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公开(公告)号：CN116779614A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310262610.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 美光科技公司
Inventor： K·M·考尔道 , 刘海涛 , D·V·N·拉马斯瓦米 , K·萨尔帕特瓦里 , R·E·法肯索尔
IPC: H01L27/092 , H01L29/49 , H10B10/00
Abstract: 本申请涉及反相器以及相关存储器装置和电子系统。一种反相器包含晶体管、上覆于所述晶体管的额外晶体管，以及插入于所述晶体管与所述额外晶体管之间且由两者共享的混合栅极电极。所述混合栅极电极包含上覆于所述晶体管的沟道结构的区、上覆于所述区且下伏于所述额外晶体管的额外沟道结构的额外区，以及插入于所述区与所述额外区之间的另一区。所述区具有第一材料组成。所述额外区具有不同于所述区的第一材料组成的第二材料组成。
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公开(公告)号：CN114121816B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202110862339.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请涉及用于竖直三维3D存储器的水平存取装置的主体下触点。提供了用于竖直堆叠存储器单元阵列的系统、方法和设备，所述竖直堆叠存储器单元阵列具有：水平取向存取装置，所述水平取向存取装置具有由沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，以及与所述沟道区域相对的栅极；竖直取向存取线，所述竖直取向存取线耦合到所述栅极并由栅极电介质与所述沟道区域分离。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区域的水平取向存储节点和耦合到所述第一源极/漏极区域的水平取向数位线。竖直主体触点的主体下导电触点与一或多个所述水平取向存取装置中的主体区域形成直接电接触并且由电介质与所述第一源极/漏极区域和所述水平取向数位线分离。
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公开(公告)号：CN111164755B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201880063923.8
申请日：2018-10-11
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本发明的实施例包括一种形成晶体管的方法，其包括：形成具有导电栅极材料的竖向最外表面的栅极构造，所述竖向最外表面低于所述栅极构造的两侧旁及所述两侧上方的半导体材料的竖向外表面。使用屏蔽材料来覆盖所述半导体材料及所述导电栅极材料的顶部，所述半导体材料的两对两个相对侧壁表面横向暴露于所述栅极构造的所述两侧上方。在所述覆盖之后，所述栅极构造的所述两侧上方的所述半导体材料经受通过所述两对中的每一者的所述两个横向暴露的相对侧壁表面中的每一者的单层掺杂且由此在所述栅极构造的所述两侧上方形成掺杂源极/漏极区域。
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公开(公告)号：CN115956295A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202180049925.3
申请日：2021-07-24
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种存储器装置包含存储器单元阵列和多个位线，其中每一位线连接到所述存储器单元阵列的存储器单元的相应集合。所述存储器装置包含具有第一和第二存储器电路的存储器子系统。每一第一存储器电路可横向邻近于第二存储器电路安置。每一第一存储器电路包含第一位线连接且每一第二存储器电路包含第二位线连接，所述第一和第二位线连接可连接到相应位线。每一第一位线连接安置于所述存储器子系统的第一位线连接线上且每一第二位线连接安置于所述存储器子系统的第二位线连接线上，且所述第二位线连接线可从所述第一位线连接线偏移大于零的预定距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115552606A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180033389.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108 , H01L27/11504 , H01L27/11507 , H01L21/8234
Abstract: 一些实施例包含具有竖直延伸的有源区的阵列的集成式组合件。所述有源区中的每一个包含于四侧区域内。导电栅极材料经配置为第一导电结构。所述第一导电结构中的每一个沿着所述阵列的行延伸。所述第一导电结构包含沿着所述四侧区域中的每一个的四侧中的三侧的片段。第二导电结构在所述有源区下方且沿着所述阵列的列延伸。第三导电结构沿着所述阵列的行延伸且邻近于所述四侧区域的第四侧。存储元件与所述有源区耦合。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
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公开(公告)号：CN114823496A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210094004.5
申请日：2022-01-26
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L27/11548 , H01L27/11556
Abstract: 本申请涉及形成微电子装置的方法，和相关微电子装置、存储器装置和电子系统。所述形成微电子装置的方法包括形成包括布置成层次的竖直交替的绝缘结构和导电结构的堆叠结构。所述层次中的每一个个别地包括所述绝缘结构中的一个和所述导电结构中的一个。牺牲材料形成于所述堆叠结构之上且柱结构形成为竖直延伸穿过所述堆叠结构和所述牺牲材料。所述方法包括：在所述柱结构的上部部分内形成导电插塞结构；形成竖直延伸穿过所述堆叠结构和所述牺牲材料的狭槽；至少部分地去除所述牺牲材料以形成水平插入在所述导电插塞结构之间的开口；和在所述开口内形成低K介电材料。
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公开(公告)号：CN114597216A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111459315.9
申请日：2021-12-02
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请涉及具有升高的延伸区和半导体鳍片的晶体管。本发明提供设备以及形成类似晶体管的方法，所述设备具有连接在电压节点与负载节点之间的晶体管，其中所述晶体管包括：介电材料，其上覆半导体材料，所述半导体材料包括鳍片且具有第一导电类型；导体，其上覆所述介电材料；第一延伸区基底和第二延伸区基底，其形成在所述半导体材料中且具有第二导电类型；第一延伸区竖板和第二延伸区竖板，其形成为上覆相应第一延伸区基底和相应第二延伸区基底且具有所述第二导电类型；以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，其形成在相应第一延伸区竖板和相应第二延伸区竖板中且具有呈比其相应延伸区竖板更高的导电水平的所述第二导电类型。
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公开(公告)号：CN114121816A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110862339.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及用于竖直三维3D存储器的水平存取装置的主体下触点。提供了用于竖直堆叠存储器单元阵列的系统、方法和设备，所述竖直堆叠存储器单元阵列具有：水平取向存取装置，所述水平取向存取装置具有由沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，以及与所述沟道区域相对的栅极；竖直取向存取线，所述竖直取向存取线耦合到所述栅极并由栅极电介质与所述沟道区域分离。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区域的水平取向存储节点和耦合到所述第一源极/漏极区域的水平取向数位线。竖直主体触点的主体下导电触点与一或多个所述水平取向存取装置中的主体区域形成直接电接触并且由电介质与所述第一源极/漏极区域和所述水平取向数位线分离。
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公开(公告)号：CN108012566B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201680048220.9
申请日：2016-06-17
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L21/28
Abstract: 一些实施例包含一种集成结构，所述集成结构具有交替的电介质层与导电层的堆叠，且具有所述导电层内的垂直堆叠的存储器单元。开口延伸穿过所述堆叠。沟道材料位于所述开口内且沿着所述存储器单元。所述沟道材料的至少一些含有锗。
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