公开(公告)号：CN110268107B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201880010712.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C30B29/46 ,  C30B33/02 ,  H01L35/14

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]MyV1‑ySnxSb2Tex+3在上式1中，V为空位，M为碱金属，x≥6，以及0＜y≤0.4。

公开(公告)号：CN112219142A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201980035545.7

申请日：2019-10-17

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 边真锡 ,  金素英 ,  徐姃贤 ,  金东炫 ,  高京门 ,  张影来

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G02B1/10 ,  G02B1/14 ,  G02B1/111 ,  B29D11/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/36

Abstract: 本发明涉及抗反射膜、包括其的偏光板和显示装置，所述抗反射膜具有低反射率偏差和透光率偏差，可以同时实现高耐刮擦性和防污特性，并且可以提高显示装置的屏幕清晰度。

公开(公告)号：CN111712534A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201980012904.7

申请日：2019-05-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 边真锡 ,  高京门 ,  李相宪 ,  徐光锡 ,  张影来

IPC: C08J5/18 ,  G02B1/111 ,  G02B5/22 ,  G02B5/30 ,  C09D5/00 ,  C09D133/08 ,  C09D133/10 ,  C08K7/24 ,  C08L33/08 ,  C08J7/046

Abstract: 本发明涉及具有诸如高耐磨性和耐刮擦性的机械特性和优异的光学特性的抗反射膜，以及包括其的偏光板和显示装置。

公开(公告)号：CN110268107A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880010712.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C30B29/46 ,  C30B33/02 ,  H01L35/14

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]MyV1-ySnxSb2Tex+3在上式1中，V为空位，M为碱金属，x≥6，以及0＜y≤0.4。

公开(公告)号：CN110088924A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201880004598.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供了由以下化学式1表示的新的含硫属元素化合物、用于制备其的方法以及包含其的热电元件，其中所述含硫属元素化合物即使在低温下、特别是在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且由于其独特的晶格结构引起的优异的电导率和低的热导率还表现出显著更优的功率因数和热电性能指数：[化学式1]V1-2xSn4Bi2-xAg3xSe7，在上式1中，V为空位，0

公开(公告)号：CN105308766A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480018809.5

申请日：2014-10-06

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 权五贞 ,  金兑训 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  郑粲烨

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/14

CPC classification number: C01B19/002 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/0272 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 公开了一种能够用于例如热电材料的用途的新化合物半导体材料及其应用。根据本发明的所述化合物半导体可以通过以下化学式1来表示。 Bi1-xMxCu1-wTwOa-yQ1yTebSez。在化学式1中，M是选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的一种或更多种元素，Q1是选自S、Se、As和Sb中的一种或更多种元素，T是选自过渡金属元素中的一种或更多种元素，0≤x＜1，0＜w＜1，0.2＜a＜1.5，0≤y＜1.5，0≤b＜1.5和0≤z＜1.5。

公开(公告)号：CN110178233B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201780083182.5

申请日：2017-12-20

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  金玟冏 ,  朴致成 ,  郑明珍 ,  闵裕镐

IPC: H10N10/85 ,  H10N10/853 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01 ,  H01L31/0272 ,  C01G51/00

Abstract: 本发明提供了由化学式1：SxCo4Sb12‑y‑zQySnz表示的新的化合物半导体。在化学式1中：Q包括O、Se和Te中的至少一者；x、y和z意指各元素的摩尔比，并且0＜x≤l、0＜y＜12、0＜z＜12、0＜y+z＜12且y≥3x。此外，本发明涉及新的化合物半导体材料及其制备方法，所述新的化合物半导体材料具有优异的电导率以及增强的热电性能指数，从而能够用于各种用途，例如热电转换装置、太阳能电池等的热电转换材料。

公开(公告)号：CN110088924B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201880004598.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: H10N10/851 ,  H10N10/852 ,  H10N10/853 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明提供了由以下化学式1表示的新的含硫属元素化合物、用于制备其的方法以及包含其的热电元件，其中所述含硫属元素化合物即使在低温下、特别是在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且由于其独特的晶格结构引起的优异的电导率和低的热导率还表现出显著更优的功率因数和热电性能指数：[化学式1]V1‑2xSn4Bi2‑xAg3xSe7，在上式1中，V为空位，0

公开(公告)号：CN109415208B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201880002728.4

申请日：2018-03-19

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 闵裕镐 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明涉及新的含有硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含有硫属元素的化合物即使在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且具有高的输出因子和热电优值。

公开(公告)号：CN112437890A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202080004042.6

申请日：2020-02-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  边真锡 ,  金昌五 ,  张影来

IPC: G02B1/11

Abstract: 本公开涉及抗反射膜、包括所述抗反射膜的偏光板和显示装置，所述抗反射膜能够同时实现高的耐刮擦性和防污特性，并且提高显示装置的屏幕清晰度。