公开(公告)号：CN102713757A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080059506.X

申请日：2010-12-08

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  赵显模 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11

Abstract: 提供了一种抗蚀剂下层组合物，包括：有机硅烷类缩聚物以及溶剂。该有机硅烷类缩聚物以10到40mol%由说明书中化学式1表示的结构单元提供。因此，本发明提供一种可传输优异图案以形成具有优异的存储稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂下层的抗蚀剂下层组合物，且本发明还涉及使用该抗蚀剂下层组合物制造半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN102585516A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110425397.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 林相学 ,  金奉焕 ,  吴正堈 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C08L83/14 ,  C08G77/54 ,  H01L21/31 ,  H01L27/108

CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。 、 如下所示。

公开(公告)号：CN101370854B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200780002634.9

申请日：2007-01-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙燦 ,  金相均 ,  林相学 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金旼秀 ,  尹敬皓 ,  南伊纳

IPC: C08G77/00 ,  C08G77/02 ,  C08G77/08 ,  C08G77/06

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/20 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  H01L21/3121

Abstract: 根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR1)(OR2)(OR3)R4，其中R1、R2和R3可以各自独立地为烷基，且R4可以为-(CH2)nR5，其中R5为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR6)(OR7)(OR8)R9，其中R6、R7和R8可以各自独立地为烷基或芳基，且R9可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。

公开(公告)号：CN102108166A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010225168.4

申请日：2010-07-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 崔世荣 ,  金宰贤 ,  金南光 ,  郑宜浚 ,  金相均 ,  韩权愚 ,  成现芋

IPC: C08L25/14 ,  C08L33/12 ,  C08L33/14 ,  C08K5/3492 ,  C08K5/42 ,  C09D125/14 ,  C09D133/12 ,  C09D133/14 ,  C09D7/12 ,  G02B5/20 ,  G02B1/10 ,  H04N5/335

CPC classification number: G02B1/14 ,  C08K5/06 ,  C08L33/08 ,  C08L79/04 ,  C09D5/024 ,  C09D7/63 ,  C09D133/06 ,  C09D133/08 ,  C09D179/04 ,  G02B1/041 ,  G02B1/105 ,  G02B5/201 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1005 ,  Y10T428/1036 ,  Y10T428/105 ,  C08L33/10 ,  C08L61/28

Abstract: 本发明披露了一种用于滤色片的保护层的树脂组合物，该树脂组合物包括含有由化学式1至3表示的重复单元的丙烯酸酯基树脂、由化学式4表示的三聚氰胺基树脂、热生酸剂(TAG)和溶剂。本发明还披露了一种利用该树脂组合物制造的滤色片保护层、以及包括该滤色片保护层的图像传感器。该树脂组合物对于分子内固化具有高稳定性和优异的耐化学性，并且当被用于设置滤色片的保护层时具有优异的平整度。

公开(公告)号：CN101910947A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880124489.6

申请日：2008-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金相均 ,  赵显模 ,  高尚兰 ,  金美英 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/16 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中，x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例，且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z＝1；e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比，且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25；X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基；R3为C1-C6烷基；Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基；及R6为C1-C6烷基。

公开(公告)号：CN101770176A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910215844.7

申请日：2009-12-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉 ,  郑仁善

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08K5/54 ,  G03F7/0752

Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1][R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3][R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4][R8]3Si-R9[化学式5][R10]3Si-X-Si[R10]3。

公开(公告)号：CN101042533B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710007513.5

申请日：2007-01-30

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金钟涉 ,  金相均 ,  林相学

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物，该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物，其中，R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟；且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基；并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4 (I)

公开(公告)号：CN101506941A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680055586.5

申请日：2006-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  金到贤

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/0276

Abstract: 本发明公开了一种用于处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。这种硬掩模组合物含有：(a)由[RO]3Si－R′(1)表示的化合物制备的含烷氧基有机硅烷聚合物(其中R是甲基或乙基，而R′是取代或未取代的环状或无环烷基)，或由式1的化合物和[RO]3Si－Ar(2)表示的化合物(其中R是甲基或乙基，而Ar是含芳环官能团)制备的含烷氧基有机硅烷聚合物；和(b)溶剂。该硬掩模组合物具有优良的膜特性。另外，该硬掩模组合物表现出优良的硬掩模特性，由此能够把好的图案有效地转印到材料层。特别地，该硬掩模组合物在储存期间是高度稳定的。进而本申请还公开了一种用于采用该硬掩模组合物生产半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN101449207A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200680054744.5

申请日：2006-12-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金旼秀 ,  邢敬熙 ,  南伊纳

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明披露了一种抗反射硬掩膜组合物，其具有对于光刻工艺有用的抗反射性能。该硬掩膜组合物提供了优异的光学性能、优异的机械性能以及高的蚀刻选择性。另外，该硬掩膜组合物可以通过旋涂技术容易地施用。有利地，该硬掩膜组合物适用于短波长光刻工艺，并具有最小的剩余酸含量。

公开(公告)号：CN104109589B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201310567460.8

申请日：2013-11-14

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  金古恩 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  宋炫知 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/24 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式1表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。[化学式1]