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公开(公告)号：CN118099688A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410423352.1
申请日：2024-04-09
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P1/20
摘要： 本发明公开了一种基于桥型T线圈结构的三维电感阵列耦合微波滤波器，自上而下依次包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体衬底层、第四金属层；第三金属层上包括若干上层金属连接件，若干上层金属连接件被分为多个金属单元，每个金属单元中均包括两组数量相同的上层金属连接件；第四金属层上设置有若干下层金属连接件；半导体衬底层中设有若干同轴硅通孔结构，每个硅通孔结构均形成一个硅通孔电容器；在每个金属单元中，两组上层金属连接件通过硅通孔结构与对应的下层金属连接件依次首尾连接，形成两个三维立体螺旋电感器；且两个电感器在竖直方向上耦合连接。该滤波器尺寸微小、集成度高、宽带性能好，且易于片上三维集成。
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公开(公告)号：CN116317994A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310191131.1
申请日：2023-03-01
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种功率可缩放跨导运算放大器由N级套筒式共源共栅差分放大器并联组成，每级差分放大器均接相同的差分输入端、输出端以及电源地，使得整体运放的带宽提高为单级时的N倍，热噪声和闪烁噪声均降低为单级的1/N倍，而不影响整体开环增益。每级差分放大器都有两对开关连接电流源的偏置电压，来控制某几个放大器的开启或关断，使得整体运放实现功率可缩放。本发明的运算放大器能够提高积分器线性度，降低积分器噪声，从而提高sigma‑delta调制器的性能。
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公开(公告)号：CN114006158B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202010733217.9
申请日：2020-07-27
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于共面波导串馈结构的毫米波集成天线，包括自上而下依次设置的上介质层、中间金属层、中间介质层和下介质层，其中，所述上介质层的上表面上设置有三路微带天线以及与所述微带天线连接的键合线补偿网络；所述键合线补偿网络包括三个键合线补偿单元，每个键合线补偿单元分别连接在所述三路微带天线中的一路微带天线与芯片之间，以用于实现键合线寄生补偿。本发明的键合线补偿网络采用共面波导结构的键合线补偿网络，可以实现键合线寄生补偿，同时拓展天线的带宽，且具有尺寸小、成本低的特点。
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公开(公告)号：CN114006158A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010733217.9
申请日：2020-07-27
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于共面波导串馈结构的毫米波集成天线，包括自上而下依次设置的上介质层、中间金属层、中间介质层和下介质层，其中，所述上介质层的上表面上设置有三路微带天线以及与所述微带天线连接的键合线补偿网络；所述键合线补偿网络包括三个键合线补偿单元，每个键合线补偿单元分别连接在所述三路微带天线中的一路微带天线与芯片之间，以用于实现键合线寄生补偿。本发明的键合线补偿网络采用共面波导结构的键合线补偿网络，可以实现键合线寄生补偿，同时拓展天线的带宽，且具有尺寸小、成本低的特点。
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公开(公告)号：CN110165351B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910458132.1
申请日：2019-05-29
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P5/10
摘要： 本发明公开了一种耦合式宽带微带到介质集成波导的过渡结构，包括：第一介质层；第一金属层，位于第一介质层的下方；第二介质层，位于第一金属层的下方；第二金属层，位于第二介质层下方；微带结构，位于第一介质层上表面；介质集成波导结构，设置于第二介质层中，微带结构与介质集成波导结构通过第一金属层实现能量耦合。本发明的微带到介质集成波导的过渡结构，将微带结构设置于第一介质层的上表面，并将介质集成波导结构设置于第二介质层中，使微带结构与介质集成波导结构通过第一金属层实现能量耦合，这种方式可以实现微带到介质集成波导的叠层式结构，缩小了过渡结构的平面尺寸，有利于集成至小型化、高集成度的微波、毫米波等系统中。
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公开(公告)号：CN110010588B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910120598.0
申请日：2019-02-18
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L23/64
摘要： 本发明涉及一种基于同轴硅通孔阵列的互补型三维宽带电容器，包括自上而下依次设置的顶部平板电容器、半导体衬底层和底部平板电容器，其中，所述半导体衬底层上设置有贯通上下表面的多个同轴硅通孔结构；所述顶部平板电容器通过所述多个同轴硅通孔结构与所述底部平板电容器连接；所述顶部平板电容器包括所述互补型三维宽带电容器的上引出端；所述底部平板电容器包括所述互补型三维宽带电容器的下引出端。本发明的互补型三维宽带电容器采用先进的三维单片集成结构，占用芯片面积小、大幅提高了电场储存面积，获得远高于普通平面集成电路的电容密度。
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公开(公告)号：CN109616727B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811361523.3
申请日：2018-11-15
申请人： 西安电子科技大学昆山创新研究院
摘要： 本发明涉及了一种带通滤波器，包括接地层、顶层和自上而下依次设置在所述接地层和所述顶层之间的上介质腔、第一窗口层、中间介质腔、第二窗口层和下介质腔，所述上介质腔和所述下介质腔的材质为空气。本发明提出的带通滤波器由于将传统SIW结构中导体柱周围的硅衬底去掉，直接采用空气作为介质腔填充材料，从而消除了硅衬底在高频电路中的涡流效应，相应的硅衬底的高频损耗也不复存在，完全消除谐振波在谐振腔内传递时产生的功耗，提高了本发明提出的带通滤波器的其品质因数。
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公开(公告)号：CN110676541A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910796834.0
申请日：2019-08-27
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P1/20
摘要： 本发明公开了一种基于玻璃通孔的三维集成滤波器，滤波器包括：第一层，包括第一金属板和第一金属线，所述若干第一金属板与所述第一金属线连接；第二层，包括介质基板和第二金属板，介质基板设置于第一金属板和第一金属线上方，第二金属板设置于介质基板内；第三层，包括玻璃基板和玻璃通孔，玻璃基板设置于第二层上方，玻璃通孔均贯穿玻璃基板；第四层，包括第三金属板和第二金属线，第二金属线设置于第三层上方且围成第二区域结构，第三金属板设置于第二区域结构内。本发明基于玻璃通孔构建三维螺旋电感器和平板电容器，通过三维螺旋电感器和平板电容器串并联形成的等效滤波器结构，其结构紧凑、体积小，方便集成，设计灵活。
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公开(公告)号：CN110581336A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910859798.8
申请日：2019-09-11
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01P5/16
摘要： 本发明涉及一种基于同轴硅通孔的改进型分支线耦合器，包括从上到下依次相连的顶层模块、硅衬底层模块和底层模块，顶层模块包括顶层第一介质层、顶层接地屏蔽环、顶层第一信号互连柱、顶层接地柱、顶层接地层、顶层介质环、顶层第二信号互连柱、顶层第二介质层、顶层第三信号互连柱、顶层端口信号线、顶层信号线；硅衬底层模块包括硅衬底、第一介质环、接地屏蔽环、第二介质环、后信号互连柱、前信号互连柱；底层模块包括底层第一介质层、底层接地屏蔽环、底层第一信号互连柱、底层接地柱、底层接地层、底层介质环、底层第二信号互连柱、底层第二介质层、底层第三信号互连柱、底层端口信号线、底层信号线。
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公开(公告)号：CN109950230A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910123529.5
申请日：2019-02-18
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L23/66
摘要： 本发明涉及一种基于同轴硅通孔的可配置三维微波滤波器，自上而下依次包括接地层、第一互连层、硅通孔电容层以及第二互连层，其中，第一互连层上设置有多个第一连接件，所述第二互连层上设置有多个第二连接件；所述接地层包括地引出端，所述地引出端可选地接地；所述硅通孔电容层包括衬底和穿透所述衬底的多个硅通孔结构；所述多个硅通孔结构通过所述多个第一连接件和所述多个第二连接件依次首尾连接，形成一立体螺旋电感器。该可配置三维滤波器结构紧凑、利用效率高、占用芯片面积低；一体化集成、避免引入额外的损耗；互连线短、寄生参数及片外耦合小。
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