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公开(公告)号：CN111048514B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910955875.X
申请日：2019-10-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 本申请涉及具有延伸穿过层堆叠的沟道开口或支柱的半导体装置和系统，以及形成方法。装置、系统和结构包含布置于层的一或多个层面中的材料的竖直交替层的堆叠。其中可形成沟道支柱的沟道开口延伸穿过所述堆叠。所述支柱包含横向延伸到所述沟道开口的“底切部分”中的“肩部部分”，所述底切部分沿着所述堆叠的所述层面中的至少一个的至少一下部层限定。
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公开(公告)号：CN112992912A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011359112.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 本申请案涉及包含堆叠存储器层面的集成组合件及集成组合件形成方法。一些实施例包含一种集成组合件，其具有：第一层面，其具有第一存储器单元；及第二层面，其具有第二存储器单元。所述第一存储器单元具有包含竖直地在第二导电材料的水平延伸条之间的第一导电材料的第一控制栅极区。所述第二存储器单元具有包含沿第三导电材料的外表面的第四导电材料的第二控制栅极区。柱穿过所述第一层面及所述第二层面。所述柱包含横向环绕沟道材料的电介质势垒材料。所述第一材料及所述第四材料直接抵靠所述电介质势垒材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112713150A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011117670.3
申请日：2020-10-19
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向隔开的存储器块，所述横向隔开的存储器块个别地包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层面及导电层面。存储器单元的可操作通道材料串延伸穿过所述绝缘层面及所述导电层面。所述存储器块中的第一虚设支柱延伸穿过所述通道材料串所延伸穿过的所述绝缘层面及所述导电层面中的至少大多数。第二虚设支柱横向地位于紧密横向相邻的所述存储器块之间且沿着紧密横向相邻的所述存储器块纵向隔开。所述第二虚设支柱延伸穿过所述可操作通道材料串横向地在所述紧密横向相邻的存储器块之间所延伸穿过的所述绝缘层面及所述导电层面中的至少大多数。揭示其它实施例，包含方法。
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公开(公告)号：CN111063688A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910984475.1
申请日：2019-10-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , E·拜尔斯 , M·L·卡尔森 , I·V·恰雷 , D·法兹尔 , J·D·霍普金斯 , N·M·洛梅利 , E·纳尔逊 , J·D·彼得松 , D·帕夫洛珀罗斯 , P·泰萨里欧 , 徐丽芳
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本申请案涉及存储器阵列及在形成存储器阵列时所使用的方法。一种在形成存储器阵列时所使用的方法包括：形成包括垂直交替的绝缘叠层与字线叠层的堆叠。所述堆叠在所述字线叠层上方包括绝缘体叠层。所述绝缘体叠层包括第一绝缘体材料，所述第一绝缘体材料包括硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者。对所述第一绝缘体材料进行图案化以在所述绝缘体叠层中形成第一水平伸长的沟槽。在所述第一沟槽中沿着所述第一绝缘体材料的侧壁形成第二绝缘体材料。所述第二绝缘体材料具有与所述第一绝缘体材料的组合物不同的组合物且使所述第一沟槽变窄。在形成所述第二绝缘体材料之后，穿过所述绝缘叠层及所述字线叠层而形成第二水平伸长的沟槽。所述第二沟槽水平地沿着所述变窄的第一沟槽、横向介于所述第二绝缘体材料之间且位于所述第二绝缘体材料下方。在所述堆叠中形成竖向延伸的存储器单元串。本发明揭示独立于方法的结构。
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公开(公告)号：CN109509754A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811003989.6
申请日：2018-08-30
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551
Abstract: 本申请案涉及用于形成电路结构的一种装置和一种方法。一种装置包括竖向延伸的晶体管阵列和邻近于并电耦合到所述阵列的所述竖向延伸的晶体管的电路结构。所述电路结构包括阶梯式结构，所述阶梯式结构包括竖直交替的层，所述竖直交替的层包括通过绝缘材料至少部分地彼此竖向分离的导电阶状物。操作性导电通路孔至少分别竖向地延伸穿过所述导电阶状物中的一个到所述竖直交替的层的底部，且分别电耦合到所述竖直交替的层下方的电子组件。虚设结构至少分别竖向地延伸穿过所述导电阶状物中的一个到所述竖直交替的层的所述底部。还公开了方法。
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公开(公告)号：CN109075166A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024561.7
申请日：2017-04-17
Applicant: 美光科技公司
Inventor： J·B·德胡特 , 王非 , C·E·卡特 , I·拉博瑞安特 , J·D·霍普金斯 , K·舍罗特瑞 , R·迈耶 , V·沙马娜 , K·R·帕雷克 , M·C·罗伯茨 , M·帕克
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11529
Abstract: 一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。所述导电层上方的层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。在一些实施例中，所述竖直堆叠导电层是NAND存储器阵列内的字线层。一些实施例包含一种具有与介电层交替的竖直堆叠导电层的集成结构。竖直堆叠NAND存储器单元在存储器阵列区域内沿着所述导电层。阶梯区域紧接所述存储器阵列区域。所述阶梯区域具有与所述导电层一对一对应的电接触件。层在所述存储器阵列区域及所述阶梯区域上方。所述层包含硅、氮以及碳、氧、硼与磷中的一或多者。
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公开(公告)号：CN107706190A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710677023.X
申请日：2017-08-09
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/1157
CPC classification number: H01L27/11556 , H01L27/11519 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/1157
Abstract: 本申请案涉及包括可编程电荷存储晶体管的存储器单元的高度上延伸的串的阵列及其形成方法。所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管，衬底包括含有存储器单元的第一区域及横向于所述第一区域的不含有存储器单元的第二区域。所述第一区域包括绝缘性材料与控制栅极材料的垂直交替叠层。所述第二区域包括横向于所述第一区域的不同组合物绝缘材料的垂直交替叠层。包括半导电沟道材料的沟道柱在高度上延伸穿过所述第一区域内的所述垂直交替叠层中的多者。隧道绝缘体、可编程电荷存储材料及控制栅极阻挡绝缘体介于所述沟道柱与所述第一区域内的所述控制栅极材料的所述叠层中的个别者的所述控制栅极材料之间。
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