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公开(公告)号：CN103367284A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310278087.4
申请日：2013-07-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种双L型均流耐应力IGBT模块母排端子，包括发射极母排和集电极母排，所述发射极母排的下方设有两个L型的第一引脚，所述集电极母排的下方设有两个L型的第二引脚，所述两个第一引脚、两个第二引脚在焊接时处于同一条直线上。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、操作简便、良好的均流特性和耐应力特性等优点。
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公开(公告)号：CN102130021A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110000519.6
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司 , 中国电力科学研究院
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN101404273B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810215653.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体器件，包括门极换流晶闸管和印刷电路板；门极换流晶闸管包括阳极端(103)、阴极端(101)、管壳(105)以及由管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；门极引线(111)具有安装面(112)；印刷电路板包括安装孔(302)和第一接触电极；门极换流晶闸管插入印刷电路板的安装孔(302)中，并使安装面(112)与第一接触电极接触；门极换流晶闸管还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；安装孔的周围、与第一接触电极同侧还具有第二接触电极；阴极引线(109)具有安装面，且阴极引线的安装面(110)与第二接触电极接触。本发明的半导体组件组装简单。
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公开(公告)号：CN101144845B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710036058.1
申请日：2007-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 芯片门阴极间PN结阴断特性施加压测试方法及装置，将芯片置于一种带阳极钼片、阴极钼片和弹性门极件的加压式门阴极阻断特性的中间检测夹具之间，通过一个夹持机构带动阳极钼片或阴极钼片，使阳极钼片和阴极钼片在一定的压力下相互与芯片贴合在一起，再通过一个施力机构使芯片上的阴极梳条通过钼片电联通，在阴极钼片下装有门极，并通过弹力导柱引出，接至检测电源及仪表，通过检测仪表显示半导体芯片室温时的门阴极阻断特性的中间检测结果。
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公开(公告)号：CN101673761A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910178577.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及半导体组件。一种半导体器件，具有相互平行的门极引出电极和阴极引出电极，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔；或者，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔。本发明实施例中的半导体器件及组件，不仅使安装门、阴极引出电极时只旋转一个扇段齿位就可以进行固定，安装极为方便，而且使门、阴极引出电极和电路板之间保持较大的接触面积，使GCT元件和电路板之间具有较小的连接电阻和电感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101145510A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710035981.3
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 半导体芯片梳条修理方法及装置，通过一套模拟手工修理方法的梳条修理机构对有问题的梳条进行修理。所述的模拟手工修理方法是通过一套定位装置将半导体器件芯片固定在显微工作台上，再由一套模拟手工修理芯片梳条的剔梳条机构完成芯片梳条的修理。其中，所述的模拟手动修理芯片梳条的剔梳条机构是通过一微动定位机构将修理梳条的刀具刀口调至待剔梳条的根部及对准梳条的长度方向，准备剔条；再由与刀具安装在一起的拴导机构使刀口产生所需的直线运动，完成剔除梳条的动作。所述的梳条修理机构由芯片定位座、刀具、微动定位机构及拴导机构几部分构成，整个结构置于“显微工作台”内。
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公开(公告)号：CN101144845A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710036058.1
申请日：2007-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 芯片门阴极间PN结阻断特性施加压测试方法及装置，将芯片置于一种带阳极钼片、阴极钼片和弹性门极件的加压式门阴极阻断特性的中间检测夹具之间，通过一个夹持机构带动阳极钼片或阴极钼片，使阳极钼片和阴极钼片在一定的压力下相互与芯片贴合在一起，再通过一个施力机构使芯片上的阴极梳条通过钼片电联通，在阴极钼片下装有门极，并通过弹力导柱引出，接至检测电源及仪表，通过检测仪表显示半导体芯片室温时的门阴极阻断特性的中间检测结果。
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公开(公告)号：CN106856180B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510900654.4
申请日：2015-12-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种焊接IGBT模块的方法，其包括以下步骤：步骤一：将拱形的基板展平并固定在平板上，所述基板的凸出面抵接于平板；步骤二：在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层；步骤三：将衬板覆盖在所述衬板焊料层上；步骤四：将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化，然后冷却所述衬板焊料层。采用本方法后能有效的控制基板拱度不规则变化，使模块封装后达到规定的基板拱度值，在焊接时不需要考虑焊接材料与封装工艺参数，基板拱度合格率提高。
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公开(公告)号：CN104942687B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410113323.1
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块母排抛光的方法及抛光工装，该方法的步骤为：（1）通过计算得到模块上各个母排的抛光面面积大小和分布，同时利用模块上母排弯折后其抛光面与模块管盖间的距离；（2）依据步骤（1）的数据得到抛光工装；（3）直接将步骤（2）得到的抛光工装固定于母排上，将模块固定在支架上，利用抛光机对所有母排进行抛光作业。该工装是用来实施上述方法。本发明具有原理简单、操作简便等优点，大大简化了IGBT模块的母排抛光作业，降低了劳动强度。
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公开(公告)号：CN104465549B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410779614.4
申请日：2014-12-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/31
Abstract: 本申请公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。本申请所公开的一种功率半导体模块的整体定位装置和定位凸台配合定位，就能保证将每个芯片置于合适的位置，因此可以利用机器，自动化地向定位方格中放置芯片，从而使得生产效率大为提高。
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