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公开(公告)号：CN104722316B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510136180.0
申请日：2015-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01J27/051
Abstract: 本发明提供了一种二硫化钼复合纳米金光催化剂及其制备方法，属于纳米复合光催化剂领域。所述光催化剂由二硫化钼纳米颗粒和金纳米颗粒复合得到，二硫化钼纳米颗粒与金纳米颗粒的摩尔比为(5～20)：1。具体方法为：首先采用水热法制备二硫化钼纳米颗粒；然后将二硫化钼纳米颗粒分散于水中，并滴加氯金酸溶液和抗氧化剂溶液，混合均匀，二硫化钼、氯金酸和抗氧化剂的摩尔比为(5～20)：1：(1～3)；混合液在200～1000W氙灯下光照2～10min，光照中不断搅拌，停止光照后继续搅拌1～5h；分离、洗涤、干燥，得到所述光催化剂。本发明方法操作简单、反应条件温和、重复性好，避免了高温烧结处理，且得到的光催化剂活性高。
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公开(公告)号：CN101552072B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810148121.5
申请日：2008-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 移相器用低损耗LiZn铁氧体材料，涉及铁氧体材料制备技术领域。本发明由主料、添加剂和粘合剂构成，以Fe2O3、ZnO、Mn3O4、Li2CO3计算，主料包括64～71mol％Fe2O3、15～22mol％ZnO、0.8～1.5mol％Mn3O4、9.9～12mol％Li2CO3；相对于主料，添加剂以Bi2O3、BST、Nb2O5计算，比例为0.5～3.0wt％Bi2O3、0.1～0.5wt％BST、0.05～0.4wt％Nb2O5。本发明降低了矫顽力和介电损耗、提高了饱和磁化强度，从而实现低矫顽力、低介电损耗、高饱和磁化强度LiZn铁氧体材料的低温制备。
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公开(公告)号：CN119943934A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510106860.1
申请日：2025-01-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/054
Abstract: 本发明属于钠离子电池正极材料制造技术领域，具体提供一种镁掺杂钠离子电池正极材料、制备方法及应用，用以解决现有技术中钠离子电池正极材料钠层间距过小、不利于钠离子传输的问题。本发明中镁掺杂钠离子电池正极材料的化学通式为：NaNi0.6‑xFe0.25Mn0.15MgxO2，其中，0
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公开(公告)号：CN117987914A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410172948.9
申请日：2024-02-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种择优取向硒碲固溶体纳米晶薄膜的平坦化制备方法，属于光电材料制备技术领域。所述硒碲固溶体纳米晶薄膜晶粒择优取向为(100)与(110)，晶粒尺寸为20～40nm，薄膜厚度为30～720nm，表面均方根粗糙度低于2nm。制备方法包括如下步骤：对云母衬底进行常规生长前处理；采用分子束外延方法在云母衬底上低温生长硒碲固溶体薄膜；每生长30nm厚度的薄膜进行一次原位快速退火，退火温度130℃，每次退火2分钟，薄膜生长与退火交替进行直至达到目标厚度即得。本发明制备的硒碲固溶体纳米晶薄膜具有精确的厚度和成分配比，纯度高且具有良好结晶质量与表面平整度，达到满足光电阵列器件制备要求的技术效果。
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公开(公告)号：CN117626440A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311592730.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉单晶结晶潜热释放装置与生长方法，属于半导体材料制备领域。该装置包括晶体生长炉、石英安瓿瓶、石英坩埚、可控冷却装置和支撑容器；其中，晶体生长炉分为高温区和低温区；支撑容器上方放置有可控冷却装置、内部填充导热粉末；石英安瓿瓶与其内部的石英坩埚构成双层真空石英结构，并插入导热粉末中；支撑容器在旋转下降装置的带动下在晶体生长炉内上下移动并旋转。同时，本发明还基于该装置提供了碲锌镉单晶生长方法。本发明实现了无籽晶条件下晶体生长，有效避免了再次装料带来的污染；结晶时释放的结晶潜热能够被有效快速地释放，并且保证了熔体单晶生长的温场稳定性，获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106315684B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610704753.X
申请日：2016-08-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种尺寸可控的球形MnZn铁氧体磁性纳米颗粒的制备方法，包括如下步骤：(1)将分别含有Fe3+、Mn2+、Zn2+的盐溶于以乙二醇为主的溶剂体系中，形成橙黄色的均匀混合液；(2)将表面修饰剂、醋酸钠加入步骤(1)得到的混合液中，磁力搅拌，然后进行超声处理，将反应釜在160‑200℃进行加热，反应12‑20h以上；(3)待反应釜冷却后，清洗产物，然后在真空干燥箱中烘干，得到黑色磁性产物；本发明采用水热法，通过使用不同的以乙二醇为主的溶剂体系和不同种类、用量的表面修饰剂，实现对纳米颗粒平均粒径在30‑350nm宽范围的调控。该磁性纳米颗粒形貌规整、尺寸分布均一、具有优异的磁性能。
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公开(公告)号：CN105648535B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610054541.1
申请日：2016-01-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管口(8)和第二管口(9)；靠近第一管口(8)处装有冷阱(7)；石英管(1)内设有三个滑槽，分别为第一滑槽(6a)、第二滑槽(6b)和第三滑槽(6c)，每个滑槽内设有两个磁铁滑块。本发明所述的制备硫系化合物异质结构的方法及装置，使不同材料的沉积过程都处于真空环境下，且避免了不同材料之间的交叉污染，操作简单、成本低廉，制备得到的异质结构界面结构完整，结晶质量优良。
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公开(公告)号：CN106315684A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610704753.X
申请日：2016-08-22
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C01G49/0072 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/42
Abstract: 本发明公开了一种尺寸可控的球形MnZn铁氧体磁性纳米颗粒的制备方法，包括如下步骤：为主的溶剂体系中，形成橙黄色的均匀混合液；(2)将表面修饰剂、醋酸钠加入步骤(1)得到的混合液中，磁力搅拌，然后进行超声处理，将反应釜在160-200℃进行加热，反应12-20h以上；(3)待反应釜冷却后，清洗产物，然后在真空干燥箱中烘干，得到黑色磁性产物；本发明采用水热法，通过使用不同的以乙二醇为主的溶剂体系和不同种类、用量的表面修饰剂，实现对纳米颗粒平均粒径在30-350nm宽范围的调控。该磁性纳米颗粒形貌规整、尺寸分布均一、具有优异的磁性能。(1)将分别含有Fe3+、Mn2+、Zn2+的盐溶于以乙二醇
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公开(公告)号：CN106119804A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610699894.7
申请日：2016-08-22
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/5806 , B22F9/04 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于快速退火金属薄膜自组装金属纳米粒子的方法，其特征在于步骤如下：首先，在衬底材料上沉积一层金属薄膜，形成镀有金属薄膜的基片；然后将基片置于快速退火炉中，加载退火程序进行退火处理，通过对起始温度、升温速率、驻温时间和在退火处理中保护气体的流量控制进行快速热退火，得到制备了一层金属纳米粒子的基片。该方法采用在基片上生长纳米颗粒，其成本低、简单易行，能够得到分散均匀、粒径一致、形貌可控的纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN105576111A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610054544.5
申请日：2016-01-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种铋层状化合物超晶格的制备方法，该方法通过对云母衬底进行常规化学清洗并在大气中进行解理后传入真空系统内加热去气；在清洁的云母表面依次生长由铋化合物薄层与垒层材料构成的超晶格薄膜。即首先在云母表面慢速沉积一层铋化合物作为晶格失配缓冲层，再以同样温度和速率生长一层垒层材料进一步提高表面质量，接下来保持生长温度不变提高生长速率交替生长铋化合物层和垒层，直到设定的超晶格周期数生长完成为止。本发明保证了产品超晶格中每层材料均以理想的二维层状模式生长，达到了铋层状化合物超晶格在云母衬底上较快生长并保持超晶格界面平整，获得的周期可调的超晶格薄膜的技术效果。
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