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公开(公告)号：CN1804112A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610049197.3
申请日：2006-01-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种电子陶瓷连续式溅射镀膜设备，包括机体和真空抽气装置，所述真空抽气装置与机体相连通，其特征在于所述机体由依次相邻、且相通的五个真空室构成，相邻的真空室之间设有隔离阀，所述五个真空室分别为预抽室、前过渡室、溅射室、后过渡室和减压室，在所述溅射室内装有相对布置的金属溅射靶，在机体内还设有相配合摩擦式工件传输装置和工件架，摩擦式工件传输装置能够将工件架输送到机体中，所述工件架能够依次送入五个真空室内，并能被输送出机体；机体外设有进片台、出片台和片架返回机构，所述的片架返回机构、进片台、摩擦式工件传输装置和出片台依次相联接成一个可连续传输工件架的环行传输线；本发明具有产量大、生产成本低、膜层均匀性好、结合力强、抗高温熔蚀等优点。
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公开(公告)号：CN1067350A
公开(公告)日：1992-12-30
申请号：CN91103719.5
申请日：1991-05-31
Applicant: 浙江大学
IPC: A01C1/00
Abstract: 本发明公开了一种植物种子的处理方法，它是利用等离子体辐照植物种子的处理方法，即对植物种子进行等离子体化学气相处理的方法。具体方法是：(a)将植物种子放置于密封处理室中并抽真空；(b)接通等离子体激励源使处理室中的气体放电形成等离子体，种子放置时间1分～160分钟，种子保持温度-20℃～60℃之间。(c)关断等离子体激励源并从处理室中取出种子。本方法的优点是：多功能、见效快、干法处理、节省药品、安全无污染、适用面广、易于推广。
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公开(公告)号：CN1004558B
公开(公告)日：1989-06-21
申请号：CN87105701
申请日：1987-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种带有能直接向靶面喷工作气体的充气器、能对阴极靶4的底部和侧面进行有效冷却的水冷器和采用高导磁率的软磁材料制成的中心阳极的枪式磁控溅射源。同已有的磁控溅射源比较，靶材利用率提高80％以上，溅射速率提高50％。对于集成电路、塑料制品、玻璃陶瓷、工艺品、金属零件的表面，应用装有本溅射源的磁控溅射机镀覆一层结合牢固的金属薄膜后，能提高其应用价值，产生良好的经济效益。应用本技术可方便地对现有的镀膜机进行改造。
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公开(公告)号：CN87105701A
公开(公告)日：1988-06-15
申请号：CN87105701
申请日：1987-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/36
Abstract: 一种带有能直接向靶面喷工作气体的充气器、能对阴极靶[4]的底部和侧面进行有效冷却的水冷器和采用高导磁率的软磁材料制成的中心阳极的S—枪磁控溅射源。同已有的磁控溅射源比较，靶材利用率提高80％以上，溅射速率提高50％。对于集成电路、塑料制品、玻璃陶瓷、工艺品、金属零件的表面，应用装有本溅射源的磁控溅射机镀覆一层结合牢固的金属薄膜后，能提高其应用价值，产生良好的经济效益。应用本技术可方便地对现有的镀膜机进行改造。
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公开(公告)号：CN110205600A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910598742.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 浙江大学昆山创新中心
Abstract: 本发明公开了一种耐高温双用途晶控仪，包括于真空室内与衬底支架相连的石英片载台、置于真空室内与石英片载台连接的射频接线座和置于真空室外的晶控主机，所述石英片载台包括相对的上载台和下载台，分别用于放置一片石英晶片，所述上载台石英晶片其中一面以适当面积正对镀膜方向裸露，所述下载台石英晶片置于镀膜方向的反方向，且只通过少量通气孔暴露于外面，使其在镀膜时不会被沉积上薄膜，所述上载台和所述下载台之间良好导热。本装置可在高温镀膜环境下应用，无需水冷装置，一方面消除了镀膜阴影，降低了漏气漏水概率，另一方面也便于晶片载台和射频接线座的设计和制作，且结构小巧，制作成本低，同时该晶控仪可以在镀膜时实时测量膜厚和温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107779830A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201711096028.X
申请日：2017-11-09
Applicant: 浙江大学昆山创新中心
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/3464
Abstract: 本发明公开了一种应用于柱形旋转靶的挡板组件，包括自由环、半圆环挡板、连轴环、环状压板、轴承和滚珠；自由环呈U型，其外侧部上对称设置有两个限位件；半圆环挡板与自由环的底端相连；连轴环呈U型，设于自由环内部，包括圆环状的底部和环状凸起部；环状压板和轴承均套设在连轴环的环状凸起部外侧，环状压板通过外侧套设有弹性件的螺杆与自由环相连；连轴环的圆环状的底部的底表面与自由环的圆环状的底部的顶表面的对应位置处均设有环形凹槽，环形凹槽上设有球形凹坑，滚珠设于环形凹槽或者球形凹坑内。本发明无需使用单独配套的电机或者气缸等驱动装置，同时无需使用单独配套的真空腔体开孔结构和轴封结构，能够减少故障点的同时降低挡板的制作成本。
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公开(公告)号：CN105908124A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610522031.2
申请日：2016-07-05
Applicant: 浙江大学昆山创新中心
CPC classification number: C23C14/042 , C23C16/042
Abstract: 本发明公开了一种用于气相沉积镀膜的掩膜夹具，包括上掩膜板、下掩膜板和被上下掩膜板夹于中间的弹性板；所述上掩膜板和下掩膜板上均设置有所需镀膜形状的掩膜开孔、第一紧固孔、第一定位孔；所述弹性板上设置有弹性机构、与上掩膜板和下掩膜板配合使用的第二紧固孔和第二定位孔；所述弹性机构包括第一半岛形结构和第二半岛形结构，第一半岛形结构和第二半岛形结构的形状为任意互补配合的几何形状，并分别向弹性机构平面的上下面翘起。本发明可以低成本地实现样品的一个需镀膜表面与掩膜板掩膜开孔边缘紧贴，以防止气相沉积过程中沉积粒子进入不需要镀膜的遮掩部分，从而提高镀膜产品的品质。
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公开(公告)号：CN105777210A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610136483.7
申请日：2016-03-10
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B41/90
CPC classification number: C04B41/90 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/5031 , C04B41/5062 , C04B41/5155 , C04B41/0036 , C04B41/455 , C04B41/5127 , C04B41/4529 , C04B41/526 , C04B35/581
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷覆铜板，该覆铜板依次由氮化铝陶瓷基底、激光活化层、高能溅射铜层、低能铜层四层结构组成。本发明还公开了该种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，步骤如下：A、对氮化铝陶瓷基底进行清洗；B、使用激光束扫射氮化铝陶瓷基底表面，制备激光活化层；C、在上述激光活化层上利用磁控溅射在低气压高电压条件下沉积高能溅射铜层；D、在高能溅射铜层上采用溅射镀铜法、化学镀铜法或蒸发镀铜法制备低能铜膜，得到氮化铝陶瓷覆铜板。本发明相比一般氮化铝陶瓷金属化的结构，具有制备过程无污染，膜层质量高，结合强度大，结构简单稳定，工艺兼容性强等优点。
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公开(公告)号：CN102383095A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110345284.4
申请日：2011-11-04
Applicant: 浙江大学 , 浙江百士迪科技有限公司
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别是涉及一种柔性衬底上室温反应溅射沉积氮化铝压电薄膜的方法；其特征在于，包括以下步骤：清洗柔性衬底；抽真空；制备底金属层；充入工作气体；接通衬底冷却装置；紫外线在线辐照并反应溅射制备氮化铝压电薄膜；该方法的特点是衬底为柔性材料，制备的氮化铝压电薄膜可弯曲，膜层致密，不脱落，高c轴择优取向，并且具有制造工艺简单、可卷绕式（roll-to-roll）连续化生产、成本低廉的优点。
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公开(公告)号：CN102181839A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110149168.5
申请日：2011-06-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种同端进出式连续溅射镀膜设备，它包括真空腔体和真空抽气装置，所述真空抽气装置与真空腔体相连通，其特征在于所述真空腔体由相邻且相通的预抽室和溅射室两个真空室构成，两个真空室之间设有隔离阀，腔体的末端和前端分别设有盲法兰和真空锁阀，所述真空锁阀外侧设有一个装卸片台，在溅射室内设置有工件架传输装置，在预抽室内装有复合传输装置，所述溅射室内装有至少三对相对布置的磁控溅射靶，所述工件架传输装置能够与工件架相配合；具有结构紧凑、占地面积小，需要的超净区域少、吞吐量大，能耗低、膜层质量好等优点。
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