-
公开(公告)号：CN118160424A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280072911.8
申请日：2022-10-25
Applicant: 美光科技公司
IPC: H10B12/00 , H01L29/788
Abstract: 一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：第一晶体管，其包含第一沟道区及与所述第一沟道区分离的电荷存储结构；第二晶体管，其包含形成在所述电荷存储结构上方的第二沟道区；及数据线，其形成在所述第一沟道区及所述第二沟道区上方并接触所述第一沟道区及所述第二沟道区，所述数据线包含邻近所述第一沟道区且通过介电材料与所述第一沟道区分离的部分。
-
公开(公告)号：CN114127678A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080050709.6
申请日：2020-05-12
Applicant: 美光科技公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 描述了用于推测性存储器区段选择的方法、系统和装置。一个存储器区段中的有缺陷存储器组件可使用另一存储器区段中的修复组件来修复。可启用存储器区段的推测性选择，由此当接收到指示一个存储器区段中的地址的存储器命令时可选择多个存储器区段中的存取线。在选择所述多个存储器区段中的所述存取线的同时，执行另一存储器区段中的修复组件是否待存取的确定。基于所述确定，可维持所述存储器区段中的一个中的所述存取线，且可将其它存储器区段中的所述存取线取消选择。
-
公开(公告)号：CN111095229A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059390.6
申请日：2018-08-21
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 描述了涉及按需存储器页大小的系统、装置和方法。存储器系统可采用支持按需可变存储器页大小的协议。存储器系统可包含一或多个非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可各自包含经配置以支持可变存储器页大小操作的本地存储器控制器。所述存储器系统可包含介接在所述非易失性存储器装置与处理器之间的系统存储器控制器。举例来说，所述系统存储器控制器可使用有助于按需存储器页大小的协议，其中在操作中使用的特定页大小的确定可基于存储器命令以及所述存储器命令中所涉及的数据的特性。
-
公开(公告)号：CN117641897A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311062923.5
申请日：2023-08-22
Applicant: 美光科技公司
Inventor： F·A·席赛克·艾吉 , 崔铭栋 , R·E·法肯索尔
Abstract: 本申请涉及用于三维存储器阵列中的字线复用的结构。存储器裸片可包含用于阶梯区附近或之间的区中的存取线复用的电路。例如，对于字线堆叠的每一字线，复用区可包含半导体材料的相应第一部分及所述半导体材料的相应第二部分，且还可包含可操作以调制所述第一部分与所述第二部分之间的电导率的栅极材料。每一字线可与所述半导体材料的所述相应第一部分耦合，使得所述栅极材料的偏置可将所述字线与所述半导体材料的所述相应第二部分耦合。此类特征可支持用于与所述字线堆叠相关联或在多个字线堆叠当中或两者的复用的各种技术。
-
公开(公告)号：CN111095229B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201880059390.6
申请日：2018-08-21
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 本申请涉及按需存储器页大小。描述了涉及按需存储器页大小的系统、装置和方法。存储器系统可采用支持按需可变存储器页大小的协议。存储器系统可包含一或多个非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可各自包含经配置以支持可变存储器页大小操作的本地存储器控制器。所述存储器系统可包含介接在所述非易失性存储器装置与处理器之间的系统存储器控制器。举例来说，所述系统存储器控制器可使用有助于按需存储器页大小的协议，其中在操作中使用的特定页大小的确定可基于存储器命令以及在所述存储器命令中所涉及的数据的特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114627952A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111477053.9
申请日：2021-12-06
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 与存储器装置中的数据恢复有关的系统、方法及设备。在一个方法中，存储器装置对所存储的数据编码。所述存储器装置从存储媒体读取码字，并确定所述码字中的错误数目超过所述存储器装置的错误校正能力。例如，所述错误是由一或多个卡住位造成。响应于此确定，向所述存储媒体的从中读取所述码字的相同地址写入一或多个数据模式。读取所述数据模式以识别所述卡住位的位位置。所识别位置用于校正读取的码字中对应于所述所识别位置的位错误。经校正码字被发送到主机装置(例如，其已使用读取命令向所述存储器装置请求数据)。
-
公开(公告)号：CN113498540A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202080015745.9
申请日：2020-02-11
Applicant: 美光科技公司
Inventor： R·E·法肯索尔
Abstract: 本发明描述用于存储器装置的源极线配置的方法、系统及装置。在一些情况中，所述存储器装置的存储器单元可包含具有用于存储所述存储器单元的逻辑状态的浮动栅极的第一晶体管及与所述第一晶体管的所述浮动栅极耦合的第二晶体管。所述存储器单元可与字线、数字线及源极线耦合。在写入操作期间，可使用所述存储器装置中的一或多个存储器单元将所述源极线箝位到所述数字线。在读取操作期间，可使用所述存储器装置中的一或多个存储器单元使所述源极线接地。
-
公开(公告)号：CN110570895B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201910486891.9
申请日：2019-06-05
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C29/44
Abstract: 本发明涉及阵列板短路修复。描述用于操作一或多个铁电存储器单元的方法、系统、技术及装置。单元群组可取决于(例如)所述单元群组、单元页及/或单元区段的单元板之间的关系以不同方式操作。可成对地或以更大倍数选择单元以便适应一群组、一页及/或一区段内的两个或两个以上单元之间的电流关系(例如短路)。当基于较小页尺寸执行存取时，可选择较大页尺寸的单元以适应所述较小页、所述较大页及/或包含所述较小页或所述较大页的存储器区段内的板之间的短路。
-
公开(公告)号：CN111149165A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201880063585.8
申请日：2018-08-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: G11C11/22
Abstract: 描述与用于随机存取和铁电存储器的损耗均衡相关的方法、系统和装置。例如铁电随机存取存储器FeRAM之类的非易失性存储器装置可以利用损耗均衡来通过避免由于循环能力有限引起的可靠性问题而延长存储器装置的寿命。可以通过放宽或避免对存储器阵列的同一部分内的源页面和目标页面的限制来扩展损耗平衡池或用于损耗平衡应用的单元数量。另外，在将数据从所述源页面移动到所述目标页面时，可以应用纠错码以避免复制所述源页面中存在的错误。
-
公开(公告)号：CN110998543A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050879.7
申请日：2018-07-24
Applicant: 美光科技公司
Abstract: 实例设备包括存储器单元阵列的第一部分、所述存储器单元阵列的第二部分、对应于所述第一部分的第一寄存器及对应于所述第二部分的第二寄存器。所述第一寄存器基于所述第一部分被存取或待存取的频率而指示是否磨损平整所述第一部分，且所述第二寄存器基于所述第二部分被存取或待存取的频率而指示是否磨损平整所述第二部分。所述设备响应于设置命令而设置所述第一或第二寄存器以指示是否磨损平整所述第一或第二部分。且所述设备当所述设备通电时接收所述设置命令。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.039 seconds)
