公开(公告)号：CN110205600B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201910598742.1

申请日：2019-07-04

Applicant: 浙江大学昆山创新中心

Inventor： 冯斌 ,  金浩 ,  王德苗

IPC: C23C14/54 ,  G01D21/02

Abstract: 本发明公开了一种耐高温双用途晶控仪，包括于真空室内与衬底支架相连的石英片载台、置于真空室内与石英片载台连接的射频接线座和置于真空室外的晶控主机，所述石英片载台包括相对的上载台和下载台，分别用于放置一片石英晶片，所述上载台石英晶片其中一面以适当面积正对镀膜方向裸露，所述下载台石英晶片置于镀膜方向的反方向，且只通过少量通气孔暴露于外面，使其在镀膜时不会被沉积上薄膜，所述上载台和所述下载台之间良好导热。本装置可在高温镀膜环境下应用，无需水冷装置，一方面消除了镀膜阴影，降低了漏气漏水概率，另一方面也便于晶片载台和射频接线座的设计和制作，且结构小巧，制作成本低，同时该晶控仪可以在镀膜时实时测量膜厚和温度。

公开(公告)号：CN102503580A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110322220.2

申请日：2011-10-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 金浩 ,  王德苗 ,  任高潮 ,  岑嘉宝 ,  冯斌 ,  沈小虎

IPC: C04B41/88

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别是涉及一种热敏陶瓷上室温下溅射膜电极的方法，其特征主要包括：陶瓷清洗、掩膜装架、抽真空、充工作气体、溅射电极膜；本发明与现有技术相比，具有工艺设计合理、溅射成膜速度快、生产成本低廉、全制程无污染，且所制备的膜层结合牢固、高温焊接性能优良等优点，它是目前一种较为理想的热敏陶瓷电极的制备方法。

公开(公告)号：CN101521988A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910097241.1

申请日：2009-03-27

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  金浩 ,  冯斌 ,  王庆 ,  任高潮

IPC: H05K1/05 ,  B32B15/04 ,  B32B18/00 ,  B32B27/06 ,  B32B7/02 ,  C23F3/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C4/04 ,  C23C4/12 ,  C23C18/12 ,  C23C30/00

Abstract: 本发明属于基本电子元器件技术领域，特别是涉及一种金属基覆铜板、覆铜型材的制备方法；其特征在于包括选择导热性能良好的铝、铝合金、铜、铜合金、不锈钢中的一种为金属基材，然后对金属基材进行去除毛刺和去尖角的修整，并用250目以上砂子对金属基材进行表面喷砂和化学抛光处理；将经过喷砂并经化学抛光处理的金属基材的表面采用阳极氧化、微弧氧化、离子喷涂、溅射、蒸发、溶胶－凝胶法中的一种工艺进行表面陶瓷化处理，涂覆绝缘层：在陶瓷绝缘层的外表面涂覆一层绝缘层，再在绝缘层的至少一个面上依次沉积过渡层、阻挡层、主导电层和任选的表面导电层构成复合导电金属层，本发明具有工艺简单、成品质量稳定、生产成本低的特点。

公开(公告)号：CN1818130A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610049912.3

申请日：2006-03-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 董树荣 ,  王德苗 ,  任高潮

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/20 ,  C23C14/02 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明属于新型抗电磁干扰(EMI)屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法，其制备工艺是选择特定成分奥氏体组织的镍铬类不锈钢靶材一对塑料表面清洗和活化一金属化溅射镀；所述金属化溅射镀采用的溅射靶为奥氏体的镍铬类双相不锈钢靶材；其直径为60毫米，铬和镍当量为(18，7)，其标准金相组织是临近铁素体区的奥氏体；鉴于奥氏体是顺磁体，它具有较高的溅射成膜速率，通过溅射可以快速获得铁磁性的铁素体不锈钢薄膜，该薄膜具有磁屏蔽和电屏蔽效果，并且具有不锈钢材料良好的耐候性；本发明具有工艺设计合理、溅射成膜速度快、生产成本低廉等优点，它是一种较理想的电磁双重屏蔽膜的溅射制备方法。

公开(公告)号：CN1042043C

公开(公告)日：1999-02-10

申请号：CN94114030.X

申请日：1994-12-08

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  任高潮

IPC: C23C14/30

Abstract: 一种电子束蒸发器，其特征是施材料制成棒状体，布置在原坩埚7的轴线处构成棒状靶B，该棒状靶B由一个旋转升降机构8带动作旋转和升降运动。同现有技术比较，其优点是：连续蒸镀的时间可提高150倍以上，特别有利于将粉状施镀材料改制为棒料实现长时间连续蒸镀，蒸发方向可任意选择，有利于实现蒸镀工艺产业化。

公开(公告)号：CN1003655B

公开(公告)日：1989-03-22

申请号：CN87106947

申请日：1987-10-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  任高潮

IPC: C23C14/34

Abstract: 一种分离磁体式平面磁控溅射源，其磁场源由一固定的环状外磁组件和绕转轴旋转的内磁组件构成，水冷器的冷却水优先进入内磁组件腔III，从内磁组件1的顶部溢出。本溅射源能产生一个或多个作圆周运动的扇形等离子体闭合环，或者产生一个能旋转的∞字形等离子体闭合环。同已有的平面磁控溅射源比较，具有靶面有效溅射区域大、溅射刻蚀均匀、靶材利用率高、薄膜的等厚度沉积面积大等优点。

公开(公告)号：CN88100832A

公开(公告)日：1988-09-28

申请号：CN88100832

申请日：1988-02-10

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  任高潮

IPC: C23C14/36

Abstract: 一种专用于沉积大面积薄膜的平面磁控溅射源，其磁场由条状静止的外磁组件和能作往复运动的内磁组件产生，能对静止的大面积工件表面均匀地镀复阳光控制膜、低辐射膜、镜面膜及导电膜。适用于镀复大面积的工件，如大型建筑玻璃、汽车护栅、露天字牌、大型平面镜等。是一种靶材利用率高、耗能小、膜层均匀度高、投资少效益高的新型溅射源。

公开(公告)号：CN87106947A

公开(公告)日：1988-05-18

申请号：CN87106947

申请日：1987-10-12

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  任高潮

IPC: C23C14/36 ,  C23C14/54

Abstract: 一种分离磁体式平面磁控溅射源，其特征是它含有一个位于阴极靶[4]外侧的固定式圆环形磁体[2]和一个或若干个作圆周运动的内磁组件构成的磁场源，以及一个优先冷却阴极靶[4]的水冷器。本溅射源能产生一个或多个作圆周运动的扇形等离子体闭合环，或者产生一个能旋转的∞字形等离子体闭合环。同已有的平面磁控溅射源比较，具有靶面有效溅射区域大、溅射刻蚀均匀、靶材利用率高、薄膜的等厚度沉积面积大等优点。

公开(公告)号：CN87105700A

公开(公告)日：1988-03-30

申请号：CN87105700

申请日：1987-08-18

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王德苗 ,  任高潮 ,  陈抗生

IPC: C23C14/34

Abstract: 一种能向阴极靶[8]靶面和工件表面分别喷射工作气体和活性气体的磁控溅射源用的充气器，采用这种充气器能使靶面免受污染，工作气体利用率提高40％，薄膜中杂质含量降低20％，且不产生阴影。同通混合气体的方案相比，溅射速率提高80％以上。

公开(公告)号：CN110282329A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910599083.3

申请日：2019-07-04

Applicant: 浙江大学昆山创新中心

Inventor： 谷义伟 ,  冯斌 ,  李东滨 ,  金浩 ,  王德苗

IPC: B65G1/10

Abstract: 本发明为真空镀膜领域，公开了一种应用于真空室的片架传送机构，包括滑块A、滑块B、传动杆A和传动杆B，所述传动杆A和传动杆B纵向平行放置，并分别穿过滑块A和滑块B，形成井字形；所述滑块A、滑块B、传动杆A和传动杆B位于工作腔体内，所述传动杆A与电机A连接，所述传动杆B与电机B连接。所述滑块A和滑块B上设置有传动杆螺孔和传动杆过度通孔。本发明通过控制传动杆A和B的转动，可以自由控制片架的传送速度和传送方向，由于其结构简单，配件少，在降低传动机构成本的同时，可提高传动机构的可靠性。