公开(公告)号：CN104109589A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201310567460.8

申请日：2013-11-14

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  金古恩 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  宋炫知 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/24 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0206 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  C11D7/266 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。

公开(公告)号：CN103910885A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310718120.0

申请日：2013-12-23

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 裴镇希 ,  李汉松 ,  郭泽秀 ,  金古恩 ,  金补宣 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  宋炫知 ,  林相学 ,  任浣熙 ,  洪承希 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/62 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/92 ,  C08G77/00 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326

Abstract: 本发明披露了制备间隙填充剂的方法；通过所述方法制备的间隙填充剂；和使用所述间隙填充剂的半导体电容器。制备间隙填充剂的方法包括将卤代硅烷注入碱性溶剂并以约1g/hr至约15g/hr的速度加入基于100重量份卤代硅烷的约50重量份至约70重量份的氨以提供氢化聚硅氮烷。

公开(公告)号：CN104109589B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201310567460.8

申请日：2013-11-14

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  李汉松 ,  任浣熙 ,  金古恩 ,  郭泽秀 ,  金补宣 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  徐珍雨 ,  宋炫知 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/24 ,  C11D7/50 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了用于绝缘膜的清洗液以及清洗绝缘膜的方法。公开了包含由以下化学式1表示的溶剂的用于绝缘层的清洗液、以及利用所述清洗液清洗绝缘层的方法。在化学式1中，R1和Ra至Re与在详细描述中所定义的相同。[化学式1]