公开(公告)号：CN113939919B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202080041000.X

申请日：2020-06-17

Applicant: 美光科技公司

Inventor： V·米哈廖夫 ,  M·瓦奥莱特

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/329 ,  H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B43/40 ,  H10B43/20

Abstract: 一种电容器结构包含：第一导电区的第一岛状物和所述第一导电区的第二岛状物，其具有第一导电类型；第二导电区的岛状物，其具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；电介质，其覆盖在所述第一导电区的所述第一岛状物上；导体，其覆盖在所述电介质上；以及二极管的端子，其覆盖在所述第一导电区的所述第二岛状物上且覆盖在所述第二导电区的所述岛状物上。

公开(公告)号：CN115956295A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202180049925.3

申请日：2021-07-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·A·史密斯 ,  刘海涛 ,  V·米哈廖夫

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种存储器装置包含存储器单元阵列和多个位线，其中每一位线连接到所述存储器单元阵列的存储器单元的相应集合。所述存储器装置包含具有第一和第二存储器电路的存储器子系统。每一第一存储器电路可横向邻近于第二存储器电路安置。每一第一存储器电路包含第一位线连接且每一第二存储器电路包含第二位线连接，所述第一和第二位线连接可连接到相应位线。每一第一位线连接安置于所述存储器子系统的第一位线连接线上且每一第二位线连接安置于所述存储器子系统的第二位线连接线上，且所述第二位线连接线可从所述第一位线连接线偏移大于零的预定距离。

公开(公告)号：CN114597216A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202111459315.9

申请日：2021-12-02

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘海涛 ,  M·瓦奥莱特 ,  M·A·赫尔姆 ,  黄广宇 ,  V·米哈廖夫

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请涉及具有升高的延伸区和半导体鳍片的晶体管。本发明提供设备以及形成类似晶体管的方法，所述设备具有连接在电压节点与负载节点之间的晶体管，其中所述晶体管包括：介电材料，其上覆半导体材料，所述半导体材料包括鳍片且具有第一导电类型；导体，其上覆所述介电材料；第一延伸区基底和第二延伸区基底，其形成在所述半导体材料中且具有第二导电类型；第一延伸区竖板和第二延伸区竖板，其形成为上覆相应第一延伸区基底和相应第二延伸区基底且具有所述第二导电类型；以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，其形成在相应第一延伸区竖板和相应第二延伸区竖板中且具有呈比其相应延伸区竖板更高的导电水平的所述第二导电类型。

公开(公告)号：CN115705857A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210936279.9

申请日：2022-08-05

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·A·史密斯 ,  V·米哈廖夫

IPC: G11C5/14 ,  G11C16/14 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34

Abstract: 本申请涉及具有源板放电电路的存储器。在一个实施例中，一种存储器装置包含(a)多个存储器单元、(b)电耦合到所述多个存储器单元的源板，以及(c)放电电路。所述放电电路可包含双极结晶体管装置，所述双极结晶体管装置电耦合到所述源板且被配置成通过(例如)经由所述双极结晶体管装置释放电流来降低所述源板处的电压。在一些实施例中，所述双极结晶体管装置可使用电耦合到所述双极结晶体管的低电压开关或高电压开关来激活。在这些和其它实施例中，所述双极结晶体管装置可在释放电流以降低所述源板处的所述电压的同时在雪崩模式中操作。

公开(公告)号：CN115207106A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210330418.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： V·米哈廖夫 ,  刘海涛

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 多栅极晶体管以及含有此类多栅极晶体管的设备及形成此类多栅极晶体管的方法可促进门控集成电路装置中的电压。此类多栅极晶体管可包含有源区，其具有第一导电性类型；第一源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型；第二源极/漏极区域，其位于所述有源区中且具有所述第二导电性类型；及多个控制栅极，其在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间与所述有源区邻近，其中所述多个控制栅极中的每一控制栅极包括相应多个控制栅极部分，且其中对于所述多个控制栅极中的特定控制栅极，其相应多个控制栅极部分中的每一控制栅极部分在多个不同平面中的相应平面中与所述有源区邻近。

公开(公告)号：CN113939919A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202080041000.X

申请日：2020-06-17

Applicant: 美光科技公司

Inventor： V·米哈廖夫 ,  M·瓦奥莱特

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/329 ,  H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24

Abstract: 一种电容器结构包含：第一导电区的第一岛状物和所述第一导电区的第二岛状物，其具有第一导电类型；第二导电区的岛状物，其具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；电介质，其覆盖在所述第一导电区的所述第一岛状物上；导体，其覆盖在所述电介质上；以及二极管的端子，其覆盖在所述第一导电区的所述第二岛状物上且覆盖在所述第二导电区的所述岛状物上。