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公开(公告)号：CN103774104B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310576275.5
申请日：2012-04-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该装置将离子束、磁控溅射两种镀膜技术集成于一个真空室，通过设计多个镀膜工位并经样品台旋转与镀膜工位重合完成不破坏真空情况下的复合镀膜，设备可实现离子束溅射沉积、离子束辅助沉积、离子束直接沉积、单靶磁控溅射沉积、双靶磁控溅射聚焦共沉积、双靶磁控溅射垂直沉积多层膜、离子束磁控溅射复合镀膜等多种镀膜方式，大大扩展了设备的生产和研究功能。利用该装置采用离子束磁控溅射两步法沉积微晶硅薄膜可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；镀膜在同一真空室内完成，节约设备成本。
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公开(公告)号：CN102605335B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201210094395.7
申请日：2012-04-01
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池用微晶硅薄膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射两步法制备微晶硅薄膜的方法和一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该方法包括以下步骤：(1)离子束镀膜：用离子束溅射沉积(IBS)或离子束辅助沉积(IBAD)方法在衬底上溅射硅靶预沉积一层硅同质过渡层，所述硅同质过渡层厚度为50nm～200nm；(2)磁控溅射镀膜：采用磁控溅射在所述硅同质过渡层上沉积硅薄膜。该方法可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；该方法通过离子束磁控溅射复合镀膜的装置实现，在同一真空室内完成，节约设备成本。
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公开(公告)号：CN103594531A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310615126.5
申请日：2013-11-28
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , C23C14/30 , C23C14/08
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02168 , C23C14/083 , C23C14/10 , C23C14/30
Abstract: 本发明属于太阳光伏电池技术领域，公开了一种亲水型非规整多层减反射膜及其制备方法，该减反射膜在基体层表面设有由TiO2膜层和SiO2膜层交替组成的多层膜结构，且靠近基体表面的第一层为TiO2膜层，靠近空气界面的最外层为SiO2膜层；所述多层膜结构的厚度为300nm-350nm。采用电子束蒸发技术镀膜制备该减反射膜。该减反射膜针对现有TiO2系减反射膜透过率不高和亲水性的不足，将TiO2和SiO2两种薄膜交替沉积形成成多层非规整型减反膜，该多层减反射膜可实现光的高透过和亲水性。
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公开(公告)号：CN101824592B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010183319.4
申请日：2010-05-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法，步骤有：采用离子束辅助沉积技术制备AlN同质过渡层：在衬底上用2.0～2.5keV/20～50mA的Ar+离子束溅射沉积Al膜的同时，用20～35keV/2～8mA的中能N+离子束对Al膜进行辅助轰击；然后，采用磁控溅射沉积AlN薄膜：本底真空≤5×10-4Pa，工作气压0.5～10Pa，衬底温度为200℃～500℃。预沉积同质过渡层可有效减小薄膜与衬底间内应力，形成完全(002)取向的AlN薄膜，并降低薄膜的表面粗糙度，增加薄膜与衬底间的结合强度，使所得薄膜产品能满足在声表面波器件、体波器件以及其他微电子器件和功率器件中的应用。
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公开(公告)号：CN101429647A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810143759.X
申请日：2008-11-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 一种用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台，它的盛器为一平底周边设有挡边的敞口容器，工作时绕平底的垂直轴心线a旋转的盛器中不随盛器旋转的搅拌器由底部刮片和中部搅片、上部漏片组成并错位分布；底部刮片板面相对盛器平底为斜面的长条形平板且其较长的下侧边平行于所述平底表面，中部搅片为板面相对盛器平底为垂直的长条形平板且其较长的下侧边与底部刮片较长的上侧边相交，上部漏片为板面相对盛器平底为垂直并有梳齿结构的长条形平板且其较长的齿形下侧边与中部搅片较长的上侧边相交。它通过对粉末进行特定搅拌实现对粉体材料表面进行全方位均匀改性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116854977A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310772410.7
申请日：2023-06-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种TPU材料及其制备方法和应用，一种TPU材料的制备方法包括以下步骤：S1、聚氨酯材料表面进行清洁预处理；S2、采用等离子体对S1中预处理后的聚氨酯材料表面进行活化，得到活化后的聚氨酯材料；S3、将S2中活化后的聚氨酯材料浸入聚乙烯吡咯烷酮水溶液中进行接枝反应，聚乙烯吡咯烷酮水溶液的浓度为1wt.％～25wt.％，接枝反应的温度为40～80℃，得到接枝后的聚氨酯材料。本发明制得的TPU材料为具有一定韧性和厚度的聚酯类热塑性聚氨酯，通常表面呈现出较强的疏水特性，通过低温等离子体表面活化诱导接枝的方法，可以实现其表面强亲水化改性，并维持较长时间的稳定性。
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公开(公告)号：CN113073245B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110313669.6
申请日：2021-03-24
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种银钼合金薄膜及其制备方法与应用，所述薄膜中包括纯银相和银固溶于钼的固溶体相。采用双靶聚焦共沉积法在任意无机材料衬底上制备得到银钼合金薄膜，薄膜中由于钼的存在，使其具有高的硬度；由于纯银相的存在，使其具有良好的导电性，同时银还可以作为软质润滑相，提高材料的摩擦学性能。通过在一种廉价、适宜的电接触材料表面涂覆一层银钼合金薄膜，既可以节约成本，又可以发挥薄膜的导电、耐磨和抗电蚀性能。还可用于电磁炮轨道涂层、抗极端高温(2000℃以上)的“发汗”材料以及银/钼复合互连材料的过渡层。
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公开(公告)号：CN111129533B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811387794.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化亚铜的应用；特别涉及一种氧化亚铜作为正极材料应用于新型热电池中；属于电化学技术领域。本发明首次将氧化亚铜用作热电池的正极材料。所述热电池放电体系由Cu2O电极，负极，隔膜等部分组成。Cu2O用作电极材料时具有高热稳定性和导电性，较高工作电压和较高的比容量。本发明不同粒径和不同形貌的Cu2O电极可在大电流模式下一次性放电，电流密度可为1～1000mA cm‑2；放电温度高，为340～700℃。同时本发明的Cu2O电极制备简单，成本低廉；实际比容量高，有效放电时间长，放电性能优异便于工业化应用。
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公开(公告)号：CN111129533A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811387794.6
申请日：2018-11-21
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化亚铜的应用；特别涉及一种氧化亚铜作为正极材料应用于新型热电池中；属于电化学技术领域。本发明首次将氧化亚铜用作热电池的正极材料。所述热电池放电体系由Cu2O电极，负极，隔膜等部分组成。Cu2O用作电极材料时具有高热稳定性和导电性，较高工作电压和较高的比容量。本发明不同粒径和不同形貌的Cu2O电极可在大电流模式下一次性放电，电流密度可为1～1000mA cm-2；放电温度高，为340～700℃。同时本发明的Cu2O电极制备简单，成本低廉；实际比容量高，有效放电时间长，放电性能优异便于工业化应用。
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