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公开(公告)号：CN117793538A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410200816.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 北京理工大学 , 杭州电子科技大学丽水研究院 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本申请提出了一种图像自动曝光矫正与增强方法及装置，该方法包括：根据正常曝光Raw图像数据中的线性关系，构造有监督的异常曝光图像数据集；构建全局亮度调整网络与频率增强重建网络，将异常曝光图像数据集输入全局亮度调整网络，得到亮度矫正图像，将亮度矫正图像输入频率增强重建网络，得到矫正增强图像；基于矫正增强图像与正常曝光Raw图像数据，计算损失值，并基于损失值对其网络模型参数进行优化，得到优化模型；将其他图像输入优化模型得到优化图像，根据图像质量评价指标评价优化图像，得到客观评估指标。基于本申请提出的方案，能够对原始Raw图像数据达到自动曝光矫正与增强的效果，从而应对复杂环境下成像质量低的问题。
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公开(公告)号：CN119135361A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410468559.0
申请日：2024-04-18
Applicant: 西安电子科技大学青岛计算技术研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H04L9/40 , H04L67/1097 , H04L9/32 , H04L67/12
Abstract: 本发明属于互联网安全技术领域，公开了一种基于区块链的公有物联网隐私保护身份认证方法及系统，不依赖集中式的服务器，采用基于分布式哈希表的存储机制实现链上链下的方式存储数据，实现去中心化存储，提高数据的安全性；通过智能合约技术在不需要真实身份的情况下对传感器节点的身份来源进行认证；在随机预言模型下具有不可伪造性，并同时满足完整性、认证性、匿名性、可追踪性的安全需求。
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公开(公告)号：CN117793538B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410200816.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 北京理工大学 , 杭州电子科技大学丽水研究院 , 杭州电子科技大学
Abstract: 本申请提出了一种图像自动曝光矫正与增强方法及装置，该方法包括：根据正常曝光Raw图像数据中的线性关系，构造有监督的异常曝光图像数据集；构建全局亮度调整网络与频率增强重建网络，将异常曝光图像数据集输入全局亮度调整网络，得到亮度矫正图像，将亮度矫正图像输入频率增强重建网络，得到矫正增强图像；基于矫正增强图像与正常曝光Raw图像数据，计算损失值，并基于损失值对其网络模型参数进行优化，得到优化模型；将其他图像输入优化模型得到优化图像，根据图像质量评价指标评价优化图像，得到客观评估指标。基于本申请提出的方案，能够对原始Raw图像数据达到自动曝光矫正与增强的效果，从而应对复杂环境下成像质量低的问题。
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公开(公告)号：CN118967450B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411452810.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 北京理工大学 , 杭州电子科技大学丽水研究院 , 杭州电子科技大学
IPC: G06T3/4053 , G06T5/50
Abstract: 本发明涉及一种基于结构信息的不对齐多源数据的光谱图像融合超分方法及系统，属于计算摄像技术领域。本发明首先使用梯度计算对输入的高光谱和多光谱图像提取梯度图，再使用纹理编码器和结构编码器分别对图像和梯度图进行编码，获取纹理特征金字塔和结构特征金字塔，然后使用结构注意力引导的特征融合对齐模块在各个层级进行特征融合获得对齐特征，最后使用解码器网络对对齐特征进行解码，生成高分辨率高光谱图像。本发明使特征对齐效果更加鲁棒，使超分辨率效果更好，在真实数据集和仿真数据集的各个倍率的超分任务中均取得很好的结果，在高倍率超分任务中具有优势，易于推广。
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公开(公告)号：CN118967450A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411452810.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 北京理工大学 , 杭州电子科技大学丽水研究院 , 杭州电子科技大学
IPC: G06T3/4053 , G06T5/50
Abstract: 本发明涉及一种基于结构信息的不对齐多源数据的光谱图像融合超分方法及系统，属于计算摄像技术领域。本发明首先使用梯度计算对输入的高光谱和多光谱图像提取梯度图，再使用纹理编码器和结构编码器分别对图像和梯度图进行编码，获取纹理特征金字塔和结构特征金字塔，然后使用结构注意力引导的特征融合对齐模块在各个层级进行特征融合获得对齐特征，最后使用解码器网络对对齐特征进行解码，生成高分辨率高光谱图像。本发明使特征对齐效果更加鲁棒，使超分辨率效果更好，在真实数据集和仿真数据集的各个倍率的超分任务中均取得很好的结果，在高倍率超分任务中具有优势，易于推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119892004A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411892940.6
申请日：2024-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三端口电容的微尺寸三维集成滤波器，滤波器包括：顶部金属层、顶部隔离介质层、半导体衬底层、底部隔离介质层和底部金属层；顶部金属层、顶部隔离介质层、半导体衬底层、底部隔离介质层和底部金属层自上而下依次排列；本发明减少了极板个数，具有较高的空间利用率、布局紧凑、连接方便、高密度互连、高电容密度、高品质因数、低介质损耗；整个滤波器电路的尺寸较小、滤波器电路布局布线的复杂度较低；并且由于通过硅通孔阵列减少了器件间的互连长度从而减小了滤波器电路中的寄生参数提高了品质因数等优势。
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公开(公告)号：CN119836064A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510064068.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10H20/816 , H10H20/819 , H10H20/852 , H10H20/825
Abstract: 本发明涉及金刚石纳米柱结构的深紫外发光二极管及其制备方法，该深紫外发光二极管包括：自上而下依次堆叠的衬底层、成核层、n型GaN层、n型有源区、电子阻挡层和p型区；p型区包括若干个间隔设置的金刚石纳米柱，每个金刚石纳米柱的至少部分表面形成有氢终端；在n型GaN层的下表面还设置有N型电极，N型电极与n型有源区间隔设置；在p型区的下表面还设置有P型电极，N型电极的底部与P型电极的底部齐平；在N型电极和P型电极的下表面设置有基板。该装置可以大大提高深紫外发光二极管的发光效率，以及更好发挥器件散热性能，提高器件使用性能。
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公开(公告)号：CN114864766B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210657492.6
申请日：2022-06-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10H20/812 , H10H20/815 , H10H20/825 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED及制备方法，主要解决现有红光LED高In组分InGaN生长困难，In原子偏析严重，量子限制斯塔克效应显著，导致发光二极管效率低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1‑xN/GaN多量子阱(4)、电子阻挡层(6)和p型层(7)，该p型层上设有正电极(8)，该n型GaN层上设有负电极(9)，该多量子阱与电子阻挡层之间溅射有金属In层(5)，通过热扩散，使得多量子阱层中In组分增加，发射波长变长。本发明提高了发光二极管效率，可用于制作高效率的发射红光器件，实现氮化物的全色显示。
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公开(公告)号：CN119110266A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411394972.3
申请日：2024-10-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于感知耦合的应急通信服务质量保障方法，主要解决现有应急通信技术缺乏对被困用户感知与通信时延服务质量保障一体化方案设计的问题，其实现方案是：确定通信时延指数θ，将θ作为通信服务质量指标并计算用户通信速率得到用户有效容量C；根据雷达回波信号能量检测结果计算用户的检测概率Pd和误警率Pf；将Pd与Pf融合到有效容量公式中，得到扩展后的有效容量；以系统总扩展有效容量为目标函数，以功率、时延指数和检测概率作为约束条件构建优化问题，并根据对优化问题的求解结果对用户功率进行分配。本发明能同时满足用户的通信时延和检测概率要求，提升系统的聚合有效容量，保障用户通感服务质量，可用于灾后救援场景的多用户通信与感知服务。
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公开(公告)号：CN119092533A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411201918.2
申请日：2024-08-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/45 , H01L21/285 , H01L29/205 , H01L29/06 , H01L33/40 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性面p型GaN高性能欧姆接触及其制备和应用，包括非极性p‑GaN层、横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层以及欧姆接触电极；在所述非极性p‑GaN层的一面开有下沉凹槽，所述横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层位于所述下沉凹槽中，所述下沉凹槽的槽深方向为纵向，槽长方向为横向，所述欧姆接触电极位于所述横向生长的周期性p型AlGaN/GaN凹槽层远离下沉凹槽的一面。本发明通过横向生长的AlGaN/GaN异质结建立多条导电沟道，利用极化诱导掺杂提高Mg离子离化率，增强器件电流注入效率，实现高性能的p型欧姆接触。
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