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公开(公告)号：CN109326854B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811051702.7
申请日：2018-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯中红外可调谐带阻滤波器，其包括介质层和石墨烯层组成，介质层上铺有周期结构石墨烯层，周期单元结构均呈交叉领结形，其由纵向和横向领结形均匀垂直叠加构成，纵向和横向领结形完全相同；单领结形单领结形由一个矩形和两个等腰梯形组成，矩形的两端分别与两个完全一致的等腰梯形相接；所有纳米石墨烯单元均在介质层上以矩阵形式排列。本发明滤波器具有双模式可调谐特性，通过改变外加偏置电压或者化学掺杂来调节石墨烯化学势变化，进而实现频段的选择性。本发明适用范围广，调节度高，体积小，集成度高，便于加工，选频特性好，因而在全光网络中有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN109473785A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811568530.0
申请日：2018-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明中的偶极子共振超表面窄带极化转换器能产生线宽较窄且峰值较高的透射峰，单层三孔缝超表面包括三个偶极子共振器，由巴比涅效应，在前向传播时，入射于下层超表面的第二矩形孔缝的电磁波为x线极化波，才会激发基于明暗两种模式干涉的法诺共振，法诺共振具体上由偶极子的同相振荡与失相振荡的干涉引起，偶极子的振荡经中层超表面的旋转孔缝的旋转作用后，与上层超表面的第一矩形孔缝进行互作用，从而产生沿y方向极化的线极化波，由此产生了非对称传输现象，这类非对称传输现象可以用于滤波器、极化开关、波分复用器中。
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公开(公告)号：CN109326854A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811051702.7
申请日：2018-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
CPC classification number: H01P1/20
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯中红外可调谐带阻滤波器，其包括介质层和石墨烯层组成，介质层上铺有周期结构石墨烯层，周期单元结构均呈交叉领结形，其由纵向和横向领结形均匀垂直叠加构成，纵向和横向领结形完全相同；单领结形单领结形由一个矩形和两个等腰梯形组成，矩形的两端分别与两个完全一致的等腰梯形相接；所有纳米石墨烯单元均在介质层上以矩阵形式排列。本发明滤波器具有双模式可调谐特性，通过改变外加偏置电压或者化学掺杂来调节石墨烯化学势变化，进而实现频段的选择性。本发明适用范围广，调节度高，体积小，集成度高，便于加工，选频特性好，因而在全光网络中有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN120018769A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510168290.9
申请日：2025-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种氧化镓忆阻器及其制备方法，采用磁控溅射设备制备底电极和顶电极，采用激光脉冲沉积设备制备氧化镓阻变层。其中，底电极用于施加信号，氧化镓作为阻变层，对底电极和顶电极施加外加电场，在电流作用下阻变层可以转变为两种不同的阻值，通过氧化还原反应在阻变层内部形成导电细丝，进而使器件阻值发生变化，可模拟部分神经突触性能。本申请的制备方法简单，易于操作，且所制备的氧化镓忆阻器具有无电铸、可模拟神经突触性能等特点。
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公开(公告)号：CN119744114A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411865412.1
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件与工艺技术领域，具体涉及一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法，器件结构自下而上包括衬底、底电极层、金属封盖层、二维材料层、硅层、氧化物层和顶电极层。所述二维材料层直接原位生长在所述金属封盖层之上，与制备二维材料器件常用的转移法相比，避免了操作步骤繁琐和杂质污染问题，具有工艺简便性、通用性和高集成性。利用所述二维材料层、所述硅层与所述氧化物层所具有的不同离子迁移速率，引导导电细丝的形成和熔断都局域在二维材料层与硅层的界面附近，使得忆阻器具有优异的电学性能。此外，该器件还能有效模拟神经突触的特性，有助于实现开关速度快、高集成度、高稳定性和低功耗的人工突触器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119253294A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410874207.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种基于叉指结构石墨烯宽带可调太赫兹吸波器。该吸波器由三层结构构成，自下而上分别是金属层、聚酰亚胺电介质层及叉指结构石墨烯层。通过优化扫描选出了具有最优尺寸的叉指结构，金属电极用于对石墨烯费米能级及弛豫时间统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，弛豫时间(0.1～0.3ps)，可以实现在宽带内(2.2～5.1THz)的动态调控。除此之外，该发明还具有易于制备、可与集成电路工艺相结合等优点。因此，该发明在太赫兹领域中，如成像、隐身和开关操作设备等方面，它都具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118659136A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410792738.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种Ni和Ge多层纳米环阵列结构的近红外吸波器，吸波器是由Ni和Ge多层纳米环阵列组成，这些纳米环周期性地排列在金衬底上，环与金属衬底之间有一层SiO2电介质。所提出的吸收器实现了对近红外光近乎完美的吸收，这归因于来自顶部纳米环的多种谐振模式的集成，包括电极性和磁极性。纳米环的组成、几何形状和排列显著影响该器件的吸收性能，具有较小的公差。通过不断优化结构，可以得到对300–2400nm波长的电磁波近乎完美吸收的吸波器，该吸波器在整个波段的平均吸收率超过95％。该吸波器浸没在水中部分，可以充当太阳能蒸发器，可能应用于太阳能产生、消毒和海水处理，从而生产淡水。未浸没在水中的部分，也可能充当太阳能发电装置。
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公开(公告)号：CN118377073A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410467490.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于MIM谐振结构的超宽带高吸收率太阳能吸收器，该吸收器结构以金属钨(W)为衬底，衬底上的多层堆叠圆盘分别由金属钛(Ti)、非晶体态的Ge2Sb2Te5(A‑GST)或砷化镓(GaAs)组成，形成了三层MIM连续层隙等离子体强谐振器。本发明在0.3～2.5μm的波长范围内，平均吸收率为97.48％，太阳能光谱加权吸收效率为98.02％；在0.3～4μm的整个工作波段内，平均吸收率为96.95％，太阳能光谱加权吸收效率为97.54％。吸收率大于95％的带宽为2.37μm，吸收率大于90％的带宽为3.57μm。因此实现了超宽带、高效的太阳能吸收。结构自身的对称性使其具备优良的偏振无关特性，在0.3～2.5μm的波长范围内，该结构还对入射角变化表现出稳定的响应。因此，该技术在太阳能收集与转换、光伏器件以及热发射器件等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN109059971B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201811114621.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明提出了一种三孔缝结构的传感器，利用此结构的三个偶极子谐振单元的明模式谐振与暗模式谐振的互作用，产生具有陡的非对称的响应谱线型，从而设计出具有法诺共振现象透射谱的三孔缝结构的传感器。在相同的开关对比度情况下，非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。通过调控结构的几何参数，透射谱中出现了法诺峰的不同程度的红移，可实现法诺谐振的调谐，由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能实现传感器中谐振频率频段的变化，即工作频段不限于THz频段，本传感器可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。
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公开(公告)号：CN116923288B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310760857.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B60R16/023 , B60Q9/00 , G08C17/02
Abstract: 本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。
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