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公开(公告)号：CN115061069A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210707605.9
申请日：2022-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种传输线校准件的长度优化方法，用于解决现有技术中存在的过于依赖经验，以及公开的传输线校准件长度设计结果难以直接用于其他介质材料上的技术问题，实现步骤为：1)对待测件的频率范围进行划分；2)计算传输线校准件与直通校准件的相对长度；3)根据最大加工能力作长度判断；4)计算待测件频率范围上的传输线校准件初始长度；5)构建目标函数；6)获取传输线校准件初始长度的优化结果。本发明通过模拟数据和算法迭代对传输线校准件的长度作优化，减小了传输线校准件长度对于矢量网络分析仪测量结果精度的影响，并且适用于各种介质材料下传输线校准件长度的优化。
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公开(公告)号：CN115036310A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210712707.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/778 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法，主要解决现有GaN基CMOS载流子浓度和迁移率低的问题。其自下而上包括：衬底、缓冲层、GaN n型沟道层、YAlN势垒层、GaN p型沟道层、p‑GaN层、绝缘栅介质层，中间设有深度至n型沟道层中部的隔离槽；隔离槽右侧的p‑GaN层上设有右栅电极，且YAlN势垒层两端设有右源、漏电极，形成n型场效应管；隔离槽左侧的绝缘栅介质层上设有左栅电极，其p‑GaN层两端设有左源、漏电极，形成p型场效应管，这两个场效应管互联。本发明能提升CMOS器件载流子浓度和迁移率，提高器件工作频率和输出功率，可用于全GaN功率系统。
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公开(公告)号：CN114984452A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210797282.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: A61N1/36
Abstract: 本发明公开了一种可实现时间干涉的电刺激仪，包括上位机、数字芯片和外围电路；上位机通过UART交互协议与数字芯片交换数据；数字芯片内部划分为两个部分：数据控制端和数据处理端；外围电路包括DAC、ADC、压控电流源电路，DAC和ADC均与数字芯片相连，DAC将数字芯片输出的数字控制信号转化为模拟电压信号输出，在DAC后外接一个压控电流源将输出模拟电压信号转化为电流信号；通过ADC得到各电极实时电压信号。本发明将所有计算于控制功能模块集成与同一片数字芯片，外围电路与芯片可独立迭代互不影响，节约开发成本；加入阻抗检测系统，可以在实验前与实验中实时监测各电极阻抗情况，在保证了输出安全性的同时也保证了信号输出的准确度。
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公开(公告)号：CN114975623A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210658275.9
申请日：2022-06-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/51 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于AlGaSbN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有HEMT器件势垒层Al组分及二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)和势垒层(4)，该势垒层的两端分别设有漏源电极(6，7)，中间设有栅电极(8)，势垒层未淀积电极的位置处为栅介质层(5)，其上设有Si3N4钝化层(9)，该势垒层采用AlGaSbN材料，以增加Al组分，实现与GaN缓冲层(3)的晶格匹配；该栅介质层采用SiO2材料，以减小栅极漏电。本发明提升了二维电子气的浓度和工作效率，可用来制作GaN基高压大功率电子器件和射频电子器件。
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公开(公告)号：CN114769611A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210355824.5
申请日：2022-04-06
Applicant: 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明公开了一种利用松针提取物制备纳米银的方法，用无菌蒸馏水制备硝酸银，与高纯度的松针提取物溶液混合，通过生物还原的方法，即可得到纳米银溶胶。该方法不需任何化工合成还原剂和稳定剂，采用松针提取物溶液为还原剂，以硝酸银为前驱体绿色合成纳米银，反应条件温和、环保、简单易操作，反应产物稳定。
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公开(公告)号：CN114759889A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210228005.4
申请日：2022-03-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种W波段的伪差分Cascode结构的高增益功率放大器电路，包括：依次连接的输入巴伦、若干级放大电路单元和输出巴伦，其中，输入巴伦和输出巴伦均采用单圈层叠变压器的巴伦结构；放大电路单元采用伪差分的共射共基放大结构。本发明的W波段的伪差分Cascode结构的高增益功率放大器电路，放大电路单元采用伪差分的共射共基(Cascode)放大结构，可以在放大差模信号的同时抑制共模信号，提高放大器的输出电压摆幅，降低键合线寄生电感对功放的影响，同时差分结构可以降低功率放大器对其他电路的干扰，这样能够保证功率放大器在W波段的信号衰减下仍然具有较高增益。
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公开(公告)号：CN111987144B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010846921.5
申请日：2020-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L29/872 , H03F1/52
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管多级限幅电路，主要解决现有限幅器功率容量小，响应速度慢的问题。其自左到右依次为第一级对管(1)、第二级对管(2)、第三级对管(3)，各级对管之间通过微带线L连接，三级对管均采用凹槽阳极结构的横向氮化镓肖特基二极管，第一级对管中的两个二极管采用Pt作为阳极金属，开启电压1.2V；第二级对管中的两个二极管采用Ni作为阳极金属，开启电压0.8V，第三级对管中的两个二极管采用W或Mo作为阳极金属，开启电压0.4V。本发明通过采用开启电压逐级减小的氮化镓肖特基二极管，显著提升了限幅电路的频率响应，降低了限幅电平，提高了功率容量，可用于微波防护。
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公开(公告)号：CN114591074A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210310186.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种自偏置铁氧体基板用高剩磁M型六角铁氧体及制备方法。通过适宜的球磨、预烧工艺，结合湿法磁场成型工艺制备生坯，再结合优化的烧结工艺，最终制备一种高剩磁M型钡铁氧体材料。其特征在于，饱和磁化强度约4300Gs，剩磁约3500Gs，矫顽力约2300～2400Oe。
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公开(公告)号：CN113571589B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110843254.X
申请日：2021-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/808 , H01L21/337 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有隧穿场效应晶体管开态电流小和双极效应严重的问题。其包括源极、栅极、漏极、源区、沟道区和漏区，载流子通过源极进入沟道区并通过漏极离开沟道区，沟道区包括“一”部和“1”部，“1”部包括与“一”部连接的第一连接端，以及与第一连接端相对设置的第二连接端，第二连接端通过漏区连接漏极，“1”部的两侧设置有两个栅极，两个栅极与“1”部之间分别设置有两个第一异质介质，栅极和第一异质介质垂直于第二异质介质设置，且第一异质介质与第二异质介质的高度之和与“1”部相等，栅极与第一异质介质高度相等，“一”部两侧分别设置有两个源极。
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公开(公告)号：CN114094955A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111236061.4
申请日：2021-10-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种W波段的高增益低噪声放大器电路，包括级联的三级放大电路，均采用共射共基放大结构，包括输入匹配网络、输入调谐电感、共射极晶体管、互联电感、共基极晶体管、偏置去耦电容和输出匹配网络；输入匹配网络的输入端连接输入信号，输出端与共射极晶体管的基极之间串接输入调谐电感；共射极晶体管的集电极和共基极晶体管的发射极之间串接互联电感；共基极晶体管的基极连接偏置去耦电容的一端和VDD，偏置去耦电容的另一端接地；共基极晶体管的集电极连接输出匹配网络，输出匹配网络同时连接VDD；第二级和第三级放大电路的共射极晶体管的发射极直接接地，第一级通过射极反馈电感接地。本发明能实现W波段的高增益和低噪声系数。
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