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公开(公告)号：CN102422416A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200980159246.0
申请日：2009-09-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/761 , H01L27/0727 , H01L29/32 , H01L29/7397 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种具备半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管区和IGBT区之间，从半导体基板的上表面起到深于阳极区的下端以及体区的下端的深度为止的范围内，形成有p型的分离区。在二极管漂移区内，形成有二极管寿命控制区。二极管寿命控制区内的载流子寿命短于二极管寿命控制区外的、二极管漂移区内的载流子寿命。二极管寿命控制区的IGBT区侧的端部位于分离区的下方。
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公开(公告)号：CN111627999A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010115774.4
申请日：2020-02-25
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明抑制在具有上表面由(010)晶面构成的氧化镓基板的开关元件中的裂纹。本发明提供一种开关元件，其具有：氧化镓基板，其由氧化镓晶体构成；以及多个栅极，其隔着栅极绝缘膜与所述氧化镓基板相对。所述氧化镓基板的上表面与所述氧化镓晶体的(010)晶面平行。当俯视观察所述氧化镓基板的所述上表面时，各个所述栅极的长度方向与所述氧化镓晶体的(100)晶面延伸的方向相交。
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公开(公告)号：CN111304627A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911253610.1
申请日：2019-12-09
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明抑制在成膜装置中生长的膜中混入意料不到的杂质。本发明提供一种成膜装置，其通过向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面生长，该成膜装置具有：加热炉，其收容并加热所述基体；以及喷雾供给装置，其向所述加热炉供给所述溶液的所述喷雾。所述成膜装置中的暴露在所述喷雾中的部分的至少其中一部分由含有氮化硼的材料制成。
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公开(公告)号：CN110189981A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910114298.1
申请日：2019-02-14
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
Abstract: 公开一种成膜方法和制造半导体器件的方法。一种在基体上形成掺杂氟的氧化镓膜的成膜方法，包括：在加热所述基体的同时，将溶解有镓化合物和氟化合物的溶液的雾供给到所述基体的表面。在该成膜方法中，掺杂氟的氧化镓膜在所述基体的表面上生成。在该成膜方法中，掺杂氟的氧化镓膜能够在所述基体的表面上适当地形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108470775A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810150819.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 永冈达司
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括如下工序：在半导体基板的上表面形成肖特基电极；对第二范围进行蚀刻，以使得半导体基板的上表面在第一范围中比在第二范围中高，且在第一范围与第二范围之间形成立起面，且肖特基电极的外周缘位于第一范围上；形成绝缘膜，该绝缘膜在半导体基板的上表面上沿着立起面呈环状延伸，该绝缘膜的内周缘位于肖特基电极上且该绝缘膜的外周缘位于第二范围上；及形成场板电极，该场板电极与肖特基电极电连接，在从肖特基电极的外周缘经由立起面到达第二范围的范围内隔着绝缘膜与半导体基板的上表面对向。
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公开(公告)号：CN107968115A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710970668.2
申请日：2017-10-18
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: H01L29/063 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7804 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板，在位于FET区域与二极管区域之间的分界区域、位于二极管区域与周边耐压区域之间的分界区域以及位于FET区域与周边耐压区域之间的分界区域中的至少一个分界区域的位置处在表面形成有沟槽；绝缘膜，覆盖所述沟槽的内面；以及电极膜，覆盖所述绝缘膜的内面，且与源电极及阳极电极中的任一个导通。
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公开(公告)号：CN107112360A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061372.8
申请日：2015-08-03
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN102376759A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110251267.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/30 , H01L21/263
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L21/263 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/063 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/7397
Abstract: 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。
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公开(公告)号：CN112048765A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010501607.3
申请日：2020-06-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C30B29/16 , C30B25/02 , C30B33/02 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/56 , H01L21/368 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够将高结晶度的氧化膜在短时间内成膜。该氧化膜的成膜方法具有：在将基板加热到第一温度的同时，将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾供给到所述基板的表面，从而使所述氧化膜在所述基板的所述表面外延生长的工序；以及在使所述氧化膜外延生长之后，在将所述氧化膜加热到比所述第一温度高的第二温度的同时，使所述氧化膜暴露于含有氧原子的流体中的工序。
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