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公开(公告)号：CN109616727B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811361523.3
申请日：2018-11-15
申请人： 西安电子科技大学昆山创新研究院
摘要： 本发明涉及了一种带通滤波器，包括接地层、顶层和自上而下依次设置在所述接地层和所述顶层之间的上介质腔、第一窗口层、中间介质腔、第二窗口层和下介质腔，所述上介质腔和所述下介质腔的材质为空气。本发明提出的带通滤波器由于将传统SIW结构中导体柱周围的硅衬底去掉，直接采用空气作为介质腔填充材料，从而消除了硅衬底在高频电路中的涡流效应，相应的硅衬底的高频损耗也不复存在，完全消除谐振波在谐振腔内传递时产生的功耗，提高了本发明提出的带通滤波器的其品质因数。
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公开(公告)号：CN109494436A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811362344.1
申请日：2018-11-15
申请人： 西安电子科技大学昆山创新研究院
摘要： 本发明涉及了一种滤波器，包括波导部分和衬底部分，所述波导部分包括自下而上依次设置在接地层和顶层之间的下介质腔、第一窗口层、上介质腔，所述上介质腔和所述下介质腔的材质为玻璃，所述上介质腔内设置有输入谐振腔和输出谐振腔，所述下介质腔内设置有多个传递谐振腔，相邻的两个所述传递谐振腔之间具有连通通道，所述第一窗口层上设置有第一辐射窗口和第二辐射窗口，所述第一辐射窗口与所述输入谐振腔位置对应，所述第二辐射窗口与所述输出谐振腔位置对应。本发明提出的滤波器将传统介质腔的硅衬底换为介电常数较低的玻璃，从而消除了硅衬底的高频损耗，同时显著提高滤波器的谐振频率；本发明还提出了一种制备前面所述的该滤波器的方法。
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公开(公告)号：CN109616727A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811361523.3
申请日：2018-11-15
申请人： 西安电子科技大学昆山创新研究院
CPC分类号： H01P1/2088 , H01P11/007
摘要： 本发明涉及了一种带通滤波器，包括接地层、顶层和自上而下依次设置在所述接地层和所述顶层之间的上介质腔、第一窗口层、中间介质腔、第二窗口层和下介质腔，所述上介质腔和所述下介质腔的材质为空气。本发明提出的带通滤波器由于将传统SIW结构中导体柱周围的硅衬底去掉，直接采用空气作为介质腔填充材料，从而消除了硅衬底在高频电路中的涡流效应，相应的硅衬底的高频损耗也不复存在，完全消除谐振波在谐振腔内传递时产生的功耗，提高了本发明提出的带通滤波器的其品质因数。
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公开(公告)号：CN113192914A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110256038.5
申请日：2021-03-09
申请人： 西安电子科技大学昆山创新研究院
IPC分类号： H01L23/48
摘要： 本发明公开了一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，包括一上一下设置的顶层介质层和底层介质层，且顶层介质层与底层介质层之间通过半导体硅衬底相连接，顶层介质层与底层介质层之间还具有TSV导体柱介质腔，TSV导体柱介质腔中插设有若干个TSV导体柱，TSV导体柱的上端贯穿顶层介质层的表面后与一顶层互连线相连接，TSV导体柱的下端贯穿底层介质层的表面后与一底层互连线相连接。本发明将所述的自阻匹配三维TSV互连结构的顶层互连线设计为非均匀互连线，即顶层互连线的宽度按照切比雪夫多项式变化，使得其特征阻抗与负载阻抗相匹配，用以降低该三维信号通道中的高速信号反射现象，进而提高高速信号的传输质量，降低高速三维互连系统的功耗与延时。
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公开(公告)号：CN112310588A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910705621.2
申请日：2019-08-01
申请人： 西安电子科技大学昆山创新研究院
IPC分类号： H01P5/12 , H01P5/16 , H01L23/48 , H01L23/552
摘要： 本发明公开了一种基于硅通孔的三维混合环耦合器，所述三维混合环耦合器包括硅衬底层模块、顶层模块和底层模块，所述顶层模块设置在所述硅衬底层模块的上表面，所述底层模块设置在所述硅衬底层模块的下表面；所述硅衬底模块包括贯穿于硅衬底的接地屏蔽环和信号互连柱，所述信号互连柱设置在所述接地屏蔽环的中心区域，所述接地屏蔽环外周侧壁设置有第一介质层，所述接地屏蔽环的内周侧壁设置有第二介质层，所述信号互连柱的外周侧壁设置有第三介质层。本发明基于硅通孔技术，与其它硅基元件兼容性好，易于实现微波系统的三维集成化；采用接地层和接地屏蔽环将信号线和硅衬底隔离开，降低了信号传输损耗，提升了各个分支之间的电磁隔离特性。
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公开(公告)号：CN110571529A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910868954.7
申请日：2019-09-16
申请人： 西安电子科技大学昆山创新研究院
摘要： 本发明公开了一种毫米波超宽带高增益叠层差分天线，所述差分天线包括天线反射层、第一介质基板、天线馈电层、第二介质基板、天线馈电参考层、第三介质基板、天线辐射层、第四介质基板和金属贴片层，所述天线反射层设置在所述第一介质基板的下表面，所述天线馈电层设置在所述第二介质基板的下表面，所述天线馈电参考层设置在所述第三介质基板的下表面，所述天线辐射层设置在所述第四介质基板的下表面，所述金属贴片层设置在所述第四介质基板的上表面，所述差分天线为PCB层叠结构。通过引入天线馈电参考层，将天线馈电层和天线辐射层有效隔离，通过引入第二介质基板，进一步提高了天线馈电层和天线辐射层之间的隔离度，有效降低了天线馈电网络本身的辐射在辐射方向上产生的影响。
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公开(公告)号：CN110556351A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910868972.5
申请日：2019-09-16
申请人： 西安电子科技大学昆山创新研究院
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/538
摘要： 本发明公开了一种基于硅通孔的分支耦合器，所述分支耦合器包括硅衬底层模块、顶层模块和底层模块，所述顶层模块设置在所述硅衬底层模块的上表面，所述底层模块设置在所述硅衬底层模块的下表面；所述硅衬底模块包括贯穿于硅衬底的接地互连柱和信号互连柱，所述接地互连柱外周侧壁设置有接地互连柱介质层，所述信号互连柱的外周侧壁设置有信号互连柱介质层；利用TSV的垂直互连特性，可将分支线耦合器两个相对的1/4波长传输线结构使用垂直TSV互连线实现，其余两个相对的1/4波长传输线采用平面微带线实现，不但可以大幅度减小元件的面积，同时还可以有效提高电路系统整体的隔离度，可实现与三维微系统工艺和结构良好的兼容。
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