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公开(公告)号：CN106796980B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580052778.X
申请日：2015-09-25
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L35/18 , H01L35/34 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: C01F17/0012 , C22C1/007 , C22C12/00 , H01L21/02156 , H01L21/02192 , H01L31/022425 , H01L35/00 , H01L35/14 , H01L35/34
Abstract: 公开了具有优异热电转换性能的化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示： M1aCo4Sb12‑xM2x，其中M1和M2为In和至少一种稀土金属元素中，并且0≤a≤1.8且0
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公开(公告)号：CN105308766A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480018809.5
申请日：2014-10-06
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2006/40 , H01L31/0272 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 公开了一种能够用于例如热电材料的用途的新化合物半导体材料及其应用。根据本发明的所述化合物半导体可以通过以下化学式1来表示。 Bi1-xMxCu1-wTwOa-yQ1yTebSez。在化学式1中，M是选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的一种或更多种元素，Q1是选自S、Se、As和Sb中的一种或更多种元素，T是选自过渡金属元素中的一种或更多种元素，0≤x＜1，0＜w＜1，0.2＜a＜1.5，0≤y＜1.5，0≤b＜1.5和0≤z＜1.5。
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公开(公告)号：CN105518890B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201480049267.8
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L35/14
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/007 , C01P2006/40
Abstract: 公开了一种具有优异性能的热电材料。根据本发明的热电材料可以由以下化学式1表示。 CuxSe，其中在化学式1中，2＜x≤2.6。
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公开(公告)号：CN104885241A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201480003857.7
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L35/14
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/007 , C01G3/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/14
Abstract: 公开了一种具有优异性能的热电转换材料。根据本发明的热电材料包含Cu和Se，其中包含Cu原子和Se原子的晶体在特定温度下同时具有多个不同的晶体结构。
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公开(公告)号：CN104854740A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380047735.3
申请日：2013-11-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01M4/587 , H01M4/48 , H01M4/134 , H01M10/052
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/0471 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/1393 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011 , H01M4/137 , H01M4/1399 , H01M4/48 , H01M4/608 , H01M4/62 , H01M4/628
Abstract: 本发明的负极活性材料包含具有由核和壳组成的核-壳结构的无定形SiOx-C复合物，所述核包含不含Si晶体的硅氧化物(SiOx)粒子并且所述壳为形成在所述核的至少一部分表面上且包含碳材料的涂层，从而提供高容量并且有效地抑制在Si的使用中已经造成的体积膨胀，从而提高寿命特性，并最终提供具有这种特性的锂二次电池。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104904026B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480003850.5
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L35/14
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/007 , C01G3/00 , C01P2002/72 , C01P2002/74 , C01P2004/01 , C01P2004/03
Abstract: 公开了一种制造跨宽温度范围具有高热电转换性能的热电材料的方法。根据本发明，制造热电材料的方法包括如下步骤：通过以与如下化学式1对应的方式称量Cu和Se并将其混合来形成混合物；和通过对所述混合物进行热处理来形成合成材料。 CuxSe，其中在化学式1中2＜x≤2.6。
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公开(公告)号：CN106796980A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580052778.X
申请日：2015-09-25
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L35/18 , H01L35/34 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: C01F17/0012 , C22C1/007 , C22C12/00 , H01L21/02156 , H01L21/02192 , H01L31/022425 , H01L35/00 , H01L35/14 , H01L35/34
Abstract: 公开了具有优异热电转换性能的化合物半导体及其用途。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示： M1aCo4Sb12‑xM2x，其中M1和M2为In和至少一种稀土金属元素中，并且0≤a≤1.8且0
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公开(公告)号：CN104885241B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480003857.7
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L35/14
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/007 , C01G3/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/14
Abstract: 公开了一种具有优异性能的热电转换材料。根据本发明的热电材料包含Cu和Se，其中包含Cu原子和Se原子的晶体在特定温度下同时具有多个不同的晶体结构。
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公开(公告)号：CN105518891A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048447.4
申请日：2014-10-17
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/54 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , H01L35/34
Abstract: 公开了具有优异的热电转换性能的新型热电材料及其制造方法。根据本发明的化合物半导体可以由以下化学式1表示：CuxSe1-yXy，其中X选自F、Cl、Br和I中至少之一，2
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