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公开(公告)号：CN105308766B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480018809.5
申请日：2014-10-06
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2006/40 , H01L31/0272 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 公开了一种能够用于例如热电材料的用途的新化合物半导体材料及其应用。根据本发明的所述化合物半导体可以通过以下化学式1来表示。 Bi1‑xMxCu1‑wTwOa‑yQ1yTebSez。在化学式1中，M是选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的一种或更多种元素，Q1是选自S、Se、As和Sb中的一种或更多种元素，T是选自过渡金属元素中的一种或更多种元素，0≤x＜1，0＜w＜1，0.2＜a＜1.5，0≤y＜1.5，0≤b＜1.5和0≤z＜1.5。
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公开(公告)号：CN107408618B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201680012741.9
申请日：2016-07-21
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 提供了化合物半导体热电材料，其制造方法以及使用其的热电模块、热电发电机或热电冷却装置，所述化合物半导体热电材料通过具有优异的功率因数和ZT值而具有优异的热电转换性能，并且特别地，在低温下具有优异的热电转换性能。根据本发明的化合物半导体热电材料包含：n型化合物半导体基体；和分散在基体中的n型颗粒，所述n型颗粒是与基体不同的化合物半导体并且平均颗粒尺寸为1μm至100μm。
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公开(公告)号：CN107408618A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680012741.9
申请日：2016-07-21
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 提供了化合物半导体热电材料，其制造方法以及使用其的热电模块、热电发电机或热电冷却装置，所述化合物半导体热电材料通过具有优异的功率因数和ZT值而具有优异的热电转换性能，并且特别地，在低温下具有优异的热电转换性能。根据本发明的化合物半导体热电材料包含：n型化合物半导体基体；和分散在基体中的n型颗粒，所述n型颗粒是与基体不同的化合物半导体并且平均颗粒尺寸为1μm至100μm。
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公开(公告)号：CN105308766A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480018809.5
申请日：2014-10-06
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C01B19/002 , C01P2006/40 , H01L31/0272 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 公开了一种能够用于例如热电材料的用途的新化合物半导体材料及其应用。根据本发明的所述化合物半导体可以通过以下化学式1来表示。 Bi1-xMxCu1-wTwOa-yQ1yTebSez。在化学式1中，M是选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的一种或更多种元素，Q1是选自S、Se、As和Sb中的一种或更多种元素，T是选自过渡金属元素中的一种或更多种元素，0≤x＜1，0＜w＜1，0.2＜a＜1.5，0≤y＜1.5，0≤b＜1.5和0≤z＜1.5。
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