公开(公告)号：CN108012566A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201680048220.9

申请日：2016-06-17

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘海涛 ,  钱德拉·穆利 ,  S·科韦什尼科夫 ,  D·帕夫洛珀罗斯 ,  黄广宇

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11582

Abstract: 一些实施例包含一种集成结构，所述集成结构具有交替的电介质层与导电层的堆叠，且具有所述导电层内的垂直堆叠的存储器单元。开口延伸穿过所述堆叠。沟道材料位于所述开口内且沿着所述存储器单元。所述沟道材料的至少一些含有锗。

公开(公告)号：CN108012566B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201680048220.9

申请日：2016-06-17

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 刘海涛 ,  钱德拉·穆利 ,  S·科韦什尼科夫 ,  D·帕夫洛珀罗斯 ,  黄广宇

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/28

Abstract: 一些实施例包含一种集成结构，所述集成结构具有交替的电介质层与导电层的堆叠，且具有所述导电层内的垂直堆叠的存储器单元。开口延伸穿过所述堆叠。沟道材料位于所述开口内且沿着所述存储器单元。所述沟道材料的至少一些含有锗。