-
公开(公告)号:CN101348877B
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN200810073766.7
申请日:2008-08-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种采用真空电弧炉熔炼技术制备的粘结Tb0.2Pr0.8(Fe0.4Co0.6)1.93-xCx合金,该合金由Tb0.2Pr0.8(Fe0.4Co0.6)1.93-xCx(x≤0.30)88~96%、环氧树脂(不含固化剂)4~12%组成,上述原料经均匀混合,再均匀混入占环氧树脂总质量的13~15%的固化剂,在模具中压制而成。这种粘结合金具有较高的磁致伸缩性能,与掺B相比,掺C成本较低。
-
公开(公告)号:CN101747038A
公开(公告)日:2010-06-23
申请号:CN200910114460.6
申请日:2009-09-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高性能的K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3-BiScO3无铅压电陶瓷,它是在K0.5Na0.5NbO3-LiSbO3中添加BiScO3经传统陶瓷烧结工艺制成,组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiSbO3-yBiScO3,式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量,其中0<x≤0.1,0<y≤0.01。通过选择适当的x、y值及在烧结时,以120℃/h的升温速度到500℃保温2h,再以120℃/h的升温速度到1060~1150℃保温1~9h烧结。烧结后,随炉冷却至室温。得到的无铅压电陶瓷的压电常数d33突破300pC/N,平面机电耦合系数kp可达0.52以上,机械品质因素Qm可达54.00,常温下介电常数εr可达1742,介电损耗(tan θ)低于2.5%。
-
公开(公告)号:CN118637900A
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202410812857.7
申请日:2024-06-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , H10N30/097 , H10N30/853 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种兼具高压电性能和热稳定性的铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷的织构制备方法,所述陶瓷的化学组成通式为(1‑x)BiFeO3‑xBaTiO3+yBa(W0.5Cu0.5)O3+tLi2CO3+mMnO2,其中x、y、t和m均表示摩尔分数,且0.25
-
公开(公告)号:CN118127633A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410349050.4
申请日:2024-03-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽温区压电性能稳定的铌酸钾钠基单晶,以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Al2O3、Bi2O3和Li2CO3为原料,采用无籽固相晶体生长法,经一次细化球磨、预烧、二次细化球磨和烧结,即可制备Li2O掺杂的铌酸钾钠基单晶;只存在K0.5Na0.5NbO3相,没有杂相;由单晶区和陶瓷区组成,单晶区为单一的致密结构,表面有略微的突起和起伏;晶坯比为38.2%。其制备方法包括以下步骤:1,原料的一次细化球磨;2,一次球磨料的预烧;3,一次预烧料的二次细化球磨;4,二次球磨料的烧结。作为压电材料的应用,其特征在于:所述铌酸钾钠基单晶的压电常数d33为377pC/N,四方相温度范围为138‑423℃。
-
公开(公告)号:CN110128128B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201910582276.8
申请日:2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有零温度系数及高温稳定性的铁酸铋‑铝酸铋‑锌钛酸铋高温压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:xBi1.05FeO3‑yBiAlO3+zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tP+mMnCO3,其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、CuO、Li2CO3中的一种或多种烧结助剂的组合;x、y、z、t、m表示摩尔分数,且0.50≤x≤0.80,0
-
公开(公告)号:CN110128127A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910582275.3
申请日:2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有高压电性能及高温稳定性的铁酸铋-钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:xBiFeO3-yBaTiO3+uBi(Ti0.5Zn0.5)O3+mP+tMnCO2,其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、B2O3、Li2CO3、V2O5中的一种或多种烧结助剂的组合;x、y、u、m、t表示摩尔分数,且0.65≤x≤0.85,0.15≤y≤0.35,0.05
-
公开(公告)号:CN109400154A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201811333250.1
申请日:2018-11-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/80 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种双铌源碱金属铌酸盐微纳米线材料,是以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、C10H5NbO20、BaCO3、Bi2O3为原料,按照化学式(1-y)KzNa1-zNb(C)xNb(N)1-xO3-yBaBiO3进行配料,其中Nb(C)是指来自铌源C10H5NbO20的Nb元素;Nb(N)是指来自铌源Nb2O5的Nb元素;0<x≤0.1,0<y<0.1,0.4≤z≤0.6,经传统陶瓷固相烧结工艺合成的微纳米线材料。其制备方法包括以下步骤:1)原料烘干;2)原料称取,进行球磨;3)球磨之后粉料的预烧;4)预烧后粉料的第二次球磨;5)第二次球磨后粉料压制成圆坯;6)圆坯的保温处理。本发明的优点是,采用双铌源后,可以有效提高压坯粉料的结晶度和微纳米线的生长速度;同时球磨介质可使用纯净水,无需使用无水乙醇,极大地节约了成本,并减小对环境的污染和烘干过程中的安全隐患;预烧温度降低了150-425℃,缩短保温时间。
-
公开(公告)号:CN107838421A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201711405576.6
申请日:2017-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: B22F3/03 , B22F3/02 , B22F2201/20
Abstract: 本发明属于防氧化模具技术领域,公开了一种真空防氧化凹模及其使用方法、成型压机,设置有真空波纹管和密封底座,实现压制过程中粉体材料在与大气隔离,实现防氧化的目的;与普通模具相比,O形橡胶圈起到真空密封作用,并在底座上开6个圆孔,密封底座用螺丝固定在凹模的底面上。本发明实现了压制成型过程中易氧化粉体材料与大气的隔离,使得粉体材料不易被氧化。与现有技术相比减少了氩气90%的使用量,节约了95%的成本、节省了90%的实验室空间。本发明可独立使用,操作简便,成本低廉,体积小巧。
-
公开(公告)号:CN107675257A
公开(公告)日:2018-02-09
申请号:CN201711116854.6
申请日:2017-11-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低损耗铁电压电单晶材料,由K0.5Na0.5NbO3为主体材料和Li2CO3、Bi2O3和CuO为掺杂原料,通过无籽固相晶体生长技术、CuO掺杂改性技术和热处理技术制备而成,其化学式为:(1–y)(99.6K0.5Na0.5NbO3-0.4LiBiO3)-yCuO,其中0.001≤y≤0.01,其介电损耗为tanδ=1~3%,相对介电常数为300~500,压电常数为d33=50~205 pC/N。其制备方法包括以下步骤:1)原料的干燥;2)原料的球磨;3)球磨产物的预烧;4)预烧后产物的球磨;5)球磨后粉料的压片和烧结,获得单晶;6)单晶的退火处理。本发明的优点是:所制备的材料获得了低的介电损耗,最低可达tanδ=1%,同时具有较高的压电性能,最高可达d33=205pC/N。
-
公开(公告)号:CN106757302A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611040828.5
申请日:2016-11-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠单晶及其制备方法,以K2CO3、Na2CO3和Nb2O5作为原料,按照摩尔比为0.52:0.48:1进行配料,经过以下步骤:所用原料称量配料前均置于烘箱中烘干;按照摩尔比称取原料装入球磨瓶中球磨;将球磨后产物取出,烘干,压片,预烧;然后以无水乙醇为介质二次球磨后烘干;将烘干的粉料过筛后,压制成圆坯,然后烧结获得单晶;将铌酸钾钠单晶从陶瓷基体中取出即可得到纯的铌酸钾钠单晶。本发明的优点是:采用无籽固相晶体生长技术在不掺杂其他元素的情况下,通过改变原料的比例、烧结温度、时间以及坯体尺寸,可以得到不同尺寸的纯的铌酸钾钠单晶。
-
-
-
-
-
-
-
-
-