和下压板,二者配合共同夹紧气囊下端;所述下支撑板开设花键槽,通过与所述刀柄花键配合连接气囊上夹持部和下夹持部。所述下支撑板连接所述位移机构。所述位移机构通过调节上夹持部和下夹持部之间的距离实现气囊曲率调整。所述下压板连接密封端盖,共同实现气囊整体密封。本发明解决了现有球形气囊存在零速区抛光效果差和现有轮式气囊曲率不可调等问题。
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公开(公告)号:CN110155938B
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN201910501377.8
申请日:2019-06-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明提供了一种基于微悬臂转移的微球探针制备方法,属于微纳米制造技术领域。本发明工艺简单,成本低廉,可以用于微纳加工或压痕力学特性等测试的微球探针的制备;本发明可以实现任意颗粒材料的灵活粘接,并且与任意受体平台任意匹配;悬臂在转移微球的同时能够充当传递层,增加微球与受体平台的接触面积,进而降低接触压力以减小受体平台的变形;通过微悬臂可以实现探针制备过程中微球在受体尖端的准确定位,且可以避免尺寸较小的微球在粘接时完全浸入胶水,污染微球探针表面。
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公开(公告)号:CN110601172A
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201910534293.4
申请日:2019-06-20
Applicant: 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司 , 西南交通大学 , 南方电网科学研究院有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种基于凸多面体不确定性的多直流协调控制器设计方法,用于为系统设计适应多工况的输出反馈控制器,以提高闭环系统H2、H∞以及衰减率等性能。该方法包括:步骤1,建立开环系统的多工况凸多面体模型;步骤2,应用正交实验方法生成初代控制器;步骤3,建立闭环系统状态空间模型;步骤4,应用二分法迭代调用扩展Lyapnuov方程,求取系统目标函数值;步骤5,应用差分进化算法生成新一代控制器;步骤6,对当前最优控制器应用正交交叉算子,保留最优个体;步骤7,计算新一代个体目标函数值;步骤8,当迭代次数等满足停止条件,进入步骤9,否则返回步骤5;步骤9,输出最优控制器参数及性能指标,结束操作。
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公开(公告)号:CN110110399A
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201910316977.7
申请日:2019-04-19
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了面向微加工的竖直稳定加载对称型微悬臂设计及应用方法,主要包括以下步骤:设计满足竖直加载要求的微悬臂方案;测量传统矩形微悬臂的尺寸,根据测量数据进行对称型悬臂尺寸设计,并以截面惯性矩、悬臂长度为变量,以弹性系数及应力值为结果,利用有限元仿真分析,建立尺寸数据库;基于检测仪器精度、实验台空间、材料应力极限、悬臂使用频率等条件选择数据库中满足要求的尺寸;采用本发明提出的方法设计、加工出的悬臂,能实现微悬臂的竖直加载,消除水平滑移,提高了采用微悬臂结构的扫描探针加工技术的测量与加工精度,为微纳加工产品质量提供了技术支持。
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公开(公告)号:CN110048435A
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201910269498.4
申请日:2019-04-04
Applicant: 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司 , 西南交通大学 , 南方电网科学研究院有限责任公司
IPC: H02J3/24
Abstract: 本发明公开了一种基于Jensen不等式的电力广域时滞控制器设计方法,用于为广域系统设计时滞稳定控制器,提高闭环系统时滞稳定裕度,该方法步骤如下:步骤1,随机生成待求系统初代控制器参数;步骤2,建立无时滞时闭环系统状态空间模型;步骤3,对无时滞时稳定的闭环系统,应用二分法迭代调用Jensen不等式时滞判据求取允许的时滞稳定上限;步骤4,应用差分进化算法的交叉、变异及选择操作生成新一代控制器参数;步骤5,判断迭代次数达上限或前后两次最优允许时滞稳定上限差是否小于指定值,如是,进入步骤6,否则返回步骤2;步骤7,输出最优控制器参数及其时滞稳定上限,结束操作。
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公开(公告)号:CN109850842A
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201910163123.X
申请日:2019-03-05
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅表面纳米坑无损加工方法,包括以下步骤:S1、对单晶硅样品进行清洗和腐蚀处理,以去除单晶硅样品表面的自然氧化层,并获得氢原子或羟基终止的单晶硅表面;S2、对单晶硅表面进行去离子水冲洗后,依次再放入酒精溶液和去离子水中超声清洗,以去除单晶硅表面污染;S3、利用扫描探针显微镜上的探针对单晶硅表面进行加工,探针以设定接触压力、接触时间或循环次数在加工位置反复进行压入-分离操作,从而去除加工位置处的硅原子获得无晶格缺陷的纳米坑。该方法对加工环境无特殊要求,加工表面晶格保持完整,基底材料无残余损伤,加工获得的纳米坑结构具有高可靠服役性能;加工步骤简单且灵活性高,加工成本低。
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公开(公告)号:CN106093469B
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201610382181.8
申请日:2016-06-01
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01P15/093
Abstract: 一种基于微悬臂投影的光电式加速度传感器,包括不透明的矩形壳体(9)、封装在矩形壳体(9)底部的芯片和矩形壳体(9)侧壁上部固定的光源(8);其中,所述的芯片依次由基底(1)、下绝缘材料层(2)、光敏材料层(3)、微悬臂结构层(5)组成;其特征在于:所述的微悬臂结构层(5)的中部和上绝缘材料层(4)的中部为贯通的矩形空腔;空腔内的矩形质量块(7a)通过条状的微悬梁(7b)连接在微悬臂结构层(5)的空腔壁上构成异形微悬臂;且矩形质量块(7a)在微悬梁(7b)方向的长度小于或等于矩形空腔在微悬梁(7b)方向的长度的1/2。其灵敏度高、分辨率高、响应快、可靠性强、寿命长;且结构简单,体积小,成本低,易于批量化生产。
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公开(公告)号:CN105973952A
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201610392191.X
申请日:2016-06-01
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种基于微悬臂投影的光电式气敏传感器,包括不透明的矩形壳体(9)、封装在矩形壳体(9)底部的芯片和矩形壳体(9)侧壁上部固定的光源(8);其中,所述的芯片依次由基底(1)、下绝缘材料层(2)、光敏材料层(3)、微悬臂结构层(5)组成;其特征在于:所述的微悬臂结构层(5)的中部和上绝缘材料层(4)的中部为贯通的矩形空腔;矩形空腔内的矩形质量块(7a)通过条状的微悬梁(7b)连接在微悬臂结构层(5)靠近光源(8)一侧的空腔壁上,构成异形微悬臂;且矩形质量块(7a)的表面沉积了一层气敏材料层(7c)。该种光电式气敏传感器灵敏度高、分辨率好、响应快、成本低、且使用寿命长。
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