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公开(公告)号：CN1464861A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802326.9
申请日：2002-06-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C04B35/457 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/4521 , C04B35/465 , C04B35/472 , C04B35/475 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/497 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3463 , C04B2235/664 , C04B2235/76 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C16/40 , C23C16/409 , C23C18/1208 , C23C18/1225 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括以下步骤：通过使含有第一原料液和第二原料液的原料液结晶，形成一陶瓷膜。该第一原料液与第二原料液的种类不同，前者用于产生铁电体而后者用于产生ABO类的氧化物，前者所含的溶剂的极性与后者所含的溶剂的极性不同，第一原料液和第二原料液发生相分离而形成膜，从而在陶瓷膜的平面方向断续地形成由第一原料液形成的第一晶体，并且形成由第二原料液形成的第二晶体，这样介于第一晶体之间。
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公开(公告)号：CN1983464B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610172526.3
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种强电介质膜，由AB1-XNbXO3的通式表示，其中，作为A元素至少含有Pb，作为B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中的至少一种以上构成，0.1≤x≤0.4。
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公开(公告)号：CN1929038B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200610127756.8
申请日：2006-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01B3/10 , H01B3/12 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/00
CPC classification number: H03H9/02574 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/318 , Y10T428/12493
Abstract: 本发明提供一种绝缘性优良的复合氧化物层压体及其制造方法。包括：基板(20)；形成在所述基板(20)的上方、用通式ABO3表示的第一复合氧化物层(24)；以及形成在所述第一复合氧化物层(24)的上方、用通式AB1-xCxO3表示的第二复合氧化物层(26)，其中A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W及Hf中的至少一种，C元素包括Nb及Ta中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100585851C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710106713.6
申请日：2007-05-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 木岛健
CPC classification number: H01L28/65 , H01L27/11502 , H01L28/56
Abstract: 本发明提供一种可靠性良好的铁电体电容器及其制造方法。铁电体电容器(100)包括：基板(20)；形成于所述基板(20)的上方的第一电极(22)；形成于所述第一电极(22)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)O3表示的复合氧化物构成的第一铁电体层(24)；形成于所述第一铁电体层(24)的上方的、由用Pb(Zr，Ti)1-XNbXO3表示的复合氧化物构成的第二铁电体层(26)；以及形成于所述第二铁电体层(26)上方的第二电极(30)。
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公开(公告)号：CN101552317A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910129911.3
申请日：2009-04-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/18 , B41J2/135
CPC classification number: H01L41/18 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1645 , H01L41/0815 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种特性良好的非铅系压电材料。尤其是能够提高以Bi(Fe、Mn)O3及Ba(Zr、Ti)O3为基础的压电材料的特性。本发明的压电元件的特征在于，具有：第一电极(6)、配置于所述第一电极上的压电体膜(9)、配置于所述压电体膜上的第二电极(11)，其中，构成所述压电体膜的压电材料为由Bi(Fe、Mn)O3和Ba(Zr、Ti)O3的混合晶构成的压电材料，并由组成式(1－x)Bi(Fe1－yMny)O3－xBa(ZruTi1－u)O3表示，且0＜x＜0.40、0.01＜y＜0.1及0≤u＜0.16。根据这样的构成，能够维持Bi(Fe1－yMny)O3的自发极化量及高居里温度，通过Ba(ZruTi1－u)O3能够实现压电特性的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100535177C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610112283.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/493 , C04B35/497 , C04B35/6264 , C04B35/6325 , C04B35/6346 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C23C14/088 , H01L21/31691 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种可在与现有的烧结法相比温度非常低的环境下获得的绝缘性靶材。上述绝缘性靶材用于获得以通式AB1-xCxO3表示的绝缘性复合氧化膜，其中，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf中的至少一种，C元素包括Nb以及Ta中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100463180C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510002523.0
申请日：2005-01-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/316 , H01L41/16 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11507 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B2235/3231 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C23C18/1216 , H01L21/31691 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种可以得到可靠性高的铁电装置的铁电体膜，其由用ABO3表示的钙钛矿结构铁电体构成，在A位上包括作为A位补偿离子的Si2+、Ge2+、以及Sn2+中的至少一种，在B位上包括作为B位补偿离子的Nb5+。
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公开(公告)号：CN100442455C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510074094.8
申请日：2005-05-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C23C18/1254 , C23C18/1216 , C23C18/1241
Abstract: 本发明提供利用液相法具有好的组成控制性且使铅等的金属成份的再利用成为可能的强电介质形成用的前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法以及使用了前驱体组合物的强电介质膜的制造方法。本发明中的前驱体组合物是含有用于形成强电介质的前驱体的前驱体组合物，所述强电介质用通式AB1-XCXO3表示，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W和Hf中的至少一个构成，C元素由Nb和Ta中的至少一个构成，所述前驱体至少含有所述B元素和C元素，而且局部含有酯键。
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公开(公告)号：CN101159180A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710163830.6
申请日：2007-09-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05K3/107 , H05K3/045 , H05K3/20 , H05K2203/0108 , H05K2203/072 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种可形成精度良好的微细图形金属层的元件基板及其制造方法。所述制造方法包括：在第一支持基板(10)上形成剥离层(24)的工序；在剥离层上形成一定图形的金属层(34)的工序；在第一支持基板上涂布含有无机基板原料的溶胶－凝胶溶液的工序；通过施加热处理去除溶胶－凝胶溶液的溶剂而形成无机基板(114)的工序；以及通过分解剥离层而将金属层(34)从所述第一支持基板上剥离，使所述金属层从所述第一支持基板(10)上移动至无机基板上的工序。
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公开(公告)号：CN100364065C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410084106.0
申请日：2004-10-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 木岛健
CPC classification number: G11C11/22 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H01G7/06 , H01L21/31691 , H01L27/101 , H01L27/11502 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供一种具有优良结晶品质的强电介质膜的制造方法，及根据此制造方法获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法包括：形成强电介质初始核层(54)的步骤，其利用第一强电介质原料的溶液，通过水热电极沉积法沉积在电极；使第二强电介质原料的粒子带电的步骤；形成强电介质材料膜(50)的步骤，其通过移动电极沉积法使带电的第二强电介质原料的粒子沉积在所述强电介质初始核层(54)上；对所述强电介质材料膜(50)进行热处理的步骤。
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